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基于半導體材料的量子光學設計在量子密碼學以及量子通訊應用及研究中發(fā)揮著越來越重要的作用。在本應用文檔中，我們將介紹砷化鎵的激子化激元以及砷化銦量子點的光譜學測量。所有的實驗都是在4~60K的制冷溫度下進行的。

相對于光之間直接作用，電控制光學器件顯得非常的簡單。因此，在量子光學中，依然通過把光變?yōu)殡娦盘柣蛘邔㈦娦盘栕優(yōu)楣鈦硌芯科淞孔犹匦浴?/span>

現(xiàn)在通常認為量子的發(fā)射是基于激子化激元或者半導體量子點的。在*種情況下，一個窄量子阱與周圍的空穴之間的相互作用產生光的奇特態(tài)，并且發(fā)射的光子可能是糾纏的。在第二種情況下，一個真正的，按需糾纏的光子源是可以實現(xiàn)的。我們采用光譜測量的方法，來得到相關的物理參數(shù)。

在實驗中采用脈沖鈦寶石激光器，空間光調制器，5K低溫制冷機，收集光路以及Andor SR750光譜儀以及 Andor DU934 深耗盡型CCD。在化實驗中，為了能夠測試內部空穴的特性，采用光纖收集反射或者透射的光。而在量子點的實驗中，收集的是量子點的發(fā)光。通過光纖，我們可以選擇不同的空間點進行收集。