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            GaSb晶體基片
            • GaSb晶體基片

            貨物所在地:安徽合肥市

            更新時(shí)間:2025-01-16 21:00:07

            瀏覽次數(shù):80

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            銻化鎵(GaSb)晶體基片


            產(chǎn)品名稱:銻化鎵(GaSb)晶體基片
            技術(shù)參數(shù):

            單晶:

            GaSb

            摻雜:

            none;None, high R;Zn;Te;Te, high R

            導(dǎo)電類型:

            P   P-    P+    N

            載流子濃度
            cm-3  :

            1-2x1017     1-5x1016     1-5x1018
            2-6x1017     1-5x1016

            位錯(cuò)密度
            cm-2  :

            <103

            生長方法及
            zui大尺寸 :

            LEC ? 3"

            產(chǎn)品規(guī)格:

            標(biāo)準(zhǔn)尺寸:<100>, dia2"x0.5mm, 單拋,

            表面粗糙度Ra:<15A              

            可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。

            標(biāo)準(zhǔn)包裝:1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝


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