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BW-4022C 光耦晶振綜合測試系統(tǒng)

具體成交價以合同協(xié)議為準

公司名稱 陜西博微電通科技有限責任公司
品牌 其他品牌
型號 BW-4022C
產(chǎn)地西安
廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
更新時間 2025/3/27 15:11:56
訪問次數(shù) 12

產(chǎn)品標簽

光耦測試分立器件測試晶振測試鋰電池測試壓敏電阻測試

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公司介紹 主營產(chǎn)品

陜西博微電通科技有限責任公司是一家致力于高精度半導體測試設(shè)備、電力電子設(shè)備、電池安全管理系統(tǒng)及電力儲能解決方案的集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高科技企業(yè)。

公司位于古城西安西咸新區(qū)灃東新城能源金貿(mào)區(qū)，地理位置環(huán)境*，依托西安眾多高校及研究所，公司擁有一批高素質(zhì)人才隊伍，從軟件開發(fā)、硬件設(shè)計、系統(tǒng)集成、產(chǎn)品升級迭代及售后服務(wù)均由專業(yè)技術(shù)人員完成，多年來公司與深圳、西安、杭州等多家高科技企業(yè)合作開發(fā)出針對半導體測試、電力電子、能源管理系統(tǒng)系列產(chǎn)品，經(jīng)過技術(shù)迭代，產(chǎn)品功能全面，產(chǎn)品質(zhì)量可靠，市場口碑優(yōu)秀。

公司注重產(chǎn)品質(zhì)量，更注重客戶服務(wù)滿意度及產(chǎn)品體驗，每一款產(chǎn)品出廠前都經(jīng)過嚴格的檢驗或第三方機構(gòu)監(jiān)測，并持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品功能、根據(jù)客戶需求定制或迭代升級產(chǎn)品。我們秉承“博厚共贏、服務(wù)入微”理念竭誠為每一位客戶提供可靠的、高品質(zhì)的產(chǎn)品與服務(wù)，幫助解決客戶實際使用痛點，開發(fā)難點，節(jié)約生產(chǎn)成本提高工作效率，助力行業(yè)發(fā)展。

半導體測試系統(tǒng)：（Semiconductor test system）

針對Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC半導體測試產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于半導體企業(yè)測試計量、封裝測試、IDM測試、晶圓測試、DBC測試以及科研教學、智能電力、軌道交通、新能源汽車、白色家電等元器件應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)鏈的來料檢驗、器件選型及科研及院所、實驗室的數(shù)據(jù)驗證分析和研發(fā)指導等。

半導體測試設(shè)備可針對Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC可進行高精度靜態(tài)參數(shù)測試（包括導通、關(guān)斷、擊穿、漏電、增益等直流參數(shù)）測試精度可達16位ADC；動態(tài)雙脈沖（包括Turn_ON_L/Turn_OFF_L/FRD/Qg）及Rg/UIS/SC/C/RBSOA測試等；環(huán)境老化測試（包括HTRB/HTGB/H3TRB/Surge/間歇壽命IOL/功率循環(huán)PCT3000 ）及熱特性測試（包括PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）半導體器件測試設(shè)備/雪崩耐量測試UIS、二極管浪涌測試IFSM、熱阻測試、晶閘管直流參數(shù)測試SCR、安全工作區(qū)正偏/反偏/短路安全工作區(qū)測試SOA，各類型探針臺、高精度高低溫箱及分立器件分選機系統(tǒng)等。

電池安全管理及儲能：（Battery safety management and energy storage system）

電池安全管理系統(tǒng)主要是針對電池、蓄電池組、儲能系統(tǒng)安全及應(yīng)用電池全生命周期系統(tǒng)解決方案，主要產(chǎn)品覆蓋儲能電池BMS、后備電池BMS、動力電池BMS和電池監(jiān)控數(shù)據(jù)平臺等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于儲能，云計算，數(shù)據(jù)中心，通信網(wǎng)絡(luò)，軌道交通，以及商業(yè)和工業(yè)設(shè)施關(guān)鍵電源領(lǐng)域，將成為國家綠色能源轉(zhuǎn)型重要系統(tǒng)保障。

