PILATUS 光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器
PILATUS3 R 混合光子計(jì)數(shù)（HPC）探測(cè)器經(jīng)過重新設(shè)計(jì)，該系列探測(cè)器基于同步輻射技術(shù)，并融合了兩種關(guān)鍵技術(shù)：?jiǎn)喂庾佑?jì)數(shù)和混合像素技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了更好的實(shí)驗(yàn)室體驗(yàn)。 PILATUS3 R 系列進(jìn)一步完善了我公司實(shí)驗(yàn)室用系列探測(cè)器的*優(yōu)勢(shì)。

PILATUS3 R 混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

1、PILATUS 光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器?產(chǎn)品特點(diǎn)：

       PILATUS3 R 混合光子計(jì)數(shù)（HPC）探測(cè)器經(jīng)過重新設(shè)計(jì)，旨在實(shí)現(xiàn)好的數(shù)據(jù)質(zhì)量。該系列探測(cè)器基于同步輻射技術(shù)，并融合了兩種關(guān)鍵技術(shù)：?jiǎn)喂庾佑?jì)數(shù)和混合像素技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了更好的實(shí)驗(yàn)室體驗(yàn)。 PILATUS3 R 系列進(jìn)一步完善了我公司實(shí)驗(yàn)室用系列探測(cè)器的*優(yōu)勢(shì)： DECTRIS 的即時(shí)觸發(fā)技術(shù)配合 PILATUS3 *的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，充分提升了計(jì)數(shù)率和計(jì)數(shù)率的準(zhǔn)確校正。

       PILATUS3 R 探測(cè)器的高計(jì)數(shù)率，使得其在處理高強(qiáng)度信號(hào)時(shí)顯示了*的優(yōu)勢(shì)。 DECTRIS 即時(shí)觸發(fā)技術(shù)可被用來準(zhǔn)確測(cè)量具有高強(qiáng)度衍射的樣品，如小分子或無機(jī)復(fù)合物樣品的高強(qiáng)度衍射峰。

       單光子計(jì)數(shù)可消除所有的探測(cè)器噪音，從而得到優(yōu)質(zhì)的數(shù)據(jù)相對(duì)于同步輻射，實(shí)驗(yàn)室中的X射線源要微弱得多，只能得到較為微弱的衍射信號(hào)，因此通常需要較長的曝光時(shí)間。由于沒有暗電流和讀出噪音， PILATUS3 R 系列探測(cè)器比其它實(shí)驗(yàn)室用探測(cè)器具有好的性能。

       HPC 技術(shù)使得該系列探測(cè)器可直接探測(cè)X射線，比閃爍器探測(cè)器所產(chǎn)生的信號(hào)更為清晰。讀出時(shí)間短并能連續(xù)采集信號(hào)的 PILATUS3 R 系列探測(cè)器可高效輸出優(yōu)質(zhì)數(shù)據(jù)；較低的功耗和冷卻要求可確保您輕松使用并減少維護(hù)工作量。

       PILATUS3 R 系列探測(cè)器專為您的實(shí)驗(yàn)室需求而量身定制，可提供的同步輻射成熟技術(shù)。具有*性能的PILATUS3 R 系列探測(cè)器。

 

2、PILATUS 光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器?核心優(yōu)勢(shì)：

     – 可在單光子計(jì)數(shù)模式下直接探測(cè)X射線；

     – DECTRIS即時(shí)觸發(fā)技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)全程連續(xù)計(jì)數(shù)；

     – 整體計(jì)數(shù)率；

     – 準(zhǔn)確的計(jì)數(shù)率校正，可在高計(jì)數(shù)率條件下獲得數(shù)據(jù)質(zhì)量；

     – 無讀出噪音和暗電流；

     – 出色的點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)；

     – 高動(dòng)態(tài)范圍；

     – 讀出時(shí)間短，幀頻高。

 

 3、應(yīng)用領(lǐng)域：PILATUS3 R 混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器?

     – 生物大分子晶體學(xué)（MX）；

     – 單晶衍射（SCD）；

     – X射線衍射（XRD）；

     – 小角和廣角X射線散射（SAXS/WAXS）；

     – 表面衍射；

     – 漫散射；

     – 時(shí)間分辨實(shí)驗(yàn)；

     – 成像；

     – 無損檢測(cè)。

 

4、技術(shù)參數(shù)：

PILATUS3 R	100K-A	200K-A	300K	300K-W	1M
探測(cè)器模塊數(shù)量	1 x 1	1 x 2	1 x 3	3 x 1	2 x 5
有效面積:寬*高[mm?]	83.8 x 33.5	83.8 x 70.0	83.8 x 106.5	253.7 x 33.5	168.7 x 179.4
像素大小 [μm?]	172 x 172
總像素?cái)?shù)量	487x195=94,965	487x407=198,209	487x619=301,453	1475x195=287,625	981x1043=1,023.183
間隙寬度, 水平/垂直（像素）	0	- / 17	- / 17	7 / -	7 / 17
非靈敏區(qū) [ % ]	0	4.3	5.5	0.9	7.2
缺陷像素	< 0.03%
幀頻 [Hz]	20	20	20	20	5
讀出時(shí)間 [ms]	7
點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)	1 pixel（FWHM）
計(jì)數(shù)器深度	20 bits（1,048,576   counts）
閾值能量 [keV]	3.5 - 18	3.5 - 18	2.7 - 18	2.7 - 18	2.7 - 18
功耗 [W]	30	30	36	36	165
尺寸（WHD）[mm?]	156x115x284	156x155x284	158x193x262	280x62x296	265x286x455
重量 [kg]	4.5	5.4	7.5	7.0	25
模塊冷卻	風(fēng)冷	風(fēng)冷	水冷	水冷	水冷
電子冷卻	風(fēng)冷	風(fēng)冷	水冷	水冷	風(fēng)冷
外接觸發(fā)電壓	5V TTL
能量校準(zhǔn)	鉻，錳，鐵，銅，鎵，鉬，銀的Ka線
標(biāo)準(zhǔn)配置	450微米的硅傳感器
探測(cè)器可選配置	1000微米的硅傳感器
	-	-	可用于真空	可用于真空	-