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            直流四探針電阻率測(cè)試儀通用技術(shù)條件

            閱讀:1946發(fā)布時(shí)間:2022-5-23

            由四探針探頭、直流恒流電源和測(cè)量?jī)x表等組成。用規(guī)定的壓力將探頭上四根探針與被測(cè)樣品表面形成歐姆接觸,在其二根探針上通以電流。
            其它以四探針法為基礎(chǔ)的六探針、交直流四探針電阻率、薄層電阻測(cè)試儀可參照使用。本標(biāo)準(zhǔn)不包括四探針探頭標(biāo)準(zhǔn)。
            四探針測(cè)試儀面板上的文字符號(hào)和標(biāo)志清楚無誤,符合有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。位移機(jī)構(gòu)的動(dòng)作應(yīng)平穩(wěn),操作方便,噪聲小。
            除下述術(shù)語外,本標(biāo)準(zhǔn)所采用的電工名詞術(shù)語、四探針探頭名詞術(shù)語分別按GB2900.1《電工名詞術(shù)語、基本名詞術(shù)語》和SJ/T10315《四探針探頭通用技術(shù)條件》的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。
            GB191 包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志;
            使用直線形排列與正方形排列的四探針測(cè)試儀,電阻率的基本計(jì)算公式及公式的使用條件等見附錄A。
            修正系數(shù),當(dāng)探針間距、被測(cè)樣品的幾何形狀與尺寸等滿足不了基本公式所要求的理想條件時(shí),需要在基本公式中附加一些系數(shù)進(jìn)行修正,這些系數(shù)稱為修正系數(shù)。
            安全要求:電源輸入端與機(jī)殼間的絕緣電阻應(yīng)大于500MΩ。電源進(jìn)線應(yīng)有保險(xiǎn)器。電源輸入端與機(jī)殼間應(yīng)能承受1500V(有效值)交流電壓歷時(shí)1分鐘,無擊穿與飛弧現(xiàn)象。
            四探針測(cè)試儀的表面平整光滑,無劃痕、壓傷、變形、銹蝕現(xiàn)象,涂復(fù)層不得脫落。零部件的安裝應(yīng)牢固無松動(dòng),有防松動(dòng)措施,開關(guān)、旋鈕的調(diào)節(jié)應(yīng)方便,操作應(yīng)靈活。
            具有空調(diào)的專用清潔室;室內(nèi)無強(qiáng)電磁場(chǎng)干擾,無強(qiáng)光直接照射,沒有明顯的振動(dòng)和波動(dòng)。電源要求:電壓:(220±10%)V;頻率:(50±1%)Hz;波形:正弦波。
            GB6615 硅片電阻率的直排四探針測(cè)試方法;
            技術(shù)要求:外觀結(jié)構(gòu)要求,四探針測(cè)試儀的外觀結(jié)構(gòu)應(yīng)符合下列原則,布局合理、美觀大方、結(jié)構(gòu)緊湊、顯示清晰、操作方便、易于維修。
            在另外兩探針上測(cè)量其電位差,利用通入的電流和測(cè)量的電位差等數(shù)據(jù),以及相應(yīng)公式經(jīng)過運(yùn)算處理得到被測(cè)量的參數(shù)。
            薄層電阻 R 材料內(nèi)平行于電流方向的電勢(shì)梯度除以電流密度與材料厚度的乘積,當(dāng)厚度趨近于零時(shí),其值為薄層電阻。
            JJG508 四探針電阻率測(cè)試儀檢定規(guī)程;
            各修正系數(shù)的定義、計(jì)算公式、使用條件等見附錄A。直流四探針電阻率測(cè)試儀,用來測(cè)試材料電阻率、薄層電阻和電阻的探針測(cè)試裝置。
            GB11073 硅片徑向電阻率變化的測(cè)試方法;
            探頭外觀要求應(yīng)符合SJ/T10315標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。使用環(huán)境要求,大氣壓:(86~106)kPa;溫度:(23±5)℃;相對(duì)濕度:不大于65%;
            SJ1889 電子測(cè)量?jī)x器可靠性試驗(yàn)方案;
            本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了直流四探針電阻率測(cè)試儀(以下簡(jiǎn)稱四探針測(cè)試儀)的主要技術(shù)性能、測(cè)試方法、檢測(cè)規(guī)則、包裝、運(yùn)輸、貯存要求等。

            SJ/T10315 四探針探頭通用技術(shù)條件;
            形式上為薄層電阻率除以材料厚度,單位為歐姆/方塊(Ω/□)。使用直線形排列和正方形排列的四探針測(cè)試儀,薄層電阻R的基本計(jì)算公式及公式的使用條件等見附錄A。
            本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子和冶金等行業(yè)生產(chǎn)與科研中測(cè)量半導(dǎo)體、金屬薄層等的電阻率、薄層電阻和電阻的直流四探針測(cè)試儀。
            SJT 10314-1992 直流四探針電阻率測(cè)試儀通用技術(shù)條件
            電阻率  材料內(nèi)平行于電流方向的電勢(shì)梯度與電流密度之比,又稱體電阻率,單位為歐姆·厘米(Ω·cm)。
            GB2900.1 電工名詞術(shù)語,基本名詞術(shù)語;

             

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