Hitachi離子研磨儀特點(diǎn)

高通量的斷面研磨

配備斷面研磨能力達(dá)到500 µm/h^*2以上的高效率離子槍。因此，即使是硬質(zhì)材料，也可以高效地制備出斷面樣品。

*2   在加速電壓6 kV下，將Si從遮擋板邊緣伸出100 µm并加工1小時(shí)時(shí)的最大深度

Hitachi離子研磨儀斷面研磨

● 即使是由硬度以及研磨速度不同的成分所構(gòu)成的復(fù)合材料，也可以制備出平滑的斷面樣品

● 優(yōu)化加工條件，減輕損傷

● 可裝載最大20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品

斷面研磨的主要用途

● 制備金屬以及復(fù)合材料、高分子材料等各種樣品的斷面

● 制備用于分析開裂和空洞等缺陷的斷面

● 制備評(píng)價(jià)、觀察和分析所用的沉積層界面以及結(jié)晶狀態(tài)的斷面

斷面研磨加工原理圖

平面研磨（Flat Milling^®）

● 均勻加工成直徑約為5mm的范圍

● 可運(yùn)用于符合其目的的廣泛領(lǐng)域

● 最大可裝載直徑50 mm × 厚度25 mm的樣品

● 可選擇旋轉(zhuǎn)和擺動(dòng)（±60度～±90度的翻轉(zhuǎn)）2種加工方法

平面研磨（Flat Milling^®）的主要用途

● 去除機(jī)械研磨中難以消除的細(xì)小劃痕和形變

● 去除樣品的表層

● 消除FIB加工的損傷

平面研磨（Flat Milling®）加工原理圖

與日立SEM的樣品結(jié)合

● 樣品無需從樣品臺(tái)取下，就可直接在SEM上進(jìn)行觀察。

● 在抽出式的日立SEM上，可按照不同的樣品分別設(shè)置截面、平面研磨桿，因此，在SEM上觀察之后，可根據(jù)需要進(jìn)行再加工。

功能

冷卻溫度調(diào)節(jié)功能^*1

附冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS

該功能可有效防止加工過程中，由于離子束照射引發(fā)的樣品的溫度上升，所導(dǎo)致樣品的溶解和變形。對(duì)于過度冷卻后會(huì)產(chǎn)生開裂的樣品，通過冷卻溫度調(diào)節(jié)功能可防止其因過度冷卻而產(chǎn)生開裂。

*1     此調(diào)節(jié)功能不是IM4000PLUS的標(biāo)配功能，而是配有冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS功能。

樣品：鉛焊料

常溫研磨

冷卻研磨

選項(xiàng)

大氣隔離樣品桿

大氣隔離樣品桿，可讓樣品在不接觸空氣的狀態(tài)下進(jìn)行研磨。
密封蓋將樣品密閉，進(jìn)入真空排氣的樣品室后，打開密封蓋。如此，離子研磨加工后的樣品可以在不接觸空氣的狀態(tài)下直接設(shè)置到SEM^*1、FIB^*1、AFM^*2上。

*1    僅支持附帶大氣隔離樣品更換室的日立FE-SEM和FIB。

*2    僅支持真空型日立AFM。

鋰離子電池負(fù)極（充電后）

大氣暴露

大氣隔離

用于加工時(shí)觀察的立體顯微鏡

IM4000、IM4000PLUS通過設(shè)置在樣品室上方的立體顯微鏡，可觀察到研磨過程中的樣品。
如果是三目型，則可以通過CCD攝像頭^*3進(jìn)行監(jiān)控觀察。

*3    CCD攝像頭以及監(jiān)控器由客戶準(zhǔn)備。

項(xiàng)目

IM4000PLUS

IM4000PLUS

斷面研磨桿

平面研磨桿

使用氣體

Ar（氬）氣

加速電壓

0 ～ 6 kV

最大研磨速度（Si材料）

500 µm/hr^*1 以上

-

最大樣品尺寸

20（W）× 12（D）× 7（H）mm

Φ50 × 25（H） mm

離子束
間歇照射功能

標(biāo)配

尺寸 

616（W）× 705（D）× 312（H）mm

重量 

機(jī)體48 kg＋回轉(zhuǎn)泵28 kg

附冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS

冷卻溫度調(diào)節(jié)功能

通過液氮間接冷卻樣品、溫度設(shè)定范圍：0°C ～ －100°C

選項(xiàng)

空氣隔離
樣品夾持器

僅支持?jǐn)嗝嫜心A持器

-

FP版斷面研磨夾持器

100 µm/rotate^*2

-

用于加工監(jiān)控的顯微鏡

倍率 15 × ～ 100 × 雙目型、三目型（支持CCD）

*1 將Si從遮擋板邊緣伸出100 µm并加工1小時(shí)的最大深度

*2 千分尺旋轉(zhuǎn)1圈時(shí)的遮擋板移動(dòng)量。斷面研磨夾持器比為1/5

觀察示例

斷面研磨

如果是大約500 µm的角型的陶瓷電容器，則可以3小時(shí)內(nèi)制備出平滑的斷面。

樣品：陶瓷電容器

低倍圖像

放大圖像

即使硬度和成分不同的多層結(jié)構(gòu)材料，也可以制備斷面。

樣品：保險(xiǎn)杠涂膜

低倍圖像

放大圖像

這是通過鋰電池正極材料，斷面研磨獲得平滑截面的應(yīng)用實(shí)例。
在SEM上觀察到的具有特殊對(duì)比度的部位，從SSRM（Scanning Spread Resistance Microscopy）圖像來看，考慮為電阻低的部位。

樣品：鋰離子電池正極材料 樣品制備方法：斷面研磨

平面研磨（Flat Milling）

可以去除機(jī)械研磨所引起的研磨損傷和塌邊，并可觀察到金屬層、合金層和無鉛焊料的Ag分布。

樣品：無鉛焊料

機(jī)械研磨后

平面研磨后

因老化等變得臟污的觀察面、分析面，通過平面研磨，也可以獲得清晰的通道對(duì)比度圖像和EBSD模式。

樣品：銅墊片