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            北京泰坤工業(yè)設(shè)備有限公司>技術(shù)文章>DECTRIS PILATUS3 混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

            技術(shù)文章

            DECTRIS PILATUS3 混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

            閱讀:1190          發(fā)布時(shí)間:2020-4-25

            DECTRIS PILATUS3 R CdTe混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器  

            1產(chǎn)特點(diǎn)DECTRIS 混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

             PILATUS3 R CdTe系列結(jié)合了無(wú)噪聲單光子計(jì)數(shù)的優(yōu)點(diǎn)和在大型碲化鎘(CdTe)傳感器中直接檢測(cè)硬X射線的優(yōu)點(diǎn)。
                  與閃爍體的檢測(cè)器相比,混合像素中的直接檢測(cè)產(chǎn)生更銳利的信號(hào)和更好的空間分辨率。 CdTe為Mo,Ag和In輻射提供接近100%的吸收效率。結(jié)合無(wú)噪聲單光子計(jì)數(shù),這將實(shí)驗(yàn)室中的X射線檢測(cè)帶入了一個(gè)新的靈敏度和準(zhǔn)確度水平。
                  實(shí)驗(yàn)室中的X射線源,尤其是硬X射線的X射線源比同步加速器弱得多,因此需要較長(zhǎng)的曝光時(shí)間并導(dǎo)致較弱的信號(hào),由于沒(méi)有暗電流和讀出噪音,PILATUS3 R探測(cè)器超過(guò)了實(shí)驗(yàn)室的所有其他技術(shù)。單光子計(jì)數(shù)不含所有其他噪聲源以及CMOS電容檢測(cè)器內(nèi)置的不準(zhǔn)確性,例如復(fù)位噪聲和非線性電荷響應(yīng)。相反,由DECTRIS Instant Retrigger Technology提供動(dòng)力的快速計(jì)數(shù)電子設(shè)備,結(jié)合精確的計(jì)數(shù)率校正提供寬泛的線性范圍,*兼容所有實(shí)驗(yàn)室的X射線源。
                   具有挑戰(zhàn)性的實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用(如電荷密度研究和配對(duì)分布函數(shù)分析)依靠硬輻射和具有出色信噪比的數(shù)據(jù),PILATUS3 R CdTe探測(cè)器系列提供了高效直接探測(cè)和無(wú)噪聲單光子計(jì)數(shù)的*組合,并且是實(shí)驗(yàn)室中這些要求的全能匹配。


            2、核心優(yōu)勢(shì):
            DECTRIS 混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器?
                 - Mo,Ag和In量子效率> 90%
                 - 直接檢測(cè)清晰的空間分辨率
                 - 沒(méi)有讀出噪音,也沒(méi)有黑暗信號(hào)達(dá)到高精度
                 - 高動(dòng)態(tài)范圍
                 - 熒光背景抑制
                 - 同步輻射證明的輻射硬度
                 - 免維護(hù)運(yùn)行
                 - 高可靠性:沒(méi)有容易發(fā)生故障的密封或復(fù)雜,冷卻至室溫以下

             


             3、應(yīng)用領(lǐng)域
                 - 電荷密度分析
                 - 配對(duì)功能(PDF)分析
                 - 高分辨率化學(xué)結(jié)晶學(xué)
                 - 高壓/高溫XRD
                 - 關(guān)鍵尺寸SAXS
                 - 計(jì)算機(jī)斷層掃描(CT)

                 - 無(wú)損檢測(cè)(NDT)

             

             

            4、技術(shù)參數(shù): 

            PILATUS3   R CdTe

            300K

            300K-W

            探測(cè)器模塊數(shù)量

            1 × 3

            3 x 1

            有效面積:寬×高   [mm²]

            83.8 × 106.5

            253.7 x 33.5

            像素大小 [μm²]

            172 x 172

            總像素?cái)?shù)量

            487 × 619

            1475 × 195

            間隙寬度, 水平/垂直(像素)

            *每個(gè)模塊之間水平間隙增加1個(gè)像素

            - */ 17

            7* / -

            非靈敏區(qū) [ % ]

            5.7

            1.1

            缺陷像素

            < 0.1%

            幀頻 [Hz]

            20

            讀出時(shí)間 [ms]

            7

            點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)

            1 pixel(FWHM)

            計(jì)數(shù)器深度

            20 bits(1,048,576 counts)

            功耗 [W]

            30

            尺寸(WHD)[mm³]

            158 x 193 x 262

            280 x 62 x 296

            重量 [kg]

            7.5

            7.0

            模塊冷卻

            水冷

            外接觸發(fā)電壓

            5V TTL

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