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            產(chǎn)品展廳

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            III-V族外延晶片

            具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
            • 公司名稱(chēng) 深圳市唯銳科技有限公司
            • 品牌 其他品牌
            • 型號(hào)
            • 產(chǎn)地
            • 廠商性質(zhì) 代理商
            • 更新時(shí)間 2024/10/9 16:57:44
            • 訪問(wèn)次數(shù) 1390

            聯(lián)系方式:張先生查看聯(lián)系方式

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            深圳市唯銳科技有限公司是一家國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、專(zhuān)精特新創(chuàng)新型企業(yè),也是國(guó)內(nèi)出色的光電產(chǎn)品和解決方案供應(yīng)商。我們的團(tuán)隊(duì)具有多年的光電行業(yè)工作經(jīng)驗(yàn),長(zhǎng)期為高等院校、科研院所、航天軍工以及企業(yè)客戶(hù),提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和解決方案,促進(jìn)國(guó)內(nèi)光電產(chǎn)業(yè)的升級(jí)和國(guó)際化。

            唯銳科技一直關(guān)注光電前沿技術(shù),提供的產(chǎn)品和服務(wù)涵蓋: 光源(DFB/FP/ICL/QCL激光器、超輻射發(fā)光二極管SLD、中紅外LED、可見(jiàn)光-紫外激光二極管、飛秒激光器);探測(cè)器(碲鎘汞MCT/InAs/nAsSb探測(cè)器、InGaAs探測(cè)器、InAs/lnAsSb II型超晶格探測(cè)器、平衡探測(cè)器);量子技術(shù)(單光子探測(cè)器、計(jì)數(shù)模塊、MOT磁光阱控制模塊);光纖和探頭(高溫鍍銅鍍金光纖、中紅外光纖、光纖探頭);模塊、系統(tǒng)及整機(jī)(激光驅(qū)動(dòng)、溫控模塊、TDLAS系統(tǒng)、FTIR光譜儀、放射性碳分析儀C14-SCAR);III-V族外延晶圓(VCSEL晶圓、InGaAs晶圓、QCL晶圓)。產(chǎn)品主要應(yīng)用于:高靈敏度激光氣體分析、紅外探測(cè)、光纖光譜、醫(yī)療健康、超快光譜、量子技術(shù)、激光加工、航天軍工、科學(xué)研究等領(lǐng)域。

             

             

            nanoplus激光器,DFB激光器,ICL激光器,QCL激光器,VIGO碲鎘汞探測(cè)器,InAsSb探測(cè)器,單光子探測(cè)器,單光子計(jì)數(shù)卡,金屬涂層高溫光纖,中紅外光纖,空芯光纖,透反射探頭,熒光探頭,環(huán)形光探頭,III-V族外延晶圓,ARCoptix傅里葉紅外光譜儀

            供貨周期 兩周 應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,化工

            III-V族外延晶片 波蘭VIGO公司成立于1993年,擁有一支超過(guò)30年紅外探測(cè)器研究經(jīng)驗(yàn)的資深專(zhuān)家隊(duì)伍,是MCT/InAs/InAsSb探測(cè)器的設(shè)計(jì)者和制造商,提供低溫制冷的紅外探測(cè)器、III-V族外延片,覆蓋1-16μm光譜范圍,同時(shí)提供探測(cè)器模塊、前置放大器、TEC溫控等組件和解決方案。提供VCSEL晶圓和InGaAs晶圓。

            產(chǎn)品介紹

            VIGO的ENT外延部門(mén)生產(chǎn)III-V(GaAs-,InP-)相關(guān)的半導(dǎo)體化合物,在外延方面有35年的經(jīng)驗(yàn),并且能夠根據(jù)客戶(hù)需求提供定制服務(wù)。VIGO利用MOCVD外延技術(shù)制備了二元、三元、四元和五元三-五元化合物半導(dǎo)體的原子工程外延層,具有德國(guó)柏林廠商Laytec的監(jiān)控生產(chǎn)系統(tǒng),擁有水平層流反應(yīng)器,進(jìn)行基片載流子的多次旋轉(zhuǎn)產(chǎn)品。這條新產(chǎn)品線擴(kuò)展了VIGO公司的產(chǎn)品組合,為各種微電子和光子應(yīng)用提供外延服務(wù),下游的應(yīng)用包含三極管,二極管,激光器,探測(cè)器等。具有以下特點(diǎn):

            • 外延納米技術(shù),超越單一技術(shù)解決方案

            • 大規(guī)模生產(chǎn)或小批量制造,提供多類(lèi)優(yōu)質(zhì)外延片

            • 生產(chǎn)的高級(jí)III-V族化合物半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu),被廣泛運(yùn)用于光子設(shè)備(F-P、VCSEL、QCL激光器、光電探測(cè)器)、微電子設(shè)備(二極管、晶體管)

            • 聚焦無(wú)線、電信、傳感或打印領(lǐng)域的高度創(chuàng)新型產(chǎn)品,可提供全面的研發(fā)服務(wù)。

            III-V族外延晶片主要特點(diǎn)

            • 超高純度

            • 精確控制厚度在±1nm

            • 優(yōu)秀的均勻性

            • 重現(xiàn)性

            • 可外延尺寸 2, 3, 4,8英寸

            產(chǎn)品性能

            XRD曲線:

            產(chǎn)品純度一致性:

            表面粗糙度:

            量子井:

            產(chǎn)品應(yīng)用

            半導(dǎo)體類(lèi)型:

            • 場(chǎng)效應(yīng)晶體管,被動(dòng)器件,高遷移率晶體管

            • EEL,SOAs1300-1600 nm,VCSELs(例850nm),DBR,QuantumDots

            • LED(550nm to infrared) ,Microwave ,Schottky,High-Brightness

            • InGaAs, AlGaAs探測(cè)器,SWIR, LWIR

            外延晶圓類(lèi)型:

            • GaA based – GaAs,AlxGa1-xAs,InxGa1-xAs,In1-(y+z)GayAlzAs,In0.5(Ga1-xAlx)0.5P

            • InP based – InP,In0.53Ga0.47As,In0.52Al0.48As,InxGa1-xAsyP1-y,(AlxGa1-x )InyP1-y

             

            GAAS BASED PRODUCTS INP BASED PRODUCTS
            AlGaAs/GaAs QW edge emitting lasers

             

            VCSELs

            FETs, HEMTs, Schottky diodes

            varactors

            InGaAsP/InP strained or matched QW edge emitting
            lasers and SOAs 1300 – 1600nm
            GaAsP/GaAs strained QW edge emitting lasers InGaAs/InP QW edge emitting lasers
            InGaAsP/GaAs QW lasers 808nm InGaAsP/InP VCSEL structures
            InGaAs/AlGaAs/GaAs strained QW lasers InAlGaAs/InP edge emitting and VCSEL structures
            InAs/GaAs QD lasers InGaAsP/InP passive devices
            AlGaAs/GaAs passive waveguides InGaAs photodetectors
            Manufactured to specification InAlAs/InGaAs/InP HEMTs
            Manufactured to specification

             

             

             

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