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            VTC-2RF-等離子鍍膜設(shè)備
            • VTC-2RF-等離子鍍膜設(shè)備

            貨物所在地:安徽合肥市

            更新時間:2025-04-15 21:00:08

            瀏覽次數(shù):517

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            等離子鍍膜設(shè)備是一款小型的射頻(RF)等離子體磁控濺射鍍膜儀系統(tǒng),系統(tǒng)中包含了所有所需的配件,如300W(13.5MHz)的RF電源、2“的磁控濺射頭、石英真空腔體、真空泵和溫度控制器等。對于制作一些金屬薄膜及非金屬薄膜,它是一款物美價廉的實驗幫手。

            等離子鍍膜設(shè)備是一款小型的射頻(RF)等離子體磁控濺射鍍膜儀系統(tǒng),系統(tǒng)中包含了所有所需的配件,如300W(13.5MHz)的RF電源、2“的磁控濺射頭、石英真空腔體、真空泵和溫度控制器等。對于制作一些金屬薄膜及非金屬薄膜,它是一款物美價廉的實驗幫手。

            等離子鍍膜設(shè)備詳細說明

               VTC-2RF是一款小型的射頻(RF)等離子體磁控濺射鍍膜儀系統(tǒng),系統(tǒng)中包含了所有所需的配件,如300W13.5MHz)的RF電源、2"的磁控濺射頭、石英真空腔體、真空泵和溫度控制器等。對于制作一些金屬薄膜及非金屬薄膜,它是一款物美價廉的實驗幫手。
            我們用此設(shè)備得到擇優(yōu)取向的ZnO薄膜


            等離子鍍膜設(shè)備技術(shù)參數(shù)

            輸入電源

            • 220VAC 50/60Hz, 單相
            • 800W  (包括真空泵)

            等離子源

            一個300W,13.5MHz的射頻電源安裝在移動柜內(nèi)

            (點擊圖片查看詳細資料)

             

            磁控濺射頭

            • 一個 2英寸磁控濺射頭(帶有水冷夾層),采用快速接頭與真空腔體相連接
            • 靶材尺寸: 直徑為50mm,zui大厚度6.35mm
            • 一個快速擋板安裝在法蘭上(手動操作,見圖左3)
            • 濺射頭所需冷卻水:流速10ml/min(儀器中配有一臺流速為16ml/min的循環(huán)水冷機)
            • 同時可選配1英寸濺射頭

            真空腔體

            • 真空腔體:160 mm OD x 150 mm ID x  250mm H,采用高純石英制作
            • 密封法蘭:直徑為165 mm .  采用金屬鋁制作,采用硅膠密封圈密封
            • 一個不銹鋼網(wǎng)罩住整個石英腔體,以屏蔽等離子體
            • 真空度:10-3 Torr (采用雙極旋片真空泵)
            •         10-5 torr (采渦旋分子泵)

            載樣臺

            • 載樣臺可旋轉(zhuǎn)(為了制膜更加均勻)并可加熱
            • 載樣臺尺寸:直徑50mm (zui大可放置2英寸的基片)
            • 旋轉(zhuǎn)速度:1 - 20 rpm
            • 樣品的zui高加熱溫度為700℃,(短期使用,恒溫不超過1小時),長期使用溫度500℃
            • 控溫精度+/- 10℃

            真空泵

            可選用直聯(lián)式雙極旋片泵,也可選用德國制作的分子泵系統(tǒng)

               

            薄膜測厚儀

            • 一個精密的石英振動薄膜測厚儀安裝在儀器上,可實時監(jiān)控薄膜的厚度,分辨率為0.10 ?  
            • LED顯示屏顯示,同時也輸入所制作薄膜的相關(guān)數(shù)據(jù)

            外形尺寸

                          

            質(zhì)保和質(zhì)量認證

            • 一年質(zhì)保期,終生維護
            • CE認證

            使用注意事項

            • 這款2英寸的射頻濺射鍍膜儀主要是用于在單晶基片上制備氧化物膜,所以并不需要太高的真空度
            • 為了較好地排出真空腔體中的氧氣,建議用5%H2+95 %N2對真空腔體清洗,可有效減少真空腔體中的氧含量
            • 請用純度大于5N的Ar來進行等離子濺射,甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水,所以建議將鋼瓶中的惰性氣體通過凈化系統(tǒng)過后,再導入到真空腔體內(nèi)

             

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