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產(chǎn)品簡介
1、滿足能源之星2.0和5能效；
2、內(nèi)置NPN；
3、批量輸出電壓精度電流精度±5%
以內(nèi)；
4、保護功能齊，可靠性好；
5、滿足EN55022 ClassB EMI要求；
2、內(nèi)置NPN；
3、批量輸出電壓精度電流精度±5%
以內(nèi)；
4、保護功能齊，可靠性好；
5、滿足EN55022 ClassB EMI要求；
詳細介紹
芯片介紹：
FT838NB
5W充電器代理芯片F(xiàn)T838NB
FT838NB是適用于5V1A的充電器設計方案，適用于5W的充電器方案，電壓輸入范圍適用于世界各地，精簡的尺寸為更小巧的設計打下了基礎，且為過五能效以及滿足能源之星2.0，其空載電壓也是小于100mA，紋波也是控制在100mVp之下，保護功能齊，可靠性好，為充電器的穩(wěn)定性提供了保障，延長了充電器的使用壽命。
1) 交流輸入電壓范圍 90-264Vac 50/60Hz
2) 直流輸出 5V/1.0A
3) 滿足能源之星2.0和5能效的要求并有足夠的余量(板端數(shù)據(jù))
(實測平均效率在PCB 板端73.5%以上，能源之星2.0 標準是68.17%)
4) 滿足空載功耗小于100mW (實測70mW@230Vac)
5) 滿足EMI EN55022 Class B的要求，并有足夠的余量
6) zui大的輸出紋波小于100mVP-P
7) 系統(tǒng)批量生產(chǎn)保證輸出電壓精度在±5%以內(nèi)，輸出電流精度在±5% 以內(nèi)
8) 自恢復的短路保護和環(huán)路開路保護
深圳代理(索取更多方案資料技術及樣品提供）
FMD現(xiàn)推出了FT838MBD、FT839NB、FT839MB三種充電器方案
FT838MBD
1、高效率 ≥78.7% @115V/230V；
2、低待機功耗 ＜120mW；
3、輸出紋波噪音低 ＜80mV；
4、內(nèi)置MOS，DIP8封裝，IC溫升低，外圍元件少，成本低；
5、在五能效標準基礎上有充足的效率余量；
FT839NB
1、高效率，可滿足六能效標準；
2、低待機功耗＜80mW@264Vac；
3、輸出CV/CC精度 ＜±5%；
4、內(nèi)置NPN，外圍元件少，系統(tǒng)成本低；
5、保護功能齊，可靠性好；
6、滿足EN55022 ClassB EMI要求；
FT839MB
1、高效率，可滿足六能效標準；
2、低待機功耗＜80mW@264Vac；
3、輸出CV/CC精度 ＜±5%；
4、內(nèi)置MOS，SOP-8，外圍元件少，系統(tǒng)成本低；
5、保護功能齊，可靠性好；
6、滿足EN55022 ClassB EMI要求；
FT838NB內(nèi)置輸出線損補償，用戶可根據(jù)實際輸出導線情況選擇合適的芯片版本。FT838RNA主要應用于LED驅動應用。故無線損補償。
1、滿足能源之星2.0和5能效；
2、內(nèi)置NPN；
3、批量輸出電壓精度電流精度±5%
以內(nèi)；
4、保護功能齊，可靠性好；
5、滿足EN55022 ClassB EMI要求；
輸入電壓范圍： 90~264V
輸出電壓/電流： 5V/1.0A
尺寸： 54*32.5mm
典型效率： 74%
EMI： pass
空載待機功耗： <100mW
zui大輸出紋波： <120mVp-p
深圳代理(索取更多方案資料技術及樣品提供）
這款沆度集成的原邊反饋控制芯片包含了許多功能，內(nèi)置功率NPN開關，這些功能有效地提高了小功率的反激變換器性能，原邊反饋的拓撲結構簡化了電路設計，降低了物料成本，通過世馘 內(nèi)部的抖頻技術，使得EMI處理更加簡單，所以與傳統(tǒng)線性變壓器設計電路比較，產(chǎn)品成品體積小，重量輕。
這款原邊反饋控制芯片工作在脈沖頻率調制(PFM）模式下，負載越輕頻率越小，所以轉載系統(tǒng)的功耗很小，F(xiàn)T838NB啟動電流zui大為5UA，所以可以使用很大啟動電阻從而提高了節(jié)能效果。
這款原邊控制芯片同時也提供了非常多的保護功能。FB引腳配置了輸入欠壓鎖定。每周期的電流限制和恒流控制保證了在重載下的過流保護。另外，芯片能快速 關斷，當異常狀況解除后能及時重啟。通過使用這款原邊反饋的芯片，充電器（或適配器，LED驅動電源）能夠用很少的外圍器件和zui低的成本實現(xiàn)恒壓的恒流的 功能。
芯片版本與管腳定儀
芯片版本 線損補償比例
FT838NB0 0%
FT838NB1 3%
FT838NB2 6%
FT838NB3 9%
FT838RNA N/A