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            化工儀器網(wǎng)首頁>資訊中心>廠商報(bào)道>正文
            
		
            
	
            
	
            
		
            
			
            
				
				
				
				
					
			
            
				
			 



			
            
				
            
					
            
						
            Nexperia將在漢堡投資2億美元擴(kuò)大研發(fā)與生產(chǎn)
            
												
            
							2024年07月03日 15:15:17
							來源：化工儀器網(wǎng)														點(diǎn)擊量：6113
						
            
						
					
            
					
            
					 						
            
							
            
							
            近日，全球知名的半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）將在德國漢堡投資2億美元（約合1.84億歐元），以擴(kuò)大其研發(fā)和生產(chǎn)能力，專注于下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品（WBG）如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的研發(fā)與生產(chǎn)。
            
						
            
											
            
							
            　　【化工儀器網(wǎng) 廠商報(bào)道】 在全球經(jīng)濟(jì)一體化的大背景下，跨國投資已成為推動(dòng)各國經(jīng)濟(jì)發(fā)展的重要力量。近日，全球知名的半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia(安世半導(dǎo)體)宣布了一項(xiàng)重大投資計(jì)劃，將在德國漢堡投資2億美元(約合1.84億歐元)，以擴(kuò)大其研發(fā)和生產(chǎn)能力，專注于下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG)如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的研發(fā)與生產(chǎn)。這一舉措不僅標(biāo)志著Nexperia在電氣化和數(shù)字化領(lǐng)域技術(shù)支持的深化，也為其漢堡洛克施泰特工廠的百年歷史增添了新的輝煌篇章。
             
            　　此次投資是在漢堡洛克施泰特工廠成立100周年之際，與漢堡經(jīng)濟(jì)部長Melanie Leonhard博士共同宣布的。Nexperia計(jì)劃利用這筆資金在漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施，以支持SiC和GaN等寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品的規(guī)?；a(chǎn)。同時(shí)，晶圓廠的硅(Si)二極管和晶體管產(chǎn)能也將得到顯著提升，以滿足市場對(duì)高效功率半導(dǎo)體日益增長的需求。
             
            　　Nexperia德國首席運(yùn)營官兼常務(wù)董事Achim Kempe表示：“這項(xiàng)投資鞏固了我們作為節(jié)能半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商的地位，使我們能夠更負(fù)責(zé)任地利用可用電能。未來，我們的漢堡晶圓廠將覆蓋全系列的寬禁帶半導(dǎo)體，同時(shí)仍是最大的小信號(hào)二極管和晶體管工廠。我們將繼續(xù)堅(jiān)定執(zhí)行我們的戰(zhàn)略，為標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用和高耗能應(yīng)用生產(chǎn)高質(zhì)量、具有成本效益的半導(dǎo)體，同時(shí)應(yīng)對(duì)我們這一代人面臨的最大挑戰(zhàn)之一：滿足日益增長的能源需求，同時(shí)減少對(duì)環(huán)境的影響。”
             
            　　SiC和GaN半導(dǎo)體在數(shù)據(jù)中心等高功率應(yīng)用中展現(xiàn)出出色的效率，同時(shí)也是可再生能源應(yīng)用和電動(dòng)汽車的核心構(gòu)件。這些寬禁帶技術(shù)具有巨大的潛力，對(duì)實(shí)現(xiàn)脫碳目標(biāo)具有重要意義。Nexperia計(jì)劃從2024年6月開始，在德國研發(fā)和生產(chǎn)SiC、GaN和Si三種技術(shù)，并已經(jīng)于同月投入使用了第一條高壓D-Mode GaN晶體管和SiC二極管生產(chǎn)線。未來兩年，漢堡工廠還將建立現(xiàn)代化、經(jīng)濟(jì)高效的200毫米SiC MOSFET和GaN HEMT生產(chǎn)線，進(jìn)一步推動(dòng)技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)能擴(kuò)大。
             
            　　除了技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)能擴(kuò)大，Nexperia還計(jì)劃實(shí)現(xiàn)漢堡工廠現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施的自動(dòng)化，并逐步轉(zhuǎn)向使用200毫米晶圓來擴(kuò)大硅的產(chǎn)能。隨著潔凈室區(qū)域的擴(kuò)大，新的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室正在建設(shè)中，以確保從研究到生產(chǎn)的無縫過渡。這些舉措將顯著提升工廠的生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量，為全球客戶提供更加優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體產(chǎn)品。
             
            　　Nexperia的此次投資不僅推動(dòng)了技術(shù)進(jìn)步，還預(yù)計(jì)能夠刺激當(dāng)?shù)亟?jīng)濟(jì)發(fā)展，為漢堡和整個(gè)歐洲創(chuàng)造更多的就業(yè)機(jī)會(huì)，并增強(qiáng)歐盟半導(dǎo)體自給自足的能力。Nexperia與大學(xué)和研究機(jī)構(gòu)密切合作，共同分享專業(yè)知識(shí)并推動(dòng)高素質(zhì)的員工培訓(xùn)，確保產(chǎn)品持續(xù)創(chuàng)新和技術(shù)領(lǐng)先。
             
            　　Nexperia德國首席財(cái)務(wù)官兼常務(wù)董事Stefan Tilger表示：“計(jì)劃中的投資使我們能夠在漢堡開展寬禁帶芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)。然而，SiC和GaN對(duì)于Nexperia來說絕不是新領(lǐng)域。自2019年起，我們的產(chǎn)品組合中就包括GaN FET，而在2023年，我們還與三菱電機(jī)合作，擴(kuò)展了產(chǎn)品范圍，加入了SiC二極管和SiC MOSFET。Nexperia是少數(shù)幾家能夠提供全線半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品系列的供應(yīng)商之一，包括Si、SiC和涵蓋了E-mode和D-mode的GaN。這意味著，我們?yōu)榭蛻籼峁┝艘徽臼椒?wù)，能夠滿足他們所有的半導(dǎo)體需求。”
             
            　　自1924年Valvo Radioröhrenfabrik成立以來，漢堡洛克施泰特工廠不斷發(fā)展壯大，如今已成為全球約四分之一的小信號(hào)二極管和晶體管需求的供應(yīng)基地。自2017年從NXP分拆以來，Nexperia在漢堡工廠投入了大量資金，員工人數(shù)從950人增加到1600人左右，并將技術(shù)基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)到了先進(jìn)的水平。這些持續(xù)的投入充分展示了Nexperia致力于保持行業(yè)領(lǐng)先地位并為全球客戶提供創(chuàng)新解決方案的決心。
            
						
            
						 						
						
            
							






















    
    
    
    

    
    


    

                                    
                                    
                                    
                                     
    

							
            
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										新能源領(lǐng)域突破利器：電子顯微鏡與XPS技術(shù)在鋰電、綠氫、光伏中的應(yīng)用				
		
            
		
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