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            光刻膠的主要技術參數(shù)及其分類

            閱讀:11626        發(fā)布時間:2017-7-27

            光刻膠的主要技術參數(shù)及分類

            光刻膠的主要技術參數(shù)

            分辨率(resolution):是指光刻膠可再現(xiàn)圖形的zui小尺寸。一般用關鍵尺寸來(CD,Critical Dimension)衡量分辨率。

            對比度(Contrast):指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。

            敏感度(Sensitivity):光刻膠上產(chǎn)生一個良好的圖形所需一定波長光的zui小能量值(或zui小曝光量)。單位:毫焦/平方厘米mJ/cm2。

            粘滯性/黏度 (Viscosity):衡量光刻膠流動特性的參數(shù)。光刻膠中的溶劑揮發(fā)會使粘滯性增加。

            粘附性(Adherence):是指光刻膠與晶圓之間的粘著強度。

            抗蝕性(Anti-etching):光刻膠黏膜必須保持它的粘附性,并在后續(xù)的濕刻和干刻中保護襯體表面,這種性質(zhì)被稱為抗蝕性。

            表面張力(Surface Tension):液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間的吸引力。   

             

            光刻膠的分類

            1.根據(jù)光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類

            正膠(Positive Photo Resist):曝光前對顯影液不可溶,而曝光后變成了可溶的,能得到與掩模板遮光區(qū)相同的圖形。

            負膠(Negative Photo Resist):反之。

            正膠

            優(yōu)點

            分辨率高、對比度好

            缺點

            粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本

            靈敏度

            曝光區(qū)域光刻膠*溶解時所需的能量

            負膠

            優(yōu)點

            良好的粘附能力和抗刻蝕能力、感光速度快

            缺點

            顯影時發(fā)生變形和膨脹,導致其分辨率

            靈敏度

            保留曝光區(qū)域光刻膠原始厚度的50%所需的能量

             

            2.  根據(jù)光刻膠能形成圖形的zui小光刻尺寸來分:

            傳統(tǒng)光刻膠(正膠和負膠)

                  適用于紫外光(UV),I線365nm、H線405nm和G線436nm,關鍵尺寸在0.35um及其以上。

            化學放大光刻膠(CAR,Chemical Amplified Resist)

                  適用于深紫外光(DUV),KrF 準分子激光248nm和 ArF準分子激光193nm。

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