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            TOFD全解析-08-檢測(cè)前準(zhǔn)備-硬件準(zhǔn)備

            閱讀:733        發(fā)布時(shí)間:2020-5-11

            TOFD全解析-08-檢測(cè)前準(zhǔn)備-硬件準(zhǔn)備

            如果希望了解往期內(nèi)容,請(qǐng)關(guān)注我們,在“往期回顧”中即可找到

            前面把TOFD技術(shù)的基本概念介紹的差不多了,后面將針對(duì)檢測(cè)對(duì)象進(jìn)行合適的檢測(cè)前準(zhǔn)備。

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            主機(jī)的準(zhǔn)備:

            前面講到了,采樣率的概念,也提到了一個(gè)說(shuō)法就是合理的采樣率為每個(gè)信號(hào)周期采集5個(gè)以上樣本,即采樣率至少為探頭頻率的5倍以上,所以如果使用10MHz探頭,則儀器的采樣率至少要50MHz以上。

             

            儀器的脈沖重復(fù)頻率(PRF)代表每秒鐘產(chǎn)生的用于激發(fā)探頭晶片的觸發(fā)脈沖數(shù). 脈沖重復(fù)頻率越高,大掃查速度越快. 脈沖重復(fù)頻率過(guò)高,會(huì)產(chǎn)生幻影波.

             

            TOFD技術(shù)由于使用的是聲時(shí)衍射技術(shù),信號(hào)比較微弱,因而對(duì)信噪比的要求也比較高。因此TOFD設(shè)備的濾波器也成為信噪比高低的關(guān)鍵因素。

             

            同時(shí)TOFD設(shè)備需要有信號(hào)平均處理功能,信號(hào)平均處理可以降低隨機(jī)的電子噪音干擾,但無(wú)法消除晶粒粗大帶來(lái)的噪音。

             

            信號(hào)平均功能的原理是通過(guò)多次信號(hào)的疊加再除以次數(shù),以使得缺陷信號(hào)不衰減的前提下,降低隨機(jī)電子噪音。

             

             

            因而選擇一款合適的設(shè)備是檢測(cè)的第1步。

             

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            探頭頻率和晶片的選擇

             

            探頭頻率主要對(duì)穿透能力和分辨力有影響,頻率越高,波長(zhǎng)越短,分辨力越高,但穿透能力隨之下降,反之頻率越低,分辨力降低,但穿透能力隨之增大。

             

            下面是提高探頭頻率和降低探頭頻率對(duì)檢測(cè)的影響比較:

             

             

             

            而探頭的晶片尺寸對(duì)檢測(cè)影響主要表現(xiàn)在輸出能量,即穿透能力上,以及波束擴(kuò)散角上。晶片尺寸越小,輸出能力降低,但波束擴(kuò)散角度增加,反之晶片尺寸越大,穿透能力增加,但波束擴(kuò)散角減小。

             

            下面是探頭晶片的影響比較:

             

             

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            楔塊角度的選擇也會(huì)影響近表面分辨力及覆蓋范圍,楔塊角度越大,近表面分辨率越好,覆蓋范圍越靠上部,反之楔塊角度越小,近表面分辨率越差,覆蓋范圍約靠近下部。

             

            探頭角度越小,PCS越小, 直通波與底波的時(shí)間間隔越大,分辨力越高,深度測(cè)量的精度越高.

             

            初次掃查更多使用60o和70o楔塊,但對(duì)于較厚的工件,則需要使用45o楔塊。

             

             

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            儀器及探頭和楔塊的選擇是比較重要的一個(gè)環(huán)節(jié),在一些標(biāo)準(zhǔn)如NB/T 47013.10標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)于儀器及探頭和楔塊都有明確的要求。其中對(duì)探頭頻率、晶片尺寸和楔塊角度都有明確的推薦范圍:

             

             

             

            而針對(duì)不同的要求,也要根據(jù)檢測(cè)需求進(jìn)行合理的選擇。

             

            比如對(duì)于大壁厚工件或粗晶材料,可以選擇低頻率,大晶片尺寸,小角度。

             

             

            針對(duì)大曲率薄壁工件,可以選擇高頻率,小晶片尺寸,大角度。

             

             

            對(duì)于提高覆蓋及檢測(cè)效率,可選擇低頻率,小晶片尺寸,大角度。

             

             

            而如果想提高檢測(cè)精度和分辨力,可選擇高頻率,小角度,短脈沖。

             

            待續(xù)

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