展開

半導體測試設(shè)備，功率器件可靠性測試，熱特性安全測試，儲能及電力能源安全管理系統(tǒng)

詳細信息 在線詢價

BW-4022C

半導體綜合測試系統(tǒng)

BW-4022C半導體綜合測試系統(tǒng)可同時針對：

【光耦】

適用于〖三極管管型光耦/可控硅光耦/繼電器光耦〗進行測試。

【二極管】

〖Diode /穩(wěn)壓Diode/ZD/SBC/TVS/整流橋堆〗進行測試。

【壓敏電阻】

〖Kelvin /Vrrm /Vdrm /Irrm /Idrm /△Vr〗進行測試。

【鋰亞電池】

〖Kelvin/電池空載電壓（Vbt）/負載電壓(Vbt_load ) /測試電流（0-10A 恒流）/負載電壓變化值（▲Vbt_load）/電池內(nèi)阻(Vbt Res) 測試。

【晶振】

〖震蕩頻率(Freq_osc )/諧振電阻（Ri）/頻率精度(Freq_ppm)/測試頻率范圍（10kHz~10MHz）等測試。

【其他測試功能可定制拓展】

BW-4022C半導體綜合測試系統(tǒng)是針對于半導體器件開發(fā)專用測試的系統(tǒng)，經(jīng)我公司產(chǎn)品升級與開發(fā)，目前亦可以對二極管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶振5種器件進行參數(shù)測試，性能、精度、測試范圍均滿足客戶測試需求，可用于客戶端來料檢驗、研發(fā)分析、產(chǎn)品選型等重要檢測設(shè)備之一。

BW-4022C 半導體綜合測試系統(tǒng)采用大規(guī)模 32 位 ARM&MCU 設(shè)計， PC 中文操作界面，程控軟件基于 Lab VIEW 平臺，填充調(diào)用式菜單操作界面，測試界面簡潔靈活、人機界面友好。配合開爾文綜合集成測試插座，根據(jù)不同器件更換測試座配合，系統(tǒng)可適配設(shè)置完成對二極管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶振5種元件的靜態(tài)參數(shù)測試。

該測試系統(tǒng)主要由測試主機和程控電腦及外部測試夾具三部分組成，并接受客戶端MES系統(tǒng)進行測試指令：方案選取/開始/暫停/停止/數(shù)據(jù)上傳等操作執(zhí)行，并可將測試數(shù)據(jù)上傳至MES系統(tǒng)由客戶端處理。

一、 設(shè)備規(guī)格與環(huán)境要求

物理規(guī)格

主機尺寸：深 660*寬 430*高 210(mm) 臺式

主機重量：＜25kg

產(chǎn)品色系：白色系

工況環(huán)境

主機功耗：＜300W

海拔高度：海拔不超過 1500m；

環(huán)境要求：-20℃～60℃（儲存）、5℃～50℃（工作）；

相對濕度： 20%RH～75%RH (無凝露，濕球溫度計溫度 45℃以下)；

大氣壓力：86Kpa～106Kpa；

防護條件：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導電粉塵等；

供電要求

電源配置：AC220V±10%、50Hz±1Hz；

工作時間：連續(xù)；

二、測試種類與技術(shù)指標

1、光耦測試：

輸入（Input）相關(guān)參數(shù)

· 正向電壓（Forward Voltage）：

· 符號：Vf · 最小值 · 典型值：1.2 V · MAX值：1.4 V · 單位：V · 測試條件：If=20mA

· 反向電流（Reverse Current）：

· 符號：Ir · 最小值：無 · 典型值：無 · MAX值：10 μA · 單位：μA · 測試條件：Vr=4V

輸出（Output）相關(guān)參數(shù)

