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            北京泰坤工業(yè)設(shè)備有限公司>供求商機>ORTEC-高純鍺探測器
            ORTEC-高純鍺探測器
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            • ORTEC-高純鍺探測器

            舉報
            貨物所在地: 北京北京市
            產(chǎn)地: 美國
            更新時間: 2025-01-21 14:19:51
            期: 2025年1月21日--2026年3月16日
            已獲點擊: 851
            在線詢價收藏產(chǎn)品

            (聯(lián)系我們,請說明是在 化工儀器網(wǎng) 上看到的信息,謝謝?。?/p>

            產(chǎn)品簡介

            ORTEC-高純鍺探測器
            半導體(高純鍺和Si(Li))探測器擁有精銳的能量分辨率,由其組成的γ和X射線能譜測量技術(shù)與產(chǎn)品,不僅是核結(jié)構(gòu)、分子物理、原子碰撞等核物理與核反應研究的重要工具

            詳細介紹

            實驗室高純鍺(HPGe)伽馬γ能譜儀



            第一部分:高純鍺探測器

                 

            高純鍺探測器-無LOGO.png


            高鍺探測器由于其的優(yōu)異分辨率,是核測量工具,在核物研究與核測量中具有不可替代的地位。

             完整的高純鍺探測器的制造過程包括晶體制備、探測器結(jié)構(gòu)設(shè)計、高性能低噪聲前置放器設(shè)計、超高真空封裝與生產(chǎn)成型、指標測試和穩(wěn)定性考核等。經(jīng)國家計量部門檢定, 其關(guān)鍵 性能指標優(yōu)異、穩(wěn)定性良好。

             高純鍺探測器的工作機理:高純鍺晶體的雜質(zhì)濃度低至 1010 原子/cm3 量級,是凈的物質(zhì)。高純鍺探測器表面 分別有 N+、P+極,種電反向,由于純鍺晶體極的雜質(zhì)濃度,其內(nèi)部將工在全耗盡狀態(tài),此時伽馬線在其內(nèi)部積能量產(chǎn)生 的載流子在電場的作用下被收集,形成的電流信號通過前置放大器被轉(zhuǎn)換為與沉積能量成正比 的電壓信號。

            高純鍺探測器所采用的晶體外形為一圓柱體,在 其外表面為 N+電極,在其內(nèi)部電極孔內(nèi)部為 P+電極, 兩種電極分別使用成熟的鋰擴散、硼離子注入技術(shù)制 造。威視®系列高性能 P 型同軸高純鍺探測器的 N+極約為 0.5mm 厚,P+電極約為 0.5μm 厚。

            探測器的前放大器可根據(jù)用戶需求選阻容反饋或沖反饋前放性能優(yōu)異,期穩(wěn) 定性好,除適配威視®系列數(shù)字譜儀外,還可兼容市場上主流的譜儀產(chǎn)品。 威視®系列高性能 P 型優(yōu)化高純鍺探測器配置垂直冷指,并可根據(jù)用戶需要配置“L "“U "、水平冷指等定制化設(shè)計,同時為用戶在探測器封裝與冷指材料上提供超低本底選項。為保證制冷效率,探測器艙室應保持嚴密的真空條件。

            P 型探測的總體特

            能量響應范圍:30keV 10MeV;相對探測效率 10% 80%;


                可滿足絕大部分樣品測量應用和大部分研究測量應用的要求;

            全面保證相對效率、分辨率、峰康比和峰形指標;

            可配置普通阻抗反饋前放或適于高計數(shù)率的脈沖光反饋前放。

                       ORTEC-高純鍺探測器

            TKGEP-S 系列探測器號與性能指標:

            型號

            晶體尺寸(mm)

            能量分辨率-FWHM(keV)

            峰形()

            峰康比

            (≥)

            效率

            (≥)

