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詳細(xì)摘要：本測試裝置是由二只測微電容器組成，平板電容器一般用來夾持被測樣品，園筒電容器是一只分辨率高達0.0033pF的線性可變電容器，配用儀器作為指示儀器，絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放進平板電容器和不放進樣品的Q值變化，由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時，由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數(shù)。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地： 參考價：面議
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詳細(xì)摘要：北廣儀器保證提供的設(shè)備為需方的全新設(shè)備，其各項技術(shù)指標(biāo)均符合相關(guān)的產(chǎn)品技術(shù)要求。 2、設(shè)備經(jīng)客戶驗收合格后，開始計算保修期，設(shè)備免費保修期為壹年，設(shè)備在質(zhì)量保質(zhì)期內(nèi)，產(chǎn)品在非人為損壞的情況下，由北廣儀器負(fù)責(zé)全保。北廣儀器的客服在得到通知后24小時內(nèi)響應(yīng)，安排約定維修細(xì)節(jié)。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地： 參考價：面議
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詳細(xì)摘要：絕緣介電常數(shù)測試儀性能： 固體絕緣材料測試頻率100kHz～100MHz的tan δ 和 ε 變化的測試。 tan δ 和 ε 測量范圍：tan δ：0.1～0.00001，ε：1～50 tan δ 和ε 測量精度（1MHz）：tan δ：±5%±0.00005，ε：±2% 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細(xì)摘要：介質(zhì)損耗角測量儀工頻 BQS-37a型高壓電橋采用典型的西林電橋線路。C4橋臂在基本量程時，與R4橋臂并聯(lián)，測量數(shù)值為正損耗因數(shù)。結(jié)構(gòu)采用了雙層屏蔽。并通過輔橋的輔助平衡，消除寄生參數(shù)對電橋平衡的影響。 產(chǎn)品型號：BQS-37A所在地：北京 參考價：面議
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詳細(xì)摘要：工作特性 1．Q值測量 a．Q值測量范圍：2～1023； b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔； c．標(biāo)稱誤差 AC 頻率范圍25kHz～10MHz100kHz～10MHz 固有誤差≤5％±滿度值的2%≤5％±滿度值的2% 工作誤差≤7％±滿度值的2%≤7％±滿度值的2% 頻率范圍10MHz～60MHz10MHz～160MHz 固 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀特點： ◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術(shù)，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。 ◎ 能對固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。 ◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。 ◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。 ◎ Q值量程自 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀裝置： 2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種. 2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm 2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm（±4.2pF） 2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm 2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細(xì)摘要：2 使用條件 ①環(huán)境溫度： 0～40℃ ②相對溫度：≤70% ③供電電流：交流 220V±10%50Hz 2.3 儀器可連續(xù)工作 8 小時 2.4 消耗功率：約 10W 2.5 外形尺寸：長寬深 355mm×320mm×145mm 2.6 重量：約 6kg(主機) 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀 產(chǎn)品型號：所在地：北京 參考價：面議
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詳細(xì)摘要：介質(zhì)損耗角測試儀型號：GDAT-A主要特點：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京市海淀區(qū)上地十街輝煌國際西6號樓4層0426 參考價：面議
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詳細(xì)摘要：介質(zhì)損耗測量儀空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京市海淀區(qū) 參考價：面議
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詳細(xì)摘要：介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項重要的物理性質(zhì)，通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。 產(chǎn)品型號：GDAT-a所在地：北京市海淀區(qū) 參考價：面議
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詳細(xì)摘要：介質(zhì)損耗因數(shù)試驗儀/介電常數(shù)測試儀 滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號：gdat-c所在地：北京 參考價：面議
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詳細(xì)摘要：廣東介電常數(shù)測試儀介質(zhì)損耗是用于衡量絕緣體儲存電能的性能. 它是兩塊金屬板之間以絕緣材料為介質(zhì)時的電容量與同樣的兩塊板之間以空氣為介質(zhì)或真空時的電容量之比。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京北廣精儀 參考價：面議
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北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司主營產(chǎn)品：絕緣強度耐電壓擊穿試驗儀-高壓電橋法介電常數(shù)測試儀-高電壓擊穿強度試驗儀
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