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            目錄:瑞典百歐林科技有限公司>>KSV NIMA LB膜分析儀>>LB膜分析儀>> KSV NIMA roll to roll 柔性LB膜制備系統(tǒng)

            KSV NIMA roll to roll 柔性LB膜制備系統(tǒng)
            • KSV NIMA roll to roll 柔性LB膜制備系統(tǒng)
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            參考價 面議
            具體成交價以合同協(xié)議為準
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            • 品牌 其他品牌
            • 型號
            • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
            • 所在地 上海市
            屬性

            應用領域:化工

            >

            更新時間:2025-03-25 10:30:17瀏覽次數(shù):686評價

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            KSV NIMA Langmuir和Langmuir-Blodgett膜分析儀用于制備和表征具有可控堆積密度的薄膜。當我們需要以半連續(xù)的沉積程序來制備超大面積的薄膜時,可以使用這種特殊的KSV NIMA roll to roll 柔性 LB膜制備系統(tǒng)。

            KSV NIMA Langmuir和Langmuir-Blodgett膜分析儀用于制備和表征具有可控堆積密度的薄膜。當我們需要以半連續(xù)的沉積程序來制備超大面積的薄膜時,可以使用這種特殊的KSV NIMA roll to roll 柔性 LB膜制備系統(tǒng)。


            納米材料薄膜涂層制備


            使用納米顆粒材料制備的涂層和薄膜在各種產(chǎn)品和應用中越來越受到人們的重視和使用,如顯示器、傳感器、醫(yī)療器械、儲能材料和能量采集材料等。成功制備出能同時滿足堆積密度、分子取向、膜厚度等多參數(shù)要求的均一涂層成為了*的科研挑戰(zhàn)。

            而解決這種納米顆粒薄膜涂層制備的一類精密技術(shù)就是KSV NIMA 的Langmuir-Blodgett (LB) 技術(shù)和 Langmuir-Schaefer (LS) 技術(shù)。


            技術(shù)優(yōu)勢


            KSV NIMA Langmuir膜分析儀可以在液-氣界面制備單分子層,而KSV NIMA Langmuir Blodgett膜分析儀可以在液-氣界面處形成單分子層,然后將該層作為涂層轉(zhuǎn)移到固體基質(zhì)上。Langmuir和Langmuir-Blodgett技術(shù)具有*的優(yōu)勢,它們在被廣泛應用于研究一些基本的科學問題。 這些優(yōu)點包括:


            • 精確控制分子堆積密度

            • 精確控制涂層厚度

            • 在大面積上均勻沉積

            • 可制備具有不同層結(jié)構(gòu)的多層結(jié)構(gòu)

            • 可使用不同種類的顆粒和基材,具有高度的靈活性

            • 在沉積之前可以預先監(jiān)控涂層質(zhì)量


            KSV NIMA 柔性LB膜制備系統(tǒng)


            KSV NIMA Langmiur和Langmuir-Blodgett膜分析儀是制備和研究單分子層的首要工具?;?0年來研究Langmuir膜累積得到的專業(yè)知識和經(jīng)驗,KSV NIMA 膜分析儀系統(tǒng)已成為一款多用途、功能強大的儀器,可以幫助您獲得高質(zhì)量數(shù)據(jù)。該系統(tǒng)設計非常靈活和堅固,可以確保超高質(zhì)量的結(jié)果。當我們需要以半連續(xù)的沉積程序來制備超大面積的薄膜時,可以使用一種特殊的KSV NIMA 柔性 LB膜制備系統(tǒng)。


            操作原理

            如上圖所示,在柔性膜制備過程中,柔性基材被連續(xù)地輸送入槽體,在槽體中穿過單層納米顆粒或其他材料。通過對沉積參數(shù)進行精確控制,能夠快速地沉積大面積的均勻薄膜。柔性基材的運動由計算機控制的電動輥推動。在此過程中,超靈敏度的微量天平實時監(jiān)測納米顆粒的堆積密度。

