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            產(chǎn)品展廳

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            發(fā)布詢價(jià)單

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            n型有機(jī)半導(dǎo)體材料

            具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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                日本富士膠片和光純藥株式會(huì)社(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation)供應(yīng)產(chǎn)品超過5萬種,涵蓋合成與材料、分析、培養(yǎng)、生命科學(xué)、藥品生產(chǎn)與品質(zhì)管理等應(yīng)用,囊括了基礎(chǔ)研究至關(guān)乎人類健康的生命科學(xué)研究領(lǐng)域。本社成立于1922年,前身為前武田藥品工業(yè)株式會(huì)社,2017年被富士膠片集團(tuán)全面收購(gòu)。

            隨著富士膠片集團(tuán)對(duì)生命科學(xué)領(lǐng)域的更大重視和投入,為了繼續(xù)對(duì)中國(guó)客戶提供更多前沿、品質(zhì)可靠的產(chǎn)品,富士膠片和光純藥株式會(huì)社在中國(guó)設(shè)立了子公司富士膠片和光(廣州)貿(mào)易有限公司,是一家試劑、耗材和儀器的綜合供應(yīng)商。除了富士膠片和光品牌產(chǎn)品,本公司還代理Enzo Life Sciences、VLVbio、imed、AdipoGen、Stemgent、Cosmo Bio、ReproCell、Funakoshi、Kikkoman、Sanplatec、SONSAN、Genovis、Albumedix、Indigo等國(guó)內(nèi)外品牌,在學(xué)術(shù)研究、產(chǎn)業(yè)化、醫(yī)療等大范圍領(lǐng)域作出貢獻(xiàn)。

            生物化學(xué)試劑、儀器和耗材

            供貨周期 一個(gè)月以上

            n型有機(jī)半導(dǎo)體材料Wako

            PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI




            本產(chǎn)品為n型有機(jī)半導(dǎo)體材料,其具有優(yōu)異的大氣穩(wěn)定性和電子遷移速度。

            n型有機(jī)半導(dǎo)體材料PhCn-BQQDI,無論采用真空沉積法,還是涂布法,均可形成再現(xiàn)性良好的成膜,但C2體(n=2)適合涂布法,而C3體(n=3)適合氣相沉積法。




            基本信息



            PhC2-BQQDI

            PhC3-BQQDI

            名稱

            benzo[de]isoquinolino[1,8-gh]quinoline

            diimide(BQQDI在骨架的亞胺基的氮原

            子上連有苯乙基(-C2H4Ph)。


            benzo[de]isoquinolino[1,8-gh]quinoline

            diimide(BQQDI)在骨架的亞胺基團(tuán)的氮

            原子上連有苯丙基(-C3H6Ph)


            結(jié)構(gòu)式



            實(shí)物圖



            包裝

            氬氣填充


            外觀

            紅色~紅棕色,結(jié)晶性粉末~粉末




            ◆特點(diǎn)


            可用于氣相沉積法和涂布法的高性能n型有機(jī)半導(dǎo)體材料


            ■ 高遷移性

            · 涂布結(jié)晶形成的單晶在大氣中的電子遷移速度為3 cm2/Vs

            · 真空蒸鍍膜在大氣中的電子遷移速度超過0.6 cm2/Vs


            ■ 高穩(wěn)定性

            · 可在大氣中長(zhǎng)期保持穩(wěn)定,不受器件結(jié)構(gòu)的影響

            · 單晶有機(jī)薄膜晶體管(OFET)可維持半年以上,蒸鍍法OFET可維持一個(gè)月以上

            · 遷移性降低率小于10%


            ■ 高耐性(PhC2-BQQDI)

            · 在單晶OFET中,選擇任意基板,都具有超過150°C的高耐熱應(yīng)力

            · 良好的偏壓應(yīng)力




            ◆數(shù)據(jù)


            ①PhC2-BQQDI


            LUMO能級(jí)估算、大氣·熱穩(wěn)定性評(píng)估


            ● 通過循環(huán)伏安法(Cyclic Voltammetry,簡(jiǎn)稱CV),估計(jì)LUMO為?4.11 eV(4-Hep-BQQDI具有優(yōu)異的溶解性)

            ● 通過熱重-差熱分析法(Thermogravimetry?Differential Thermal Analysis,簡(jiǎn)稱TG?DTA),在421 °C下未觀察到

              分解或相變的熱異常

            ● 大氣儲(chǔ)存下采用氣相沉積法形成的100 nm薄膜在1個(gè)月內(nèi)的紫外-可見光(UV-Vis)光譜無變化。




            團(tuán)聚體結(jié)構(gòu)


            呈磚砌型團(tuán)聚體結(jié)構(gòu),能夠觀察到相鄰BQQDI骨架之間的多分子相互作用,并可實(shí)現(xiàn)二維電荷傳輸。



            PhC2-BQQDI的單晶OFET


            元件結(jié)構(gòu)

            大氣下的輸出特性



            ②PhC3-BQQDI


            PhC3-BQQDI單晶結(jié)構(gòu)與LUMO之間的轉(zhuǎn)移積分。



            評(píng)估大氣中真空氣相沉積OTFT特性(通道長(zhǎng)/寬=100 µm/1000 µm)


            (a)OTFT結(jié)構(gòu)圖

            (b)PhC2-BQQDI和(c)PhC3-BQQDI在飽和區(qū)隨基板溫度變化的傳輸特性(漏極電壓:50 V)

            藍(lán)線:室溫、綠線:100°C、紅線:180°C

            (d)PhC2-BQQDI及(e)PhC3-BQQDI的遷移速度在大氣中的經(jīng)時(shí)變化



            PhC2-BQQDI與PhC3-BQQDI


            化合物

            基板溫度

            平均(最大)遷移速度

            (cm2 V-1S-1)?

            平均閾值電壓

            (V)?

            接觸電阻

            (kΩ cm)?

            PhC2-BQQDI

            室溫

            0.29(0.30)

            4.6

            4.8±0.6

            100°C

            0.54(0.54)

            3.3

            5.8±0.5

            180°C

            0.64(0.65)

            3.5

            4.7±0.4

            PhC3-BQQDI

            室溫

            0.32(0.33)

            3.2

            1.7±0.3

            100°C

            0.51(0.53)

            1.4

            4.3±0.6

            180°C

            0.65(0.70)

            2.5

            3.2±0.5


            ?:在飽和區(qū)(漏極電壓=50 V)時(shí)評(píng)估

            ?:柵極電壓=50 V時(shí)的估算值


            產(chǎn)品編號(hào)產(chǎn)品名稱產(chǎn)品規(guī)格
            165-28601PhC2-BQQDI100 mg
            166-28871PhC3-BQQDI100 mg






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