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Ce:YAG熒光片和LuAG:Ce熒光單晶片是利用YAG發(fā)光材料原理為高功率白光LED制造設(shè)計(jì)的Ce:YAG熒光晶體材料,取代Ce:YAG熒光陶瓷和Ce:YAG熒光透明陶瓷,適合制作LED貼片,SMD LED貼片。
Ce:YAG熒光單晶片專業(yè)為高功率白光LED而設(shè)計(jì)，對于藍(lán)光InGaN發(fā)射發(fā)光二極管的波長轉(zhuǎn)換而言,Ce:YAG單晶是一種智能,精準(zhǔn)和高效的白光LED熒光發(fā)光材料。由Ce:YAG熒光單晶制成的單晶片為高功率LED事業(yè)提供了***佳方案，其效率超過150LM/W，是單晶熒光粉末或多晶熒光粉的理想替代產(chǎn)品，也是Ce:YAG熒光陶瓷的有效替代品。

Ce:YAG熒光片是替代多晶YAG熒光片和透明熒光陶瓷的理想材料
Ce:YAG熒光單晶片主要特性*勢
* 后向散射少，自吸收少，*高的轉(zhuǎn)換效率，*大光強(qiáng)
熒光粉和多晶材料的顆粒邊界容易把光束散射到發(fā)光非有效方向，造成效率低下。而這種Ce:YAG熒光單晶片只需要克服一個邊界的影響，具有***少的寄生吸收。

* 產(chǎn)生熱量少，LED壽命長
Ce:YAG單晶熒光片具有*高的熱導(dǎo)率，可幫助芯片散熱。同時，芯片也不會經(jīng)受后向散射產(chǎn)生熱量，有助于降低LED芯片的老化，使得LED壽命*長。
* 熱穩(wěn)定性*，溫度淬滅少
與其它熒光粉相比，這種Ce:YAG單晶熒光片在相對高溫時也能產(chǎn)生*多的光，避免LED在gao端應(yīng)用中變暗，LED溫度淬滅*少。
* 質(zhì)量均勻可靠，*少的分選工作
Ce:YAG單晶熒光片具有穩(wěn)定的特性，LED制造企業(yè)不需要對其分選或分類，有助于提高生產(chǎn)效率，*化生產(chǎn)成本。
* 光譜范圍可變，色彩表現(xiàn)*佳
YAG:Ce單晶熒光片可被調(diào)諧到多個波長范圍，可制成產(chǎn)品覆蓋CT2700-6500K的范圍。
* *長的持久性
單晶Ce:YAG熒光屏具有良*的抗劃傷能力和抗熱退化能力，這種物理特性決定了這種熒光片不僅是LED芯片的理想轉(zhuǎn)換材料，同時也是LED理想的保護(hù)性材料。
* *價(jià)的經(jīng)濟(jì)性，使用成本*低
與熒光粉和多晶材料相比，這種單晶Ce:YAG熒光片具有*低的使用成本。
超高效率： 單晶YAG:Ce熒光片可以獲得***佳照明表現(xiàn)，可以把后向散射降到***小，使得發(fā)射效率***大化。
Ce:YAG單晶熒光片表面增加了微小凹坑，成為擴(kuò)散中心，產(chǎn)生的熒光光子*容易向上發(fā)射。
Ce:YAG單晶熒光片有效控制表面粗糙度，表面和邊緣平坦極大減少反射的光子，進(jìn)而提高發(fā)射效率。
精細(xì)熒光單晶片穿孔允許光子反彈到熒光片或小孔邊緣，豎直方向發(fā)射出去，提供光子激發(fā)效率。
LED用Ce:YAG晶體應(yīng)用
Ce:YAG單晶熒光片可以制成適合LED工業(yè)應(yīng)用的各種類型，為不含樹脂的高功率LED而設(shè)計(jì)。其中平板形熒光片和半圓形熒光片非常適合不同的LED使用。
Ce:YAG單晶熒光片非常適合拾放機(jī)器人操作，添加到單個或多個LED上。平板形或圓頂形熒光片提供了標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)，使得固定位置安裝極為方便。
 圓頂形熒光片和鏡片組成整體的高效組合           熒光片可被加工成帶有連接器（切口或針孔）的特定形狀

設(shè)計(jì)實(shí)例
Ce:YAG熒光片數(shù)據(jù)
熒光片尺寸可根據(jù)LED設(shè)計(jì)和物理特性而自由加工，生產(chǎn)尺寸范圍從十幾微米到毫米單位的大小。

Ce:YAG熒光片加工過程
標(biāo)準(zhǔn)LED熒光片尺寸是1x1mm截面積，250微米厚度，  半圓形熒光片：直徑為1.4mm
熒光粉 /夜光粉/ 閃爍粉---YAG:Ce和YAP:Ce
我們提供*質(zhì)進(jìn)口YAG:Ce和YAP:Ce熒光粉，這些熒光粉由高質(zhì)量閃爍體單晶直接加工而成。晶體顆粒均勻，在LED和液體閃爍技術(shù)中廣泛使用。比如，這種熒光粉可用于液相色譜法對14C和3H的檢測。
熒光粉顆粒規(guī)格：
   0 – 30 um
   30 – 50 um
   50 – 70 um
   70 – 90 um
       90 – 125 um
其他粒徑的規(guī)格可根據(jù)要求加工。顆粒表面可按用戶要求蝕刻，也可覆蓋鈍化層，防止背景增加。
其它熒光粉
P43 – GOS，P43 – Gd2O2S:Tb 是常用于X射線照相技術(shù)的發(fā)光磷光體材料，具有較高的原子量，發(fā)射峰值與光電二極管匹配。
Peak emission:         544 nm
Emission decay time:       1 ms
Zeff:          61.1
Density:   7.34 g/cm3

P47 , P47 – Y2SiO5:Ce是一種常用于電鏡上的熒光體材料。
Peak emission:         400 nm
Emission decay time:       100 ns
Zeff:          33
Density:   4.5 g/cm3

P46 – YAG，全稱YAG – Y3Al5O12:Ce， 是一種常用于探測X射線或紫外線已經(jīng)電子輻射的熒光體材料,  也常用于InGaN發(fā)光二極管。
Peak emission:         550 nm
Emission decay time:       60 ns
Zeff:          32.0
Density:   4.55 g/cm3