            特點與優(yōu)勢

            質(zhì)量

            • 單個固體PTFE槽(包括浸漬井)可以輕松清潔,沒有任何膠水或涂層污染。

            • 可調(diào)支架、槽頂定位銷、限位開關和溢流通道確保系統(tǒng)的安全可靠使用。支架可以很容易地移除來與顯微鏡集成。

            • 集成所有高精度部件的外殼一體化設計,堅固耐用。

            • KSV NIMA廣泛的知識和應用支持團隊讓您可以充分利用您的儀器-與當?shù)睾献骰锇楹凸こ處熀献鳌?/span>

            可用性

            • 采用超靈敏的壓力傳感器,使用標準Wilhelmy白金板方法進行表面壓力感應。可選用一次性紙板來避免清潔或在有限空間內(nèi)使用高質(zhì)量鉑金棒。

            • 功能強大的KSV NIMA LB軟件將所有控制和數(shù)據(jù)分析集成到同一軟件中,包括不同的表征工具。

            • 所有的槽都帶有集成的溫度控制通道,可以方便地與獨立恒溫水浴一起使用。

            多功能性

            • 專門的表征工具可以保證在涂層之前和涂層工藝之后的漂浮薄層質(zhì)量。

            • 采用簡單的槽體和滑障放置的開放式模塊化設計,便于與特征化系統(tǒng)集成,可升級并易于清潔零件。

            • 同時允許在液-液界面處進行研究,并且可以使用交替系統(tǒng)在單個實驗中對兩種不同材料自動進行交替鍍膜。

            • 提供各種配件如pH探頭、不同尺寸的Wilhelmy板、注射口等


            應用概述

            KSV NIMA Langmuir和Langmuir-Blodgett膜分析儀可用于制備高度復雜的有序薄膜。 這些應用包括:

            • 用納米顆粒制備功能性涂層(改變例如潤濕性、反射性、生物相容性、導電性、結(jié)合性質(zhì)等)

            • 在空氣-緩沖液界面處形成模型細胞膜,研究毒素或藥物對細胞膜的影響

            • 形成用于研究聚合物交聯(lián)、穩(wěn)定性、降解等的聚合物薄膜

            • 用多組分結(jié)構(gòu)構(gòu)建復雜的傳感器表面

            • 研究兩親分子的相互作用、吸附、解吸、界面穩(wěn)定性和結(jié)構(gòu)

            • 界面流變學研究,以確定薄膜的穩(wěn)定性、相變或反應

            通常用于薄膜制作的材料包括:

            • 納米顆粒(聚合物,陶瓷,金屬)和石墨烯

            • 脂質(zhì)體和磷脂

            • 聚合物和低聚物

            • 蛋白質(zhì),多肽和其他生物聚合物

            • 量子點

            • 表面活性劑、乳液、膠體

            • 其他兩親性分子


            軟件

            KSV NIMA LB軟件是制備涂層和研究Langmuir薄膜的強大工具。 基于30年的經(jīng)驗,KSV NIMA LB軟件包含有效和簡便的測量和數(shù)據(jù)處理所需的所有工具。

            多功能測試模式使得測量涵蓋從浸漬到壓縮等溫線、吸附研究和界面流變學。 該軟件將整個測量設置與結(jié)果一起保存,便于分析。 所有數(shù)據(jù)都可以根據(jù)需要輕松查看、繪圖、報告和導出。

            測試功能包括:

