我司推出的霍爾替代型電流傳感器HIT系列以磁通門技術為基本原理，加上閉環(huán)控制在電子電路中的應用，其測量精度遠高于傳統(tǒng)霍爾電流傳感器。

HIT系列霍爾替代型電流傳感器是磁通門原理電流傳感器，磁通門電流傳感器是利用被測磁場中高導磁率磁芯在交變磁場的飽和激勵下，其磁感應強度與磁場強度的非線性關系來測量弱磁場的。這種物理現(xiàn)象對被測環(huán)境磁場來說好像是一道道理“門”，通過這道“門”，相應的磁通量即被調制，并產生感應電動勢。利用這種現(xiàn)象來測量電流所產生的磁場，從而間接的達到測量電流的目的。

電流傳感器的系統(tǒng)如上圖所示。電流所產生的磁場在磁通門探頭內經激勵信號調制后，通過峰值檢波和積分濾波電路產生有用的電壓信號，然后經過反饋，使電流傳感器工作在零磁通狀態(tài)。

當磁通門式電流傳感器工作時，激勵線圈中加載一固定頻率、固定波形的交變電流進行激勵，使磁芯往復磁化達到飽和。在不存在外在電流所產生的被測磁場時，檢測線圈輸出的感應電動勢只含有激勵波形的奇次諧波，波形正負上下對稱。當存在直流外在被測磁場時，磁芯中同時存在直流磁場和激勵交變磁場，直流被測磁場在前半周期內促使激勵場使磁芯提前達到飽和，而在另外半個周期內使磁芯延遲飽和。因此，造成激勵周期內正負半周不對稱，從而使輸出電壓曲線中出現(xiàn)振幅差。該振幅差與被測電流所產生的磁場成正比，因此可以利用振幅差來檢測磁環(huán)中所通過的電流。

磁通門電流傳感器與霍爾電流傳感器的主要區(qū)別：

1、帶寬區(qū)別：微觀上講，磁通門測量磁場的門始終處在零磁通附近變化，加之多閉環(huán)控制電路，磁場變化幅度非常小，變化的頻率可以更快，因此，磁通門電流傳感器具有很快的響應時間。實際的磁通門電流傳感器帶寬通常可達到500kHz以上。而開環(huán)式霍爾電流傳感器的帶寬通常較窄，在3kHz左右。閉環(huán)霍爾電流傳感器也只能達到100kHz。

2、精度區(qū)別：開環(huán)式霍爾電流傳感器副邊輸出與磁芯氣隙處的磁感應強度成正比，而磁芯由高導磁材料制作而成，非線性和磁滯效應是所有高導磁材料的固有特點，因此，開環(huán)式霍爾電流傳感器一般線性度較差，且原邊信號在上升和下降過程中副邊輸出會有不同。開環(huán)式霍爾電流傳感器精度通常低于1%。閉環(huán)式霍爾電流傳感器由于工作在零磁通狀態(tài)，磁芯的非線性及磁滯效應不對輸出造成影響，可以獲得較好的線性度和較高的精度。閉環(huán)式霍爾電流傳感器精度醉高可達0.2%。而航智推出的霍爾替代型磁通門電流傳感器，采用我司自主知識產權的三大核心關鍵技術可以達到0.05%的精度。

3、零漂溫漂及抗*力區(qū)別：在測量磁場的各種元器件中，霍爾元件不夠敏感，而且由于霍爾器件的安裝位置是在磁芯氣隙中，需要斷開磁芯，因而靈敏度和解析度更大大降低，導致零漂和溫漂比較大，抗*力比較差。而航智推出的霍爾替代型磁通門電流傳感器，采用完整的磁芯結構，不存在磁芯的切口，無氣隙，因而抗*力強，其敏感性也遠高于霍爾效應，有極低的零漂和溫漂。

HIT系列霍爾替代型電流傳感器三大核心技術：

1、采用激磁閉環(huán)控制技術，與傳統(tǒng)方案比省去了復雜的磁屏蔽系統(tǒng)設計。

2、采用自激退磁技術，零漂小，拓展了量程寬度，原來用兩個傳感器解決的問題，現(xiàn)在只需要一個傳感器。

3、采用多閉環(huán)控制方法，實現(xiàn)對激勵磁通、直流磁通、交流磁通的零磁通閉環(huán)控制，并通過構建高頻紋波感應通道實現(xiàn)對高頻紋波的檢測，從而使傳感器在全帶寬范圍內擁有很高的增益和測量精度。

霍爾替代型電流傳感器HIT系列是航智推出的霍爾替代型磁通門電流傳感器。該系列產品對標閉環(huán)霍爾電流傳感器，在性能上PK霍爾電流傳感器。HIT系列傳感器精度可達0.05%，而閉環(huán)霍爾效應電流傳感器只有0.2%；帶寬方面，HIT系列傳感器可達500kHz以上，比閉環(huán)霍爾電流傳感器提高了至少5倍。該系列產品型號有：HIT50、HIT100、HIT200、HIT300、HIT500、HIT600，可對50A到600A的DC、AC和脈沖電流進行測量。

簡而言之，HIT系列傳感器是霍爾效應電流傳感器的替代，是追求高性價比的醉佳選擇，同時，也是加速“高精度直流傳感器普及時代”的醉強助力。