CVD系統(tǒng) 由供氣系統(tǒng)+雙管管式爐+抽氣系統(tǒng) ，最高溫度可以達(dá)到1200度,可以是單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等，極限真空可以達(dá)到10-3Pa，供氣系統(tǒng)是流量調(diào)節(jié)可以是質(zhì)子流量計(jì)或浮子流量計(jì)，混氣路數(shù)可以是2路、3路、4路、5路相混合。

這款CVD系統(tǒng)是由3路供氣系統(tǒng)+TL1200雙管管式爐+低真空系統(tǒng)組成

單溫區(qū)四通道可調(diào)真空快速升溫雙管爐是一種特殊的CVD系統(tǒng)，是專門為在金屬箔（像銅箔、鋁箔等）上生長(zhǎng)薄膜而設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用在新一代能源關(guān)于柔性金屬箔電極方面的研究上，特別適用于碳納米管、碳納米線、石墨烯的生長(zhǎng)。這款雙管式爐以進(jìn)口電阻絲康泰爾（Canthal）為加熱元件，采用雙層殼體結(jié)構(gòu)和宇電控溫儀表，能進(jìn)行30段程序控溫，移相觸發(fā)、可控硅控制，爐膛采用日本進(jìn)口氧化鋁多晶纖維材料，具有溫場(chǎng)均衡、表面溫度低、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)。

單溫區(qū)四通道可調(diào)真空快速升溫雙管爐爐底安裝一對(duì)滑軌，可用手推滑動(dòng)。加熱和冷卻速率最大可達(dá)100°C/min。為取得最快加熱，可以預(yù)先加熱爐子到設(shè)定的溫度，然后移動(dòng)爐子到樣品位置。為獲得最快冷卻，可在樣品加熱后移動(dòng)爐子到另一端。加熱和冷卻速率在真空或者惰性氣體環(huán)境下可以達(dá)到10°C/s，是低成本快速熱處理的理想爐子。