納米粒子發(fā)生器

VSP-G1 是桌面式的納米氣溶膠粒子發(fā)生器，可產生 0~20nm 的納米氣溶膠，可適用于 60 多種元素的導電材料，可用于制備：納米金屬、合金、氧化物，部分半導體及碳材料。

VSParticle 全自動納米研究平臺

沉積配件

擴散配件：利用小擴散作用收集分散性良好的納米粒子，可支持多種二維材料基底表面的單分散或低覆蓋率沉積

過濾配件：利用靜電吸附及攔截作用，可將納米氣溶膠粒子沉積在基底表面及內部，可支持多孔材料基底的高覆蓋率沉積

沖壓配件：將納米氣溶膠通過泵的作用沉積在基底表面，可得到多孔層狀材料，可應用于局部沉積及形狀打印

VSParticle 全自動納米研究平臺規(guī)格

1. 基于火花放電技術的氣溶膠發(fā)生器，基于物理法產生納米氣溶膠，無雜質與模板劑

2. 智能化操作，只需控制三個按鈕即可完成全自動運行

3. 常溫常壓工作環(huán)境，火花溫度 20000K

4. *普適性，適用于 60 多種元素的導電材料的氣溶膠生成，靶材可向多數(shù)濺射靶材生產商定制

5. 典型氣溶膠顆粒粒徑：0~20nm

6. 多接口多氣路，可與其他設備形成有效聯(lián)用

應用

粉末包覆

VSP-PC 可利用 VSP-G1 產生的納米粒子對常規(guī)的粉末材料進行表面點綴與包覆，可實現(xiàn)多批次簡單包覆和單批次大量包覆。

3D 打印

利用 VSP-P1 可在各種基底表面進行大比表面積材料沉積，構造結構材料，可應用于電路印刷，傳感器制造等。

粒徑篩選

利用 VSP-S1 可對 G1 產生的氣溶膠進行精準篩選，并將單分散粒徑的顆粒沉積在基底表面。目前可實現(xiàn) 0~10 nm 之內的顆粒篩選，精度 0.5nm。