· 集電極暗電流（Collector Dark Current）：

· 符號：Iceo · 最小值：無 · 典型值：無 · MAX值：100 nA · 單位：nA · 測試條件：Vce-20V,If=0

· 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓（Collector-Emitter Breakdown Voltage）：

· 符號：BVceo · 最小值：80 V · 典型值：無 · MAX值：無 · 單位：V · 測試條件：Ic-0.1mA,If=0

· 發(fā)射極 - 集電極擊穿電壓（Emitter-Collector Breakdown Voltage）：

· 符號：BVeco · 最小值：6 V · 典型值：無 · MAX值：無 · 單位：V · 測試條件：Ie-10μA,,If=0

· 集電極電流（Collector Current）：

· 符號：Ic · 最小值：2.5 mA · 典型值：無 · MAX值：30 mA · 單位：mA · 測試條件：If=5mA,Vce-5V

· 電流傳輸比（Current Transfer Ratio）：

· 符號：CTR · 最小值：50 % · 典型值：無 · MAX值：600 % · 單位：% · 測試條件：If=5mA,Vce-5V

傳輸特性（TRANSFER CHARACTERISTICS）相關(guān)參數(shù)

· 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓（Collector-Emitter Saturation Voltage）：

· 符號：Vce · 最小值：無 · 典型值：0.1 V · MAX值：0.2 V · 單位：Vbv · 測試條件：If=20mA,Ic-1mA

· 隔離電阻（Isolation Resistance）：

· 符號：Riso · 最小值： Ω · 典型值： Ω · MAX值：無 · 單位：Ω · 測試條件：DC500V, 40 - 60% R.H.

（以上參數(shù)基于晶體管LTV-816-Cu series特性參數(shù)）

· 三極管管型光耦

測試參數(shù)	符號	量程	測試范圍	測試條件	測量精度
輸入正向?qū)▔航?/span>	Vf1	0-10V	+-10V	0-4A	1%+FullRange0.1%+-2mV
反向擊穿電壓（耐壓）	Bvceo1 Bveco1	1	+-1V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-1mV
2	+-10V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-2mV
3	+-100V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-20mV
4	+-1000V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-200mV
5	+-2000V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-2V
反向漏電流	Iceo1 Ir1	1	+-100nA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-7nA
2	+-1uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-10nA
3	+-10uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-10nA
4	+-100uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-30nA
5	+-1mA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-300nA
6	+-10mA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-3uA
7	+-100mA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-30uA
輸出導通壓降	Vce(sat)1	0-10V	+-10V		1%+FullRange0.1%+-2mV
輸入輸出電流傳輸比		2	600		1%+FullRange0.5%+-5
3	6000		1%+FullRange0.5%+-10
4	60000		1%+FullRange0.5%+-20

· 可控硅光耦

測試參數(shù)	符號	量程	測試范圍	測試條件	測量精度
輸入正向?qū)▔航?/span>	Vf1	0-10V	+-10V	0-4A	1%+FullRange0.1%+-2mV
反向擊穿電壓（耐壓）輸入觸發(fā)電流	Vdrm vrrm ift	1	+-1V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-1mV
2	+-10V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-2mV
3	+-100V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-20mV
4	+-1000V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-200mV
5	+-2000V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-2V
反向漏電流	irrm idrm ir1	1	+-100nA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-7nA
2	+-1uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-10nA
3	+-10uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-10nA
4	+-100uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-30nA
5	+-1mA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-300nA
6	+-10mA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-3uA
7	+-100mA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-30uA
					1%+FullRange0.1%+-2mV
輸入LED正向壓降輸出導通壓降	Vf1 vtm	0-10V	+-10V		1%+FullRange0.5%+-5
0-10V	+-10V		1%+FullRange0.5%+-10
0-400ma			1%+FullRange0.5%+-20
	vih
	ih
	IL
	C_vtm