            直徑

            厚度

            @59.5keV

            @122keV

            @1.33MeV

            FW.1M/FWHM

            FW.02M/FWHM

            TKGEP-S12

            50

            30

            0.70

            0.80

            1.8

            1.9

            2.7

            32

            12%

            TKGEP-S30

            70

            30

            0.70

            0.85

            1.8

            1.9

            2.7

            45

            30%

            TKGEP-S40

            70

            40

            0.75

            0.90

            1.85

            2.0

            2.8

            48

            40%

            TKGEP-S50

            85

            30

            0.85

            0.95

            1.85

            2.0

            3.0

            53

            50%

            TKGEP-S60

            90

            30

            0.90

            1.0

            1.90

            2.0

            3.0

            58

            60%

            TKGEP-S70

            85

            50

            0.95

            1.1

            1.95

            2.0

            3.0

            62

            70%


            第二部分:譜儀(多道分析儀)

             配套高純鍺測器的一款新型數(shù)字化譜儀。其設(shè)計功能完,穩(wěn)定業(yè)已經(jīng)際使用驗對高率探器或高 計數(shù)率件下對信號處理,結(jié)軟件,譜儀數(shù)字極零調(diào) 節(jié)、死時間校正和彈道虧損校正方面做了具有相當*性和獨到 性的設(shè)。

            譜儀圖片-無LOGO.png

            譜儀體功能與特性:


            全數(shù)字化控制,保證人機交互靈活

            探測器回溫情況下高壓自動切斷功能(shutdown

            多種濾波模式,可根據(jù)特定環(huán)境配置濾波參數(shù),具備低頻噪聲抑制功能

            具備門控數(shù)字化基線恢復,自動極零,零死時間校正,彈道虧損校正等完 整*功能

            最大數(shù)據(jù)通過率大于 100kcps,對高計數(shù)率樣品能獲得準確的測量結(jié)果

            支持 USB3.0 接口


            譜儀征功能:

              基礎(chǔ)參數(shù)顯示:系統(tǒng)的電源開啟狀態(tài),高壓開啟狀態(tài),高壓目標值,高壓升降過程 動態(tài)顯示。

            全數(shù)字化自動高壓加載:用戶根據(jù)探測器參數(shù)選定高壓后,系統(tǒng)自動按速率 和目標值進行高壓加載,直到滿足探測器要求。

            異常處理功能:當系統(tǒng)意外掉電,設(shè)備自動啟動 UPS 功能,并按異常處理邏輯,進 行高壓緩降,以保護探測器安全。

            抑制電荷收集時間效應功能:基于 FPGA 的硬件算法,利用快通道梯形脈寬來統(tǒng)計 電荷收集的方法簡單實用高效。

                具體數(shù)指標:

            系統(tǒng)非線性:積分非線性:   0.01%;微分非線性:≤±0.28

            最大通過率:成形時間設(shè)置為上升時間 500ns,平頂時間 500ns時,系統(tǒng)等效的死時間約為 2.79μs,此時,最大脈沖通過率將達到 130Kcps。

            粗調(diào)增益::由計算機選定為  1,2,4,8

            細調(diào)增益:由計算機設(shè)定為 0.45 1.00

            尺寸與重量:376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG

            工作條件:0?C 50?C(包括 LCD 顯示)。操作系統(tǒng):Windows 7/ Windows10。

            顯示/接口:320?240 像素(pixel) 有機發(fā)光半導體(OLCD)系統(tǒng)狀態(tài)信息。220V

            市電接入端子,USB3.0接口。高壓輸出接口,探測器電源接口,探測器信號輸入端子。


            第三部分:液氮回凝

                 

            液氮回凝制冷-無LOGO.jpg


            采用低振動長壽命脈沖管制冷機,運行壽命長于 10 年;

               25L 液氮容器,不斷電條件下可連續(xù)工作兩年以上;

            對探測器分辨率無影響;

            可匹配垂直、水平與彎頭型冷指;

            液晶顯示屏實時顯示液氮水平、制冷機運行狀態(tài)等信息;

