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            深圳市樂買宜電子有限公司

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            KC-2可控硅測試儀說明書

            時間:2013-8-18閱讀:697
            • 提供商

              深圳市樂買宜電子有限公司
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            KC-2型可控硅測試儀(全系列塑封可控硅、可控硅光耦測試儀)

              這是一款我在2005年一月研究設(shè)計完成的實用型多功能單、雙向可控硅和可控硅光電耦合器參數(shù)的

            半自動測試裝置,可以較準(zhǔn)確的測量全系列塑封可控硅、DIP-6/4封裝的各類可控硅光電耦合器、200A以下

            的螺銓型單雙向可控硅和各種封裝的可控硅模塊的基本參數(shù),詳細的介紹請看下面。

            KC-2型可控硅測試儀簡介

            一、概述

              KC-2型可控硅測試儀(又名:全系列塑封可控硅、可控硅光耦測試儀),是2005年研究設(shè)計成功的

            一種新穎的數(shù)字顯示式多功能半自動可控硅和可控硅光電耦合器參數(shù)測試裝置。

              1、它可以測量小至TO-92封裝大至TO-3P封裝的各種電流等級的塑封單、雙向可控硅(晶閘管)。

              2、專門設(shè)計了0-1O00uA的觸發(fā)電流量程,可以直接測量MCR100-6等微安級觸發(fā)電流的可控硅。

              3、可以測量DIP-6、DIP-4封裝的過零和非過零檢測可控硅輸出的光電耦合器和DIP-6封裝的單向可控

            硅輸出的光電耦合器。

              4、可以測量200A以下的螺銓型單、雙向可控硅和可控硅組合模塊。

              5、測試觸發(fā)電流和觸發(fā)電壓時無需人工調(diào)節(jié),可控硅插入測試座后儀器會自動的調(diào)節(jié)至觸發(fā)值,并穩(wěn)

            定的顯示觸發(fā)電流 IGT / 觸發(fā)電壓 VGT。

              6、測試可控硅耐壓參數(shù)時只需一次性調(diào)節(jié)好zui高輸出電壓值,以后每測一個管子只要按下高壓按鈕即

            可顯示該可控硅的耐壓值。

              該儀器主要用于可控硅使用廠家對可控硅元件的質(zhì)量檢驗、參數(shù)的配對、可控硅設(shè)備的維修之用。儀器

            還可以廣泛的應(yīng)用于對多種電子元器件的高低壓耐壓的測試。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測量準(zhǔn)確、使用安

            全方便。

            二、主要技術(shù)性能

              1、可控硅觸發(fā)電流IGT 測量范圍: 6—1000uA ,0—10.00mA, 0—100.0mA 精度:≤3 % 。

              2、可控硅觸發(fā)電壓VGT測量范圍: 0—5V, 精度:≤5 % 。

              3、可控硅光耦輸入端LED觸發(fā)電流IFT測量范圍:0—10.00mA, 0—100.0mA 精度:≤3 % 。

              4、可控硅光耦輸入端LED觸發(fā)電壓VFT測量范圍:0—3V 精度:≤5 % 。

              5、可控硅和可控硅光耦輸出端,正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM/VRSM測量范圍: 0—2KV精度:≤3 % 。

              6、可控硅和可控硅光耦輸出端,正反向重復(fù)峰值電壓VDRM/VRRM測量范圍: 0—1.6KV精度:≤5 % 。

            三、主要測試功能

              1、全系列單雙向塑封可控硅觸發(fā)電流IGT、觸發(fā)電壓VGT的測試,正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM / VRSM

            的測試,正反向重復(fù)峰值電壓VDRM / VRRM的測試。

              2、DIP-6、DIP-4封裝的過零和非過零檢測可控硅輸出的光電耦合器和DIP-6封裝的單向可控硅輸出的

            光電耦合器輸入LED端IFT / VFT的測試,輸出端可控硅正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM / VRSM的測試,正反向

            重復(fù)峰值電壓VDRM / VRRM的測試。

              3、電流在200A以內(nèi),VDSM / VRSM在2KV以內(nèi),觸發(fā)電流在120mA以內(nèi)的螺銓型單、雙向可控硅和可控硅

            組合模塊的觸發(fā)電壓IGT、觸發(fā)電流VGT的測試,正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM / VRSM的測試,正反向重復(fù)峰

            值電壓VDRM / VRRM的測試。

              4、2KV以內(nèi)的各類二極管、三極管、達林頓管、整流橋、MOS場效應(yīng)管、IGBT及各種模塊的耐壓測試。

              5、2KV以內(nèi)的壓敏電阻、穩(wěn)壓管、雙向觸發(fā)二極管等電壓值的測試。

             

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