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            產(chǎn)品展廳

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            發(fā)布詢價單

            化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導體行業(yè)專用儀器>光刻及涂膠顯影設備>無掩模光刻機/直寫光刻機>ELS-BODEN Σ 電子束光刻機

            ELS-BODEN Σ 電子束光刻機

            具體成交價以合同協(xié)議為準
            • 公司名稱 深圳市矢量科學儀器有限公司
            • 品牌 ELIONIX
            • 型號 ELS-BODEN Σ
            • 產(chǎn)地 日本
            • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
            • 更新時間 2024/9/6 9:42:57
            • 訪問次數(shù) 315
            產(chǎn)品標簽

            光刻半導體前道無掩膜

            聯(lián)系方式:謝澤雨查看聯(lián)系方式

            聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!




            深圳市矢量科學儀器有限公司是集半導體儀器裝備代理及技術(shù)服務的高新技術(shù)企業(yè)。

            致力于提供半導體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導體分析測試設備、半導體光電測試儀表及相關(guān)儀器裝備維護、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實驗室整體服務。

            公司目前已授實用新型權(quán)利 29 項,軟件著作權(quán) 14 項,是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。










            冷熱臺,快速退火爐,光刻機,納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發(fā)

            1 產(chǎn)品概述:

                電子束光刻(E-beam Lithography,簡稱EBLEBD)設備,是在電子顯微鏡基礎上發(fā)展起來的一種用于微電路研究和制造的曝光技術(shù)。它作為半導體微電子制造及納米科技的關(guān)鍵設備,主要通過高能量電子束與光刻膠的相互作用,實現(xiàn)高精度的曝光和圖形制作。電子束光刻設備主要包括電子光學系統(tǒng)、圖形發(fā)生器系統(tǒng)、真空系統(tǒng)以及高精度運動系統(tǒng)等核心組件。

            2 設備用途:

            電子束光刻設備具有廣泛的應用領(lǐng)域,主要包括:

            1. 半導體制造:用于制作光刻掩模版,是半導體芯片制造中一部分。特別是在EUV光刻機掩模版的制作上,目前只能依賴于電子束光刻技術(shù)。

            2. 納米科學技術(shù)研究:由于電子束光刻具有的分辨率,它能夠制造出微米甚至亞微米級別的精細結(jié)構(gòu),因此在納米科技領(lǐng)域有著廣泛的應用。

            3. 集成電路制造:在集成電路的制造過程中,電子束光刻技術(shù)用于制作高精度、高密度的芯片結(jié)構(gòu),提高芯片的性能和可靠性。

            3 設備特點

            電子束光刻設備具有以下顯著特點:

            1. 高分辨率:相比于傳統(tǒng)光刻技術(shù),電子束光刻技術(shù)可以實現(xiàn)更高的分辨率,能夠制造出更精細的圖案和結(jié)構(gòu)。

            2. 高精度:電子束光刻設備具有制造精度,能夠滿足微納加工領(lǐng)域?qū)鹊膰栏褚蟆?/span>

            3. 靈活性:電子束光刻技術(shù)可以靈活曝光任意圖形,適應不同形狀和尺寸的加工需求。

            4. 高速度:現(xiàn)代電子束光刻設備已經(jīng)實現(xiàn)了高速、連續(xù)的加工過程,大大提高了生產(chǎn)效率。

            5. 真空環(huán)境:設備中的真空系統(tǒng)提供了穩(wěn)定的真空環(huán)境,消除了空氣對加工過程的干擾,保證了設備的穩(wěn)定性和生產(chǎn)效率。


            4
            技術(shù)參數(shù)和特點:

            電子槍

            ZrO/W熱場發(fā)射型

            加速電壓

            50 kV




            光束電流

            1 nA 800 nA




            小光束直徑

            D 2.8   nm




            標準寫場大小

            1000   μm□




            /大寫場大小

            100 μm

            大(選項)3000 μm

            掃描頻率

            400 MHz

            發(fā)射間距

            0.2 nm

            大試樣尺寸

            8” 晶片 / 12” 晶片

            大繪圖區(qū)域

            200 mm   x 200 mm / 300 mm x 300 mm

            輸送機構(gòu)

            單自動加載器

            機器人裝載機

            Software

            elms

            束流調(diào)整功能

            曝光文件功能

            圖案數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換功能

            帳戶管理功能

            •Python腳本




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