            可選購基于無線技術(shù)的遙控器,遠程控制制冷系統(tǒng)或顯示運行狀態(tài);

            配有自動式液氮填充接口,可自動加注液氮;

            在制冷維系時長為 48 小時前發(fā)出提示與報警;

            外形尺寸:64.5cm x 45.6cm 直徑(不含探測器);

            功耗:運行時小于 150W,啟動時最大 250W;

            工作環(huán)境:0 - 35℃,相對濕度 20% 80%(無冷凝);

            噪聲:1m 處小于 60 分貝。


            第四部分:伽馬譜軟件包

            研制開發(fā)一套完整的實驗室高純鍺伽馬譜儀,除了高純鍺探測器這一核心部件之外,還需要在與其配套的制冷器、譜儀和分析軟件上下足十分的功夫。

             歷經(jīng)十年的反復磋磨與雕琢,目前這款即將商品化的TKGammaWiz軟件包已具備完整而 強大的功能。

                 它是只需,實現(xiàn)能:

                 

            系統(tǒng)數(shù)設(shè)控制調(diào)、數(shù)字穩(wěn)、調(diào)節(jié)顯示實 時間/、


            系統(tǒng)。初始示用數(shù)設(shè)/效 率刻。

            能譜。具有多路譜圖。

            譜分尋峰方法、、完善的各種校正,的不。

                  分析結(jié)質(zhì)數(shù)據(jù)每一結(jié),以保 證隨



            它具功用

                  設(shè)計作員operator家(expert)兩使權(quán),系統(tǒng) 與數(shù)據(jù)


            能。設(shè)數(shù)據(jù)設(shè)置的、較高時, 從源。


            對具備""條的樣,可化的分析"。

            數(shù)

                  刻度:支持能量、峰形、效率刻度,可人工刻度,也可載入存儲的數(shù)據(jù)文件。效率曲線可

               載入自主研發(fā)的無源效率刻度軟件產(chǎn)生的效率刻度文件,并支持三種擬合方法:單一函數(shù)多 項式擬合、插值法、帶拐點"Knee)的多項式擬合。

            尋峰:支持 Mariscotti 法尋峰,可自動或手動完成尋峰。

            本底確定方法:自動確定法、SNIP剝譜法、峰侵蝕法等。軟件會自動選定最佳方法。

                分析用核素庫: 軟件包含默認的 2000 個核素的衰變綱圖與相應的伽馬射線能量數(shù)據(jù), 用 戶可在此基礎(chǔ)上進一步編輯并生成自己的自定義子庫。軟件核素庫支持對核素名稱、質(zhì)量、 能量的查詢,和對母子核的編輯。

            核素識別的方法: 軟件默認使用基于庫尋峰的核素識別方法,具體執(zhí)行程序如下: 使用廣義二階差分方法初步尋峰,根據(jù)尋峰結(jié)果對核素庫進行篩選。用峰侵蝕方法分析全譜本底,扣除本底后,在庫峰位所在能量點用最小二乘法進行峰擬合作為尋峰結(jié)果。

            分析后的核素將會直接標注在譜上,方便查看。 譜分析中的校正:母子核衰變校正;樣品集與譜獲取期間的衰變校正。 MDA 計算:Currie 算法,后續(xù)可擴展 ORTEC MDA 18 種算法。

            分析結(jié)果報告:報告主要包括能譜信息、刻度、分析設(shè)置、分析峰、分析核素幾個部分內(nèi)

            容,支持 pdfrpt、doc 三種格式。

            界面:默認 office 風格,可自行切換。一圖展示能譜、尋峰、核素識別結(jié)果等內(nèi)容,并 可根據(jù)核素計算顯示其余能量峰的高度。

            適應的操作系統(tǒng):Windows7/810 32/64 位操作系統(tǒng)。


            第五部分:實驗室無源效率刻度軟件

                 

