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半導(dǎo)體分立器件測試儀報(bào)價(jià)半導(dǎo)體分立器件測試儀報(bào)價(jià) 型號:VV522-CS2935庫號：M398111   查看hh

半導(dǎo)體分立器件測試儀CS2935

一、產(chǎn)品特點(diǎn)：

測試品種覆蓋面廣、測試精度高、電參數(shù)測試全、速度快、有良好的重復(fù)性和一致性、工作穩(wěn)定，具有保護(hù)系統(tǒng)和被測器件的能力。測試儀由計(jì)算機(jī)操控，測試數(shù)據(jù)可存儲打印。除具有點(diǎn)測試功能外，還具有曲線掃描功能（圖示儀功能）。系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定、硬件故障率低，在實(shí)際測試應(yīng)用中各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均可達(dá)到器件手冊技術(shù)指標(biāo)及國標(biāo)要求。

二、測試參數(shù)

1． 二極管

VF、IR、BVR

2． 穩(wěn)壓（齊納）二極管

VF、IR、BV Z

3． 晶體管 Transistor（NPN型/PNP型）

VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON

4． 可控硅整流器（晶閘管）

IGT、VGT、 IH、IL 、VTM

5． 場效應(yīng)管

IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS

6． 光電耦合器

VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT

*7．三端穩(wěn)壓器

VO、SV、ID、IDV

被測器件圖形

三、測試參數(shù)范圍

晶體管

測試參數(shù)

測試范圍

ICEO

ICBO

IEBO

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VCE(sat)

VBE(sat)

0.10V-30V

VBE(VBE(on))

0.10V-30V

hFE

1－99999

V(BR)EBO

0.10V-30V

V(BR)CEO

V(BR)CBO

0. 10V-50V

50V-1499V

二極管

測試參數(shù)

測試范圍

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VF

0.10V-30V

V(BR)

1V-50V

50V-1499V

穩(wěn)壓二極管

測試參數(shù)

測試范圍

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VF

0.10V-30V

VZ

0.10V-50V

三端穩(wěn)壓器

測試參數(shù)

測試范圍

VO

0.10V-30V

SV

0.10mV-1V

ID

1uA-10mA

IDV

1uA-10mA

MOSFET

測試參數(shù)

測試范圍

VGS(th)

0.10V-30V

gfs

0.1mS-1000S

RDS(on)

10mΩ-100KΩ

VDS(on)

0.10V-50V

IGSS

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

IDSS

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

ID(on)

0-50A

V(BR)GSS

0.1V-30V

V(BR)DSS

0.1V-1499V

光耦

測試參數(shù)

測試范圍

VF

0.10V-30V

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VCE(sat)

0.10V-50V

CTR

0.1%-1000%

ICEO

與IR參數(shù)相同

V(BR)ECO V(BR)CEO

0.10V-50V

50V-1499V

可控硅

測試參數(shù)

測試范圍

IGT

10uA-200mA

VGT

0.10V-30V

IH

10uA-1A

IL

10uA-1A

VTM

0.10V-50V

四、技術(shù)指標(biāo)

1、源的指標(biāo)

主極壓流源 (VA)

電壓：

設(shè)定范圍（V）

度

±(0~10)

±(14.6mV+0.5%set)

±(10~50)

±(73.2mV+0.5%set)

電流：

測量范圍

度

±(0-50)uA

±(244nA+0.5% set)

±(50-500) uA

±(2.44uA+0.5% set)

±(0.5-5) mA

±(24.4uA+0.5% set)

±(5-50) mA

±(244uA+0.5% set)

±(50~500) mA

±(2.44mA+0.5%set)

±(0.5~5)A（脈沖）

±(24.4mA+0.5%set)

±(5-50)A（脈沖）

±(244mA+0.5%set)

壓流源 (VB)

電壓：

設(shè)定范圍（V）

度

±(0~10)

±(14.6mV+0.5%set)

±(10~30)

±(43.8mV+0.5%set)

電流：

測量范圍

度

±(0-50)uA

±(244nA+0.5% set)

±(50-500) uA

±(2.44uA+0.5% set)

±(0.5-5) mA

±(24.4uA+0.5% set)

±(5-50) mA

±(244uA+0.5% set)

±(50~500) mA

±(2.44mA+0.5%set)

±(0.5~5)A（脈沖）

±(24.4mA+0.5%set)

±(5-50)A（脈沖）

±(244mA+0.5%set)

高壓源（HV）

設(shè)定范圍（V）

度

0~1500

±(1.22V+1%set)

*1500V時大輸出為5mA。

2、電壓表的指標(biāo)

測漏電流

測量范圍

度

±(0~200)nA

±(2.44nA+0.5% Rdg)

±(0.2-2)uA

±(24.4nA+0.5% Rdg)

±(2-20)uA

±(244nA+0.5% Rdg)

±(20~200) uA

±(2.44uA+0.5% Rdg)

±(0.2~2)mA

±(24.4uA+0.5% Rdg)

±(2-20)mA

±(244uA+0.5% Rdg)

測試電壓

設(shè)定范圍（V）

度

±(0~10)

±(3mV+0.5% Rdg)

±(10~50)

±(15mV+0.5% Rdg)

測擊穿電壓

設(shè)定范圍（V）

度

（0~50）V/10mA

±(36.6mV+0.25% Rdg)

（50~1500）V/1mA

±(610.3mV+1% Rdg)

放大倍數(shù)

設(shè)定范圍（V）

度

1~9999

1%