化學(xué)氣相沉積是反應(yīng)物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成固態(tài)物質(zhì)沉積在加熱的固態(tài)基體表面，進(jìn)而制得固體材料的工藝技術(shù)。它本質(zhì)上屬于原子范疇的氣態(tài)傳質(zhì)過(guò)程。

常用的化學(xué)氣相沉積法有常壓化學(xué)氣相沉積法(Atmospheric-pressure CVD，APCVD)、低壓化學(xué)氣相沉積法(Low-pressure CVD，LPCVD)和等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma-enhanced CVD，PECVD)，而這三種化學(xué)氣相沉積法的均有各自的優(yōu)、缺點(diǎn)及應(yīng)用的地方。

化學(xué)氣相沉積主要應(yīng)用于兩大方向：

　　1、制備涂(鍍)層，改善和提高材料或零件的表面性能(提高或改善材料或部件的抗氧化、耐磨、耐蝕以及某些電學(xué)、光學(xué)和摩擦學(xué)性能)。

　　2、開(kāi)發(fā)新型結(jié)構(gòu)材料或功能材料(制備纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料、C/C復(fù)合材料等；制備納米材料；制備難熔材料的粉末、晶須、纖維(SiCf，Bf)；制備功能材料)。

　　目前CVD技術(shù)在保護(hù)膜層、微電子技術(shù)、太陽(yáng)能利用、光纖通信、超導(dǎo)技術(shù)、制備新材料等許多方面得到廣泛的應(yīng)用。隨著工業(yè)生產(chǎn)要求的不斷提高，CVD的工藝及設(shè)備得到不斷改進(jìn)，不僅啟用了各種新型的加熱源，還充分利用等離子體、激光、電子束等輔助方法降低了反應(yīng)溫度，使其應(yīng)用的范圍更加廣闊。CVD今后應(yīng)該朝著減少有害生成物，提高工業(yè)化生產(chǎn)規(guī)模的方向發(fā)展。此外，使CVD的沉積溫度更加低溫化，對(duì)CVD過(guò)程更精確地控制，開(kāi)發(fā)厚膜沉積技術(shù)、新型膜層材料以及新材料合成技術(shù)，將會(huì)成為今后研究的主要課題。