· 繼電器光耦

測試參數(shù)	符號	量程	測試范圍	測試條件	測量精度
輸入正向?qū)▔航?/span>	Vf1	0-10V	+-10V	0-4A	1%+FullRange0.1%+-2mV
反向擊穿電壓（耐壓）	VL1 VL2	1	+-1V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-1mV
2	+-10V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-2mV
3	+-100V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-20mV
4	+-1000V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-200mV
5	+-2000V	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-2V
反向漏電流	Ir1 Ir2	1	+-100nA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-7nA
2	+-1uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-10nA
3	+-10uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-10nA
4	+-100uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-30nA
5	+-1mA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-300nA
6	+-10mA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-3uA
7	+-100mA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-30uA
輸出導通內(nèi)阻	ROn1 ROn2	0-10V	+-10V	0-40A	1%+FullRange0.1%+-2mV
輸入輸出電流傳輸比		2	600		1%+FullRange0.5%+-5
3	6000		1%+FullRange0.5%+-10
4	60000		1%+FullRange0.5%+-20

2、二極管類測試

· 二極管類：二極管

· Diode

· Kelvin ，Vrrm ，Irrm ，Vf ，△Vf ，△Vrrm ，Tr（選配）；

二極管類：穩(wěn)壓二極管

· ZD（Zener Diode）

· Kelvin ，Vz ，lr ，Vf ，△Vf ，△Vz ；

二極管類：穩(wěn)壓二極管

· ZD（Zener Diode）

· Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz；

二極管類：三端肖特基二極管 SBD（SchottkyBarrierDiode）

· Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm；

二極管類：瞬態(tài)二極管

· TVS

· Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm ；

二極管類：整流橋堆

· Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；

二極管類：三相整流橋堆

· Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；

測試參數(shù)	符號	量程	測試范圍	測試條件	測量精度
正向?qū)▔航?/span>	VF1 VF2 VF3 VF4 VF5 VF6	0-10V	+-10V	0-40A（選配） 0-100A(標配) 0-200A（選配） 0-300A（選配）	0.5%+FullRange0.1%+-2mV
反向擊穿電壓（耐壓）	Vrrm1 Vrrrm2 Vrrrm3 Vrrm4 Vrrm5 Vrrm6	1	+-1V	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-1mV
2	+-10V	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-2mV
3	+-100V	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-20mV
4	+-1000V	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-200mV
5	+-2000V	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-2V
反向漏電流	Irrm1 Irrm2 Irrm3 Irrm4 Irrm5 Irrm6	1	+-100nA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-5nA
2	+-1uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-10nA
3	+-10uA	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-10nA
4	+-100uA	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-30nA
5	+-1mA	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-300nA
6	+-10mA	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-3uA
7	+-100mA	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-30uA

3、壓敏電阻測試

· Kelvin 、Vrrm 、 Vdrm 、Irrm 、Idrm 、 △Vr ;（參數(shù)配置精度與二極管一致）

測試參數(shù)	符號	量程	測試范圍	測試條件	測量精度
正向?qū)▔航?/span>	VF1 VF2 VF3 VF4 VF5 VF6	0-10V	+-10V	0-40A（選配） 0-100A(標配) 0-200A（選配） 0-300A（選配）	0.5%+FullRange0.1%+-2mV
壓敏電壓（1mA）	Vrrm1 Vrrrm2 Vrrrm3 Vrrm4 Vrrm5 Vrrm6	1	+-1V	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-1mV
2	+-10V	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-2mV
3	+-100V	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-20mV
4	+-1000V	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-200mV
5	+-2000V	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-2V
反向漏電流	Irrm1 Irrm2 Irrm3 Irrm4 Irrm5 Irrm6	1	+-100nA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-5nA
2	+-1uA	0-2000V	1%+FullRange0.1%+-10nA
3	+-10uA	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-10nA
4	+-100uA	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-30nA
5	+-1mA	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-300nA
6	+-10mA	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-3uA
7	+-100mA	0-2000V	0.5%+FullRange0.1%+-30uA

