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            不同表面的金剛石薄膜上電荷的形成

            閱讀:606      發(fā)布時(shí)間:2020-10-16
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            金剛石薄膜具有不同的晶態(tài)(單晶、微晶、納米晶和超納米晶),是許多醫(yī)學(xué)和生物技術(shù)應(yīng)用的潛在候選者,如埋植劑的涂層,用于神經(jīng)元或生物傳感器活性部分的生長(zhǎng)和研究的平臺(tái)。這與它們優(yōu)異的力學(xué)性能、高的化學(xué)惰性和生物相容性有關(guān)。

            化學(xué)氣相沉積(CVD)制備的金剛石薄膜是端氫的。這導(dǎo)致了一定程度的疏水性,這是觀察到化學(xué)惰性的原因。因此,進(jìn)一步增加親水性或增加化學(xué)活性需要進(jìn)行表面改性。通過等離子體處理和光化學(xué)方法實(shí)現(xiàn)-OH或-NH2基團(tuán)的表面功能化。另一方面,等離子體氟化甚至?xí)黾颖砻娴氖杷?。zeta電位用來評(píng)價(jià)功能化程度,它反映了表面-水界面的電荷形成。

            圖1:流動(dòng)電勢(shì)測(cè)量示意圖

            圖2:Si晶片上經(jīng)過O2等離子體處理和SF6等離子體處理的UNCD薄膜的Zeta電位與pH的關(guān)系

            表1:圖2中未處理和等離子體處理后的UNCD表面zeta電位分析的關(guān)鍵指標(biāo)

            靈敏的流動(dòng)電勢(shì)測(cè)量技術(shù)是用于監(jiān)測(cè)表面活化等離子體處理或沉積方法,并確定各種表面終端或污染的技術(shù)

             

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