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            上海茂碩機(jī)械設(shè)備有限公司
            中級(jí)會(huì)員 | 第15年

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            詳細(xì)分享油泵介質(zhì)損耗試驗(yàn)方法及原理

            時(shí)間:2023/5/5閱讀:771
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            一、介質(zhì)損耗試驗(yàn)概述:


                  任何絕緣材料在電壓作用下,總會(huì)流過(guò)一定的電流,所以都有能量損耗,把在電壓作用下電介質(zhì)產(chǎn)生的一切損耗稱(chēng)為介質(zhì)損耗。
                  由于直流電壓下電介質(zhì)中的損耗主要是漏導(dǎo)損耗,用絕緣電阻或漏導(dǎo)電流就足以充分表示了,所以在交流電壓下引入介質(zhì)損耗,它表示在交流電壓作用下有功電流和無(wú)功電流的比值。介質(zhì)損耗只與材料特性有關(guān),而與材料尺寸、體積無(wú)關(guān)的物理量。


            二、試驗(yàn)儀器的選擇及試驗(yàn)方法:


            2.1試驗(yàn)時(shí)使用的儀器
            自動(dòng)介損測(cè)試儀、QS1型西林電橋
            2.2試驗(yàn)方法
            2.2.1 QS1型西林電橋
            2.2.1.1技術(shù)特性
            QS1型電橋的額定工作電壓為10kV,tgδ測(cè)量范圍是0.5%~60%,
            試品電容Cx是30pF~0.4μF(當(dāng)CN為50pF時(shí))。
                  該電橋的測(cè)量誤差是:tgδ=0.5%~3%時(shí),絕對(duì)誤差不大于±0.3%;tgδ=3%一60%時(shí),相對(duì)誤差不大于±10%。被試品電容量CX的測(cè)量誤差不大于±5%。如果工作電壓高于10kV,通常只能采用正接線法并配用相應(yīng)電壓的標(biāo)準(zhǔn)電容器。
                  電橋也可降低電壓使用,但靈敏度下降,這時(shí)為了保持靈敏度,可相應(yīng)增加CN的電容量(例如并聯(lián)或更換標(biāo)準(zhǔn)電容器)。
                  2.2.1.2接線方式1.正接線法。所謂正接線就是正常接線,如圖一,在正接線時(shí),橋體處于低壓,操作安全方便。
                  因不受被試品對(duì)地寄生電容的影響,測(cè)量準(zhǔn)確。但這時(shí)要求被試品兩極均能對(duì)地絕緣(如電容式套管、耦合電容器等),由于現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備外殼幾乎都是固定接地的,故正接線的采用受到了一定限制。


            2.反接線法:


