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真空鍍膜儀的基本原理
真空鍍膜儀主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空電阻加熱蒸發(fā)，電子槍加熱蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積，離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。
真空鍍膜儀主要用來在非導電材料表面蒸發(fā)或者濺射沉積納米導電薄膜，用來提高樣品的表面導電性能，同時由于厚度僅為幾個納米，可以很好保持樣品原始的表面形貌。
基本原理:
真空鍍膜過程簡單來說就是電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞,電離出大量的氬離子和電子,電子飛向基片.氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。
真空鍍膜就是以磁場束縛而延長電子的運動路徑,改變電子的運動方向,提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量.電子的歸宿不僅僅是基片,真空室內(nèi)壁及靶源陽極也是電子歸宿,因為一般基片與真空室及陽極在同一電勢.磁場與電場的交互作用(EXB drift)使單個電子軌跡呈三維螺旋狀,而不是僅僅在靶面圓周運動。