            蒙特卡羅程序包:基于 Geant4 軟件程序包,能夠準確模擬光子與物質(zhì)相作用的整個過程。 探測器類型:支持同軸型、面型、井型三種類型探測器。

            能量范圍:10keV-7000keV;   刻度角度:支持任意角度刻度。

            探測效率:支持真實物理級別的級聯(lián)符合校正,通過自研能量沉積算法獲取探測效率。 常見容器庫:內(nèi)置 9 種常見的容器庫,支持圓柱、圓盤、燒杯、馬林杯、U 型杯、盒子、球 型、點源、橫向圓柱等對稱型樣品模型。

            材料庫工具:內(nèi)置 40 余種常見材料,允許用戶自定義材料。

            3D 視覺及幾何校驗提供快速 3D 視覺及更精細的幾何模型定義提供完整的幾何模型校驗。 輸入?yún)?shù)敏感性分析提供輸入?yún)?shù)敏感性分析工具,方便用戶定位影響效率刻度的參數(shù)項。

            自表征校正工具:允許用戶自主完成探測器表征,無需返廠,確??潭鹊臏蚀_性。 效率刻度擬合公式:允許用戶通過擬合公式計算不同能量對應的探測效率。

            刻度結(jié)果報表:支持完整刻度結(jié)果數(shù)據(jù)的報表預覽及打印。 適應的操作系統(tǒng):Windows7/8/10 64 位操作系統(tǒng)。


            第六部分:鉛室


            1.標準鉛室

            低本底鉛室--無LOGO.png

             TKLBS-G2 是一款頂開門壓桿式低本底鉛室高純鍺γ能譜儀系統(tǒng),屏蔽環(huán) 境本底對探測過程的干擾,提高測量的準確性。

            參數(shù):

            外層材料:1cm   低碳鋼;

            中層材料:10cm 低本底鉛 4π 方向屏蔽;

            內(nèi)層材料:3 mm 無氧銅;

            結(jié)構(gòu):壓桿式頂部平移開門設(shè)計;

            承重桌材料:低碳鋼;占地面積:65cm x 65cm;

            內(nèi)腔尺寸:Φ310mm x 409mm

            重量:大于 1.1 噸;

            鉛室說明:分三個型號,TKLBS-G1,TKLBS-G2,和TKLBS-U,TKLBS為low background shelid低本底屏蔽的縮寫,G1代表Grad1等級1,使用鉛材料厚度為10cm,本底保 證<3.0cps,常規(guī)值<2.8cps;G2代表Grad1等級2,使用鉛材料厚度為15cm,本 底保證<2.0cps,常規(guī)值<1.6cpsU代表Ultra超級,使用鉛材料厚度為15cm, 同時使用液氮揮發(fā)氣體趕走鉛室內(nèi)腔空氣,使之降低空氣中氡的影響,本底保證<1.0cps。按照約定俗稱,以上本底均針對40%效率高純鍺探測器。


            2.超低本底鉛室

            鉛室圖片-無LOGO.png

            TKULBS-G 是一款頂門壓桿超低本鉛室,于高γ能譜系統(tǒng),蔽環(huán)境底 對探測過的干擾,提高測的準確。

            本底指標:

            本底指標正常放性環(huán)50keV 3MeV 圍內(nèi)保證值小于 1.2cps40%效率, 典型值約 1cps 左右。

            具體參數(shù):

            高度 682.1 mm (26.9 in.);

              直徑 558.8 mm (22.0 in.);

            內(nèi)腔: 直徑 228.6 mm (9 in.)

              深度:355.6 mm (14 in.);

            最外層:9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳鋼;

            屏蔽層: 152 mm (6 in.)厚的低底鉛;

            內(nèi)襯:1 mm 錫與 1.5mm 無氧銅

            重量: 1625 Kg

            噴漆: 色環(huán)氧漆

            桌子高度:68.5-765 .5cm 高度可調(diào)

            可選超低本底內(nèi)襯:2.5cm 25Bq/kg 超低本鉛。

                    ORTEC-高純鍺探測器


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