| 數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀/高頻光電導(dǎo)壽命測試儀(測單晶) 型號：KDKLT-100C | 貨號：ZH8201 |
| 產(chǎn)品簡介: τ:1～6000μs ρ＞0.1Ω·cm太陽能硅片壽命 配已知壽命樣片、配數(shù)字示波器 為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量，特按照國標GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測試儀。 該設(shè)備是按照標準GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探測器行業(yè)已運用了三十多年，積累豐富的使用經(jīng)驗，經(jīng)過數(shù)次十多個單位巡回測試的考驗，證明是一種成熟的測試方法，適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測量；也可對硅片進行測量，給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面，制樣簡便。 產(chǎn)品特點： 1.可測量太陽能多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面拋光，直接對切割面或研磨面進行測量。同時可測量多晶硅檢驗棒及集成電路、整流器、晶體管硅單晶的少子壽命。 2.可測量太陽能單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命，表面拋光、鈍化。 3.配備軟件的數(shù)字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時顯示動態(tài)光電導(dǎo)衰退波形，并可聯(lián)用打印機及計算機。 4.配置兩種波長的紅外光源： a.紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準確測量晶體少數(shù)載流子體壽命。 b.短波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強較強，有利于測量低阻太陽能硅晶體。 5.測量范圍寬廣測試儀可直接測量： a.研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω?㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。 b.拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω?㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。 壽命可測范圍：0.25μS—10ms |  |
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