                  反接線適用于被試品一極接地的情況,故在現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用較廣。這時(shí)的高、低電壓端恰與正接線相反,因而稱(chēng)為反接線。在反接線時(shí),電橋體內(nèi)各橋臂及部件處于高電位。
                  所以在面板上的各種操作都是通過(guò)絕緣柱傳動(dòng)的。此時(shí),被試品高壓電極連同引線的對(duì)地寄生電容將與被試品電容Cx并聯(lián)而造成測(cè)量誤差,尤其是Cx值較小時(shí)更為顯著。
            3、對(duì)角接線:
                  當(dāng)被試品一極接地而電橋又沒(méi)有足夠絕緣強(qiáng)度進(jìn)行反接線測(cè)量時(shí),可采用對(duì)角接線,在對(duì)角接線時(shí),由于試驗(yàn)變壓器高壓繞組引出線回路與設(shè)備對(duì)地(包括對(duì)低壓繞組)的全部寄生電容均與Cx并聯(lián),給測(cè)量結(jié)果帶來(lái)很大誤差。
                  因此要進(jìn)行兩次測(cè)量,一次不接被試品,另一次接被試品,然后按式(3-1)計(jì)算,以減去寄生電容的影響。
            tgδ=(C2 tgδ2-C1 tgδ1)/(C2-C1)  (3-1)
                              CX=(C2-C1)                      (3-2)
            式中 tgδ1——未接人被試品時(shí)的測(cè)得值;
            tgδ2——接人被試品后的測(cè)得值;
            C1——未接人被試品時(shí)測(cè)得的電容;
            C2——接人被試品后測(cè)得的電容。
                  這種接線只有在被試品電容遠(yuǎn)大于寄生電容時(shí)才宜采用。用QSI型電橋作對(duì)角線測(cè)量時(shí),還需將電橋后背板引線插頭座拆開(kāi),將D點(diǎn)的輸出線屏蔽與接地線斷開(kāi),以免E點(diǎn)與地接通將R3短路。
                  此外,在電橋內(nèi)裝有一套低壓電源和標(biāo)準(zhǔn)電容器,供低壓測(cè)量用,通常用來(lái)測(cè)量壓(100V)大容量電容器的特性。當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)電容CN=0.001μF時(shí),試品電容 Cx的范圍是300pF~10μF;當(dāng)CN=0.01μF時(shí),CX的范圍是3000pF~100μF。tgδ的測(cè)量精度與高壓測(cè)量法相同,Cx的誤差應(yīng)不大于±5%。
            2.2.2數(shù)字式自動(dòng)介損測(cè)量?jī)x:
                  數(shù)字式介損測(cè)量?jī)x的基本原理為矢量電壓法。數(shù)字式介損型測(cè)量?jī)x為一體化設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),內(nèi)置高壓試驗(yàn)電源和BR26型標(biāo)準(zhǔn)電容器,能夠自動(dòng)測(cè)量電氣設(shè)備的電容量及介質(zhì)損耗等參數(shù),并具備先進(jìn)的于擾自動(dòng)抑制功能,即使在強(qiáng)烈電磁干擾環(huán)境下也能進(jìn)行精確測(cè)量。
                  電通過(guò)軟件設(shè)置,能自動(dòng)施加 10、5kV或2kV測(cè)試電壓,并具有完善的安全防護(hù)措施。能由外接調(diào)壓器供電,可實(shí)現(xiàn)試驗(yàn)電壓在l~10kV范圍內(nèi)的任意調(diào)節(jié)。當(dāng)現(xiàn)場(chǎng)干擾特別嚴(yán)重時(shí),可配置45~60HZ異頻調(diào)壓電源,使其能在強(qiáng)電場(chǎng)干擾下準(zhǔn)確測(cè)量。
                  數(shù)字式自動(dòng)介損測(cè)量?jī)x為一體化設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),使用時(shí)把試驗(yàn)電源輸出端用專(zhuān)用高壓雙屏蔽電纜 滯插頭及接線掛鉤)與試品的高電位端相連、把測(cè)量輸人端(分為“不接地試品" 和“接地試品"兩個(gè)輸入端)用專(zhuān)用低壓屏蔽電纜與試品的低電位端相連,即可實(shí)現(xiàn)對(duì)不接地試品或接地試品(以及具有保護(hù)的接地試品)的電容量及介質(zhì)損耗值進(jìn)行測(cè)量。
                  測(cè)量時(shí)根據(jù)試品的接地狀況選擇正接線。在有干擾時(shí)應(yīng)設(shè)法排除以保證測(cè)量結(jié)果的可靠性,試驗(yàn)前應(yīng)將設(shè)備的表面清理干凈。
            三、試驗(yàn)結(jié)果的分析判斷:


            (1)tgδ值于歷年的數(shù)值比較不應(yīng)有顯著變化(一般不大于30%)

            (2)試驗(yàn)電壓如下:

            繞組電壓10kV及以上    10kV

            繞組電壓10kV以下      Un


            四、注意事項(xiàng):
            1測(cè)量按試驗(yàn)時(shí)使用的儀器的有關(guān)操作要求進(jìn)行。
            2應(yīng)采取適當(dāng)?shù)拇胧┫妶?chǎng)及磁場(chǎng)干擾,如屏蔽法、倒相法、 移相法。
            3非被試?yán)@組應(yīng)接地或屏蔽。
            4盡量使每次測(cè)量的溫度相近。
            5應(yīng)注意測(cè)試高壓線對(duì)地的絕緣問(wèn)題


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