四探針方阻電阻率測試儀（北京供應(yīng)商）廣泛用于：

覆蓋膜;

導(dǎo)電高分子膜，

高、低溫電熱膜;

隔熱、防輻射導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、

裝飾膜、裝飾紙;

金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;

熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;

電極涂料，

其他半導(dǎo)體材料、

薄膜材料方阻測試

硅晶塊、

晶片電阻率及擴散層、

外延層、

ITO導(dǎo)電箔膜、

導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻 

半導(dǎo)體材料/晶圓、

太陽能電池、

電子元器件，

導(dǎo)電薄膜（ITO導(dǎo)電膜玻璃等），

金屬膜，

導(dǎo)電漆膜，

蒸發(fā)鋁膜，

PCB銅箔膜，

EMI涂層等物質(zhì)的薄層電阻與電阻率 

導(dǎo)電性油漆，

導(dǎo)電性糊狀物，

導(dǎo)電性塑料，

導(dǎo)電性橡膠，

導(dǎo)電性薄膜，

金屬薄膜，

抗靜電材料，

EMI 防護(hù)材料，

導(dǎo)電性纖維，

導(dǎo)電性陶瓷等

四探針方阻電阻率測試儀（北京供應(yīng)商）適用標(biāo)準(zhǔn)：

按照硅片電阻率測量的標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）

國家標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計制造該儀器設(shè)計符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、

GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、

GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》

并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)，本機配置232電腦接口及USB兩種接口，本機結(jié)合采用范德堡測量原理能改善樣品因幾何尺寸、邊界效應(yīng)、探針不等距和機械游移等外部因素對測量結(jié)果的影響及誤差，比市場上其他普通的四探針測試方法更加完善和進(jìn)步,特別是方塊電阻值較小的產(chǎn)品測量，更加準(zhǔn)確.

本儀器本儀器采用四探針單電測量法適用于：

生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，

是檢驗和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。

儀器特點：

配置各類測量裝置可以測試不同材料。

液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電阻率單位自動選擇，儀器自動測量并根據(jù)測試結(jié)果自動轉(zhuǎn)換量程，無需人工多次和重復(fù)設(shè)置。

采用高精度AD芯片控制，恒流輸出，結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便，運輸安全、使用方便；選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動生成報表；

本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項目要求選購.

參數(shù)資料

1.方塊電阻范圍：10^-2～2×10³Ω/□

2.電阻率范圍：10^-3～2×10⁴Ω-cm

3.測試電流范圍：1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，100 mA

4.電流精度：±0.3%讀數(shù)

5.電阻精度：≤0.5%

6.顯示讀數(shù)：液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率

7.測試方式: 普通單電測量

8.工作電源: 輸入: AC 220V±10% ,50Hz  功 耗：<30W

9.整機不確定性誤差: ≤4%（標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果）

10.選購功能: 選購1.pc軟件； 選購2.方形探頭； 選購3.直線形探頭； 選購4.測試平臺

11.測試探頭：   探針間距選購：1mm；2mm；3mm三種規(guī)格; 探針材質(zhì)選購：碳化鎢針;白鋼針；鍍金磷銅半球形針