從匈牙利Semilab公司引進，主要應(yīng)用于半導(dǎo)體/光電/光伏材料（單晶/多晶硅片及硅錠）的工藝控制及測試手段。通過測量少子壽命，可做出晶體生長及工藝過程引入的缺陷圖及硅片中的Fe元素污染圖。儀器主要功能有微波光電導(dǎo)衰減法測少子壽命，光誘導(dǎo)電流測試，無接觸方塊電阻測試，渦流場體電阻率測試，F(xiàn)e元素含量測試。
: 李 :
少子壽命測試儀（WT-2000型）
一、少子壽命測試儀儀器簡介:
從匈牙利Semilab公司引進，主要應(yīng)用于半導(dǎo)體/光電/光伏材料（單晶/多晶硅片及硅錠）的工藝控制及測試手段。通過測量少子壽命，可做出晶體生長及工藝過程引入的缺陷圖及硅片中的Fe元素污染圖。儀器主要功能有微波光電導(dǎo)衰減法測少子壽命，光誘導(dǎo)電流測試，無接觸方塊電阻測試，渦流場體電阻率測試，F(xiàn)e元素含量測試。
二、儀器的主要技術(shù)指標:
1. 微波光電導(dǎo)衰減法測少子壽命:
1.1 壽命測試范圍：0.1 us – 30 ms
1.2 測試分辨率：0.1%
1.3掃描分辨率：0.5,1,2,4,8,16mm
1.4 樣品的電阻率范圍：0.1 – 1000 ΩCM
1.5 測試光點直徑：1mm
1.6 測試速度：30ms/數(shù)據(jù)點
1.7 zui大測試點數(shù)：超過360000
1.8激光源波長：904nm
1.9光源脈沖寬度：200ns,fall time 10ns
2. 光誘導(dǎo)電流測試
2.1 掃描區(qū)域：zui大210 ? 210 mm
2.2 測試電流范圍：1 uA – 1mA
2.3 光源波長：403，880，950，980 nm
2.4 選加功能：硅片，電池的上述激光波長反射率掃描，電池的IQE，EQE掃描
2.5 通過兩個以上的激光器，可以計算少數(shù)載流子的擴散長度
3. 方塊電阻測試:
無接觸方塊電阻測試功能，以取代傳統(tǒng)的四探針
3.1 可測試樣品：np or pn structure
3.2 測試范圍：10 Ω/sq to 1000Ω/sq
3.3 測試分辨率：2%
3.4 掃描分辨率：10mm
3.5 測試精度：< 3%
3.6 測試重復(fù)性：< 1%
4. 體電阻率掃描:
渦流場測試，無接觸，無損傷測試
4.1 測試范圍：0.5 – 20 ΩCM
4.2 測試精度： 3-6 %
4.3 測試重復(fù)性： 2%
4.4 探頭直徑：5 mm
5. p型硅樣品，范圍：Fe含量1.0E10至1.0E15atom/cm3
