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Idea-Cu薄膜蒸鍍厚度探索
使用GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si片上蒸鍍Cu，探索設(shè)備蒸鍍膜厚大及小值。
實(shí)驗(yàn)過程：
圖1設(shè)備 圖2蒸發(fā)料
原料：銅段（蒸發(fā)料，銅導(dǎo)線內(nèi)芯），Si基底（酒精超聲清洗30min，后使用去離子水超聲清洗30min，真空烘箱70℃烘干）。使用分子泵抽真空，待真空度到達(dá)100時(shí)，利用氮?dú)鈱?duì)腔室進(jìn)行洗氣三至四次。洗氣結(jié)束，待分子泵抽真空至10-4Torr，開始給爐子加熱，升溫曲線0.6℃/s，升溫至相應(yīng)溫度，玻璃罩出現(xiàn)金屬色后打開擋板蒸鍍。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下：
目的 | 組別 | 蒸鍍條件 （溫度、時(shí)間） | 鍍膜前 | 鍍膜后 | 膜厚 |
薄 | 1 | 1250℃、10s |
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2 | 1200℃、10s |
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3 | 1200℃、3s |
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厚 | 4 | 1200℃、60min |
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5 | 1200℃、30min |
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結(jié)論：
1、GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si基底上鍍Cu，薄（膜厚儀可檢測(cè)）可蒸鍍至14.8nm
2、GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si基底上鍍Cu，厚（起皮前）可蒸鍍至37.72μm
特別聲明：
1. 以上所有實(shí)驗(yàn)僅為初步探究，僅供參考。由于我們水平有限，錯(cuò)誤疏漏之處歡迎指出，我們非常期待您的建議。
2. 歡迎您提出其他實(shí)驗(yàn)思路，我們來驗(yàn)證。
3. 以上實(shí)驗(yàn)案例及數(shù)據(jù)只針對(duì)科晶設(shè)備，不具有普遍性。
4. 因?yàn)樯婕氨Ｃ軉栴}，以上數(shù)據(jù)僅為部分?jǐn)?shù)據(jù)，歡迎老師與我們聯(lián)系，我們非常期待和您共同探討設(shè)備的應(yīng)用技術(shù)。