            • 用于沉積材料層的鍍膜模式,包括鍍膜效果參數(shù)轉(zhuǎn)移比,在整個浸漬過程中保持堆積密度恒定

            • 壓縮/弛豫等溫線,用于分子相互作用和相變

            • 等溫等壓線,通過自動保持壓力穩(wěn)定并跟隨溫度/面積變化

            • 單分子層動力學,用于酶、聚合或任何其他零級反應

            • 酶、蛋白質(zhì)、肽和類似分子的吸附和滲透

            • 采用滑障振蕩法測試界面流變學,用于Langmuir膜的粘彈性研究、乳液或泡沫穩(wěn)定性等

            • 集成的KSV NIMA表征工具功能,便于集成如與KSV NIMA 小型布魯斯特角顯微鏡· MicroBAM聯(lián)用時基于表面壓力的自動圖像記錄


            應用實例

            納米顆粒、石墨烯和氧化石墨烯涂層

            LB和LS技術(shù)提供了制備高度有序堆積的納米顆粒薄膜的平臺。 這些涂層具有特殊功能,可用于新的應用。

            在KSV NIMA中型槽上使用Langmuir-Blodgett技術(shù)沉積在石英基底上的單分子層200nm直徑聚苯乙烯納米球。 (a)單分子層的AFM圖像,(b)同一圖像的傅立葉變換,表明采用該技術(shù)可實現(xiàn)優(yōu)異的結(jié)晶度。Copyright Dr. Alaric Taylor

            浸漬鍍膜、LB和LS技術(shù)已被證明是控制石墨烯和氧化石墨烯薄膜的優(yōu)良方法。 這些方法大大提高了由液體剝離方法生產(chǎn)得到的SG和SGO的沉積分散可控性。由于液體剝離法被認為是具有*潛力的工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)石墨烯的方法,因此這些沉積方法在石墨烯研究中具有重要意義。

            利用PM-IRRAS,可以記錄漂浮和沉積層的詳細IR光譜以確定化學組成。 可制備一張石墨烯片,以驗證LS是制備和研究單層石墨烯和氧化石墨烯薄膜的好方法。

            Gilje, S. et al.,‘Nano Letters’(2007), 7, 3394-339

            親脂性蛋白常常存在于細胞膜中,漂浮單分子層模型可用于研究它們在接近原始環(huán)境時的相互作用,研究參數(shù)包括不同環(huán)境或含量的膜的堆積密度。

            配件

            KSV NIMA提供了廣泛的配件選擇,可以集成到系統(tǒng)中提供進一步的檢測表征功能。包括:

            • MicroBAM 布魯斯特角顯微鏡用于確保預沉積膜的表面結(jié)構(gòu)完整性

            • 用于自動導入樣品顆?;蚍肿拥淖詣舆M樣泵

            • 亞相蒸發(fā)補償工具,防止長時間測量中的亞相蒸發(fā)

            • 用于研究分子取向排布的表面電位儀(SPOT)

            • Langmuir-Schaeffer水平沉積樣品架

            • 用于沉積環(huán)境的溫度監(jiān)控設備

            • 用于監(jiān)測沉積液體的pH測量探針

            • 用于將樣品直接導入亞相的注射端口

            • 用于研究分子取向排布的表面電位儀(SPOT)

            • Langmuir-Schaeffer水平沉積樣品架

            • 用于沉積環(huán)境的溫度監(jiān)控設備

            • 用于監(jiān)測沉積液體的pH測量探針

            • 用于將樣品直接導入亞相的注射端口


            技術(shù)參數(shù)


            KSV NIMA 柔性 LB膜制備系統(tǒng)

            表面積

            2330 cm2

            槽體內(nèi)部尺寸

            685 mm x 340 mm x 4 mm

            滑障速度(mm/min)

            0.1...270

            滑障類型

            1 個, POM材質(zhì)

            膜天平測量范圍(mN/m)

            0...300

            膜天平分辨率 (mN/m)

            0.03

            膜天平數(shù)量

            1 -2

            亞相容積(mL)

            5430

            浸漬井尺寸

            300 mm x 300 mm x 50 mm

            柔性基板寬度

            1…200 mm

            柔性基板轉(zhuǎn)速

            1…100 mm/min

            輥軸運動位置分辨率

            20 um

            薄膜提拉角度

            可調(diào)節(jié), 30°- 90 °

            鍍膜方式手動或半自動

            鍍膜方式手動或半自動

            兼容性

            LB膜浸漬鍍膜頭、小型布魯斯特角顯微鏡、表面電位儀、自動進樣泵、亞相蒸發(fā)補償工具、LS水平鍍膜裝置等





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