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            化工儀器網>產品展廳>光學儀器及設備>光學測量儀>橢偏儀>SE400adv sentech透明膜膜厚儀激光橢偏儀

            SE400adv sentech透明膜膜厚儀激光橢偏儀

            參考價 800000
            訂貨量 ≥1
            具體成交價以合同協(xié)議為準

            聯系我們時請說明是化工儀器網上看到的信息,謝謝!


              北京伊微視科技有限公司成立于2020年,是一家實驗室設備*和測試服務的供應商。專注于高精度形貌檢測設備及耗材,便攜式現場偵檢設備,測試服務。

              伊微視依托在各高校及科研單位的服務經驗,為客戶提供更合適的設備及技術服務。公司主要產品有韓國帕克原子力顯微鏡,美國Zygo表面輪廓儀,PE ICP-MS,各品牌AFM探針及云母片,及個性化科研測試服務,如FIB測試,TERS測試等。

              伊微視專注于開發(fā)更多優(yōu)質的產品,更專業(yè)的技術服務。致力于成為微納形貌設備及測試的有鮮明特色的供應商。

            AFM,ICP-MS,光學輪廓儀

            產地類別 進口 價格區(qū)間 50萬-80萬
            應用領域 化工,生物產業(yè),電子/電池

            Sentech激光橢偏儀 SE400adv-太陽能電池膜厚測量儀

            sentech透明膜膜厚儀激光橢偏儀

            在測量太陽能電池粗糙表面反射膜方面,有出色的表現。

            非接觸光學測量,可測量薄膜厚度、折射率、吸收系數、偏振角度。

            高穩(wěn)定性和度。由于其具有穩(wěn)定激光光源、溫度補償裝置、起偏器跟蹤和極低噪聲探測器。

            光學自動準直設計。

            快速、簡單易操作,可選擇應用特定的入射角度。

            支持多角度測量,以便分析更復雜的樣品和更準確的厚度。

            多角度激光橢偏儀 SE400advanced 能夠測量薄膜厚度及其光學常數,使用 632.8nm 波長氦氖激光器,具有*的精度和準確度。SE400advanced可用來測量單層、多層和大尺寸材料。SE400advanced 的功能基于橢圓偏振光原理,一種使用激光偏振光的非接觸光學反射測量方式。

            由于 sentech透明膜膜厚儀激光橢偏儀SE400advanced *、易用、Recipe 模式導向和功能強大的軟件,SE400advanced 能夠滿足研發(fā)需求和生產中的質量控制需求。它包含了大范圍的應用,比如微電子學、III-V 半導體、生物和生命科學、顯示技術、磁介質、金屬處理和其他應用。對ψ,?的高靈敏度測量和極低噪聲探測器,使其能夠測量非理想的、散射的、粗糙表面的膜層,比如太陽能電池表面的減反射膜的測量。

            SE400advanced 被設計用來將橢偏儀測量理論的全部潛能發(fā)揮到極限。由于 SE400advanced 具有高穩(wěn)定補償器、電腦控制的穩(wěn)定旋轉分析器和自動定位起偏器,能夠測量極薄的膜層,也能夠測量各種吸收基底或透明基底上的粗糙表面薄膜。

            SE400advanced 包含了一個高性能、精密的手動角度計,確保了在較短測量時間內的多角度測量,以便分析復雜樣品。

            SE400advanced 是簡潔緊湊的設備,能夠快速啟動并運行。通過以太網連接的 PC 或筆記本電腦對設備進行控制。新的操作系統(tǒng)和 PC 會被使用。

            SE400advanced 軟件描述

            必要的測量和分析步驟被優(yōu)化,使過程被簡化到只需操作單個按鈕就能夠完成強大測量功能。預先定義的應用Recipe能夠讓使用變得簡易。由于可以利用所提供的全面的材料數據庫,能夠很輕松的添加或更改測量Recipe。SE400advanced 軟件支持本地化,能夠支持不同的語言:英語(默認),德語。其他使用西里爾字母和亞洲字母的語言也能夠被很好的支持。

             

            技術指標

            波長: 632.8 nm 氦氖激光器 (Class 1 device)

            90°位置 時ψ,?精度:δ(ψ)=0.002° δ(?)=0.002°

            長期穩(wěn)定性:δ(ψ) = ±0.01° δ(?)= ±0.1°

            膜厚測量精度:0.1 Å for 100 nm SiO2 on Si

            折射率測量精度:5x10-4 for 100 nm SiO2 on Si

            透明薄膜的厚度范圍:最大4 µm

            弱吸光性薄膜厚度范圍 (多晶硅):最大2 µm

            膜層數量:默認: 在基底或多層膜上的1-3層膜

            測量時間:120 ms ….. 1.5 s (決定于測量方式)

            設置:PCSA with Compensator

            高穩(wěn)定性補償器Compensator, 可得到 0° 和180°附近?的高精度

            電腦控制的起偏器 Polarizer,定位/探測,自動校準高穩(wěn)定旋轉分析器Analyzer

            激光束直徑:1 mm

            入射角: 手動角度計40° - 90°, 步進值5°

            樣品對準:用于樣品傾斜角度和高度手動調整的自動校準鏡(ACT)

            選項: 自動對焦

            樣品載物臺:可調節(jié)高度和角度的樣品臺,150mm直徑

            選項:-真空吸盤

            - x-y 地形圖掃描載物臺

            設置和保養(yǎng):橢偏儀的自動校準, 保養(yǎng)模式包括自檢

            維護:自動的內部維護程序,檢查絕大多數部件的正常工作

            PC, 顯示器 新型商用計算機,鼠標,鍵盤,, 以太網卡,Windows XP操作系統(tǒng),使用TFT液晶顯示器

            軟件: SENTECH 公司的 SE 400 橢偏儀軟件

            預先定義的應用模式:比如:

            - 硅上的介質膜

            - 砷化鎵上的介質膜

            - 玻璃上的有機薄膜

            - 硅上的自然氧化膜

            - 砷化鎵上的自然氧化膜

            標準測量 Recipe

            單角度入射(40 度到 85 度間的固定角度)

            多角度入射(40 度到 85 度間的角度, 步進值 5°)

            材料庫包含:

            電介質, 弱吸收薄膜, 晶體和非晶半導體, 金屬, 有

            機物, 玻璃,石英和其他



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