掃描電化學(xué)顯微系統(tǒng)（SECM）

交流掃描電化學(xué)顯微鏡系統(tǒng)（ac-SECM）

間歇接觸掃描電化學(xué)顯微鏡系統(tǒng)（ic-SECM）

微區(qū)電化學(xué)阻抗測試系統(tǒng)(LEIS)

掃描振動點擊測試系統(tǒng)（SVET）

電解液微滴掃描系統(tǒng)（SDS）

交流電解液微滴掃描系統(tǒng)（ac-SDS）

掃描開爾文探針測試系統(tǒng)（SKP）

非觸式微區(qū)形貌測試系統(tǒng)（OSP）

出色的性能

快速精準的閉環(huán)定位系統(tǒng)為電化學(xué)掃描探針納米級研究的需求而特別設(shè)計。結(jié)合Uniscan *的混合型32-bit DAC技術(shù)，用戶可以選擇合適實驗研究的*配置

優(yōu)良和靈活的工作平臺

系統(tǒng)可提供9種探針技術(shù)，使得M470成為zui靈活的電化學(xué)掃描灘鎮(zhèn)工作平臺。

全面的附件

7種模塊可選，3種不同電解池，各式探針，長距顯微鏡以及后處理數(shù)據(jù)分析軟件。

M470新產(chǎn)品特征

SECM自動處理曲線

SECM用戶自定義處理曲線步長變化

高分辨率讀取

手動或自動調(diào)節(jié)相位

M470同時具備如下特點：

傾斜校正

X或Y曲線相減（5階多項式）

2D或3D快速傅里葉變化

實驗，探針移動和區(qū)域繪圖的自動排序

圖形實驗測序引擎（GESE）

支持多區(qū)域掃描

所有實驗多個數(shù)據(jù)視圖

峰值分析

M470是由Uniscan儀器開發(fā)的第四代掃描探針系統(tǒng)，具有更高規(guī)格和更多探針技術(shù)。

M470技術(shù)參數(shù)

工作站（所有技術(shù)）

掃描范圍（x,y,z）           大于100nm

掃描驅(qū)動分辨率              9.76nm

閉環(huán)定位                    線性零滯后編碼器，直接實時讀出x,z和y位移

軸分辨率（x,y,z）            20nm

zui大掃描速度                 10mm/s

測量分辨率                   32-bit*@高達40MHz

壓電（ic-和ac-掃描探針技術(shù)）

振動范圍                20nm~ 2μm峰與峰之間1nm增量

zui小振動分辨率          0.12nm(16-bit DAC,4μm)

壓電晶體伸展            100μm

定位分辨率              0.09nm(20-bit DAC ,100μm)

機電

掃描前端                500×420×675mm(H×W×D)

掃描控制單元            275×450×400mm(H×W×D)

功率                    250W