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            北京新興日祥科技發(fā)展有限公司>>技術(shù)文章>>高溫氫致(HTHA)缺陷超聲檢測解決方案

            高溫氫致(HTHA)缺陷超聲檢測解決方案

            閱讀:742        發(fā)布時間:2020-10-28

            高溫氫致(HTHA)缺陷在高溫高壓氫氣環(huán)境中出現(xiàn),如:熱交換器、管道和壓力容器中。這種缺陷主要發(fā)生在焊縫的熱影響區(qū)(HAZ)。自由氫會滲入到鋼合金的晶粒之間,并與碳元素結(jié)合,終產(chǎn)生脫碳甲烷孔隙。

             

            高溫氫致(HTHA)損傷的顯微圖像

             

            如果沒有足夠早地發(fā)現(xiàn)高溫氫致(HTHA)缺陷,孔隙的數(shù)量就會增加,且合并在一起,并終形成裂紋。為了避免設(shè)備發(fā)生潛在的故障,在這些裂紋形成之前,探測到高溫氫致缺陷至關(guān)重要。

             

            高溫氫致(HTHA)孔隙在早期階段非常細(xì)小,以至于無法被標(biāo)準(zhǔn)的超聲探頭探測到。超聲檢測人員需要使用更高的頻率、更強(qiáng)的聚焦、更高的增益,以及優(yōu)質(zhì)信噪比(SNR),才能探測到這類缺陷。

             

            奧林巴斯研制了一種于探測早期階段高溫氫致(HTHA)損傷的探頭。用于檢測高溫氫致缺陷的解決方案包括雙晶線性陣列(DLA)探頭和相控陣(PA)探頭,DLA探頭使用一發(fā)一收技術(shù)進(jìn)行檢測,而PA探頭經(jīng)過微調(diào)可以進(jìn)行全聚焦方式(TFM)檢測。這些檢測方法與TOFD篩查結(jié)合起來,形成了一套完整的多技術(shù)檢測策略。

             

             

             

            使用雙晶陣列探頭探測和定義更小的高溫氫致(HTHA)孔隙

            奧林巴斯的雙晶線性陣列(DLA)探頭具有高