4、鋰亞電池測試

· Kelvin(0~150mV)

· 電池空載電壓（Vbt） 0-100V +-0.2%

· 負載電壓(Vbt_load ) 0-100V +-0.5% 測試電流（0-10A 恒流）

· 負載電壓變化值（▲Vbt_load）0-10v +-5% 測試電流（0-10A 恒流）

· 電池內(nèi)阻(Vbt Res) 0-10v +-5% 測試電流（0-10A 脈沖）

5、晶振測試

· 震蕩頻率(Freq_osc )

· 諧振電阻（Ri）

· 頻率精度(Freq_ppm)

· 測試頻率范圍（10kHz~10MHz）

測試參數(shù)	符號	量程	測試范圍	測試條件	測量精度
震蕩頻率	Fosc	10kHz~100kHz 100kHz~1MHz 1MHz~5MHz 5MHz~10MHz	10kHz~10MHz		0.1Hz
諧振電阻	Rz	0~100K			±10%
頻率精度	ppm		0-1000		0.01%

三、參數(shù)配置與性能指標

1. 電流/電壓源 VIS自帶VI測量單元

1）加壓（FV）

量程	分辨率	精度
±40V	19.5mV	± 1%設(shè)定值+FullRange0.1%± 19.5mV
±20V	10mV	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±10mV
±10V	5mV	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±5mV
±5V	2mV	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2mV
±2V	1mV	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2mV

2)加流(FI)：

量程	分辨率	精度
±100A	195mA	±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±100mA
±40A	19.5mA	±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±30mA
±4A	1.95mA	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2mA
±400mA	119.5uA	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±200uA
±40mA	11.95uA	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±20uA
±4mA	195nA	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±200nA
±400uA	19.5nA	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±20nA
±40uA	1.95nA	±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2nA

說明：電流大于1.5A自動轉(zhuǎn)為脈沖方式輸出，脈寬范圍：300us-1000us可調(diào)

3). 電流測量(MI)

量程	分辨率	精度
±100A	12.2mA	±5% 讀數(shù)值+FullRange0.2%±100mA
±40A	1.22mA	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20mA
±4A	122uA	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2mA
±400mA	12.2uA	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200uA
±40mA	1.22uA	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20uA
±4mA	122nA	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2uA
±400uA	12.2nA	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200nA
±40uA	1.22nA	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20nA

4). 電壓測量(MV)

量程	分辨率	精度
±40V	1.22mV	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20mV
±20V	122uV	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2mV
±10V	12.2uV	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200uV
±5V	1.22uV	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20uV

2. 數(shù)據(jù)采集部分 VM （16位ADC，100K/S采樣速率）

1). 電壓測量(MV)

量程	分辨率	精度
±2000V	1.22mV	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20mV
±100V	122uV	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2mV
±10V	12.2uV	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200uV
±1V	1.22uV	±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20uV

2). 漏電流測量(MI)

量程	分辨率	精度
±100mA	30uA	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±30uA
±10mA	3uA	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±3uA
±1mA	300nA	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±300nA
±100uA	30nA	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±30nA
±10uA	3nA	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±10nA
±1uA	300pA	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±10nA
±100nA	30pA	±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±5nA

3. 高壓源 HVS(基本)16位DAC

1).加壓(FV)

量程	分辨率	精度
2000V/10mA	30.5mV	±0.5% 設(shè)定值+FullRange0.1%±500mV
200V/10mA	30.5mV	±0.5% 設(shè)定值+FullRange0.1%±500mV
40V/50mA	30.5mV	±0.5% 設(shè)定值+FullRange0.1%±500mV

2).加流(FI)：

量程	分辨率	精度
10mA	4.88uA	±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±10uA
2mA	488nA	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2uA
200uA	48.8nA	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±200nA
20uA	4.88nA	±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±20nA
2uA	488pA	±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±10nA

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