歐盟第七研發(fā)框架計劃（FP7）信息通訊技術(shù)（ICT）主題資助850萬歐元的研發(fā)項目HELIOS“互補金屬氧化物半導(dǎo)體的光電子功能集成”,在近期的研究過程中取得了重大的創(chuàng)造性突破。由法國原子能委員會電子與信息技術(shù)實驗室（CEA-Leti）科研人員領(lǐng)導(dǎo)的，歐盟成員國法國、英國和比利時科技人員共同參與的研究團隊，研發(fā)出世界上*個硅基材料可調(diào)諧發(fā)射器，從而邁出了整體集成硅基發(fā)射/接收器（Tranceivers）的關(guān)鍵一步。研究結(jié)果在近日美國洛杉磯舉行的“2012光纖通訊大會”上，正式對外宣布。
硅光子學(xué)是一項功能強大的新興技術(shù)學(xué)科，硅光子學(xué)具備大規(guī)模制造互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOSs）光子器件的潛力，但光子器件制作目前因技術(shù)的缺乏而造價昂貴。此外，硅光子學(xué)的另一項重要障礙，是作為CMOSs基本材料的硅基光子源，制約了硅光子學(xué)的進一步發(fā)展。
研究團隊的科研人員首先研制出一臺新型調(diào)節(jié)器，利用該調(diào)節(jié)器制作出單一波長的可調(diào)諧激光器，20攝氏度溫度下的臨界電流20mA，調(diào)諧幅度45nm，超過調(diào)諧范圍的側(cè)模壓抑率（Side Mode Suppression Ratio）大于40dB。然后，科研人員將主動發(fā)光源必須的CMOS III-V型材料嵌入到一個硅晶片上，進行同時加工處理，如此，兩項加工一次性處理完成。盡管加工過程中仍然采用傳統(tǒng)的CMOS加工工藝，但新方法可以同時直接將主動發(fā)光源嵌入到硅晶片上。
科研人員在硅基材料上集成可調(diào)諧激光器、調(diào)節(jié)器和被動波導(dǎo)的能力，開辟了進一步開發(fā)硅基發(fā)射/接收器的有效途徑，從而滿足各方面的需求：大城市群網(wǎng)絡(luò)、互聯(lián)網(wǎng)接入、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、高性能計算機、以及光互聯(lián)，實現(xiàn)光通訊的*變革。
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