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儀器創(chuàng)新點(diǎn)：
爐體采用上開蓋式結(jié)構(gòu)，代替了傳統(tǒng)的升降爐體，精 度高，易于操作；
產(chǎn)品介紹
差熱分析是在程序控制溫度下，測量物質(zhì)與參比物之間的溫度差與溫度關(guān)系的一種技術(shù)。差熱分析曲線是描述樣品與參比物之間的溫度（△T）隨溫度或時(shí)間的變化關(guān)系。在DTA試驗(yàn)中，樣品溫度的變化是由于相轉(zhuǎn)變或反應(yīng)的吸熱或放熱效應(yīng)引起的。如：相轉(zhuǎn)變，熔化，結(jié)晶結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變，沸騰，升華，蒸發(fā)
產(chǎn)品簡介
詳細(xì)介紹
儀器創(chuàng)新點(diǎn)：
爐體采用上開蓋式結(jié)構(gòu)，代替了傳統(tǒng)的升降爐體，精 度高，易于操作；
產(chǎn)品介紹
差熱分析是在程序控制溫度下，測量物質(zhì)與參比物之間的溫度差與溫度關(guān)系的一種技術(shù)。差熱分析曲線是描述樣品與參比物之間的溫度(△T)隨溫度或時(shí)間的變化關(guān)系。在DTA試驗(yàn)中，樣品溫度的變化是由于相轉(zhuǎn)變或反應(yīng)的吸熱或放熱效應(yīng)引起的。如：相轉(zhuǎn)變，熔化，結(jié)晶結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變，沸騰，升華，蒸發(fā)，脫氫反應(yīng)，斷裂或分解反應(yīng)，氧化或還原反應(yīng)，晶格結(jié)構(gòu)的破壞和其他化學(xué)反應(yīng)。
儀器特點(diǎn)：
1：儀器主控芯片采用Cortex-M3內(nèi)核ARM控制器，運(yùn)算處理速度更快，溫度控制更精確。
2：采用USB雙向通訊，操作更便捷。
3：采用7寸24bit色全彩LCD觸摸屏，界面更友好。
4：采用鉑銠合金傳感器，更耐高溫、抗腐蝕、抗氧化。
儀器參數(shù) | 儀器配置 | |||
JH-DTA350 | 技術(shù)參數(shù) | 內(nèi)容 | 數(shù)量（臺(tái)） | |
溫度范圍 | 室溫~1350℃ | 主機(jī) | 1臺(tái) | |
量程范圍 | 0～±2000μV | 光盤 | 1張 | |
DTA精度 | ±0.1μV | 數(shù)據(jù)線 | 2根 | |
升溫速率 | 1～80℃/min | 電源線 | 1根 | |
溫度分辨率 | 0.1℃ | 鋁坩堝 | 1包（100左右） | |
溫度準(zhǔn)確度 | ±0.1℃ | 陶瓷坩堝 | 1包（100左右） | |
溫度重復(fù)性 | ±0.1℃ | 純錫粒 | 1袋 | |
溫度控制 | 升溫：程序控制 可根據(jù)需要進(jìn)行參數(shù)的調(diào)整; | 10A保險(xiǎn)絲 | 5只 | |
降溫：風(fēng)冷 程序控制 | 說明書 | 1份 | ||
恒溫：程序控制 恒溫時(shí)間任意設(shè)定 | 保修單 | 1份 | ||
爐體結(jié)構(gòu) | 爐體采用上開蓋式結(jié)構(gòu)，代替了傳統(tǒng)的升降爐體，精 度高，易于操作 | 合格證 | 1份 | |
氣氛控制 | 內(nèi)部程序自動(dòng)切換 | |||
數(shù)據(jù)接口 | 標(biāo)準(zhǔn)USB接口 配套數(shù)據(jù)線和操作軟件 | |||
主機(jī)顯示 | 24bit色, 7寸 LCD觸摸屏顯示 | |||
參數(shù)標(biāo)準(zhǔn) | 配有標(biāo)準(zhǔn)物，帶有一鍵校準(zhǔn)功能，用戶可自行對(duì)溫度進(jìn)行校正 | |||
基線調(diào)整 | 用戶可通過基線的斜率和截距來調(diào)整基線 | |||
工作電源 | AC 220V 50Hz | |||