透射電鏡原位MEMS低溫電學測量系統-樣品桿，透射電鏡原位MEMS低溫電學測量系統是在標配MEMS芯片樣品桿上集成低溫控制模塊，實現低溫電學測量或全溫區(qū)測量功能。

性能指標

透射電子顯微鏡指標：

● 兼容型號電鏡及極靴；

● 單傾可選高傾角版本；

● 可選雙傾版本，β角傾轉±25°（同時受限于極靴）；

● 測量電極數可選。

電學測量指標：

● 包含一個電流電壓測試單元；

● 電壓輸出大±200 V，小±100 nV；

● 電流測量大±1.5 A，小100 fA；

● 恒壓或者恒流模式；

● 自動電流-電壓（I-V）測量、電流-時間（I-t）測量，自動保存。

透射電鏡原位MEMS低溫電學測量系統-樣品桿

低溫指標：

● 兼容MEMS加熱及電學芯片；

● 全溫區(qū)測量，溫度范圍：85 K- 380 K；

● 控溫穩(wěn)定性：優(yōu)于±0.1 K；

● 溫度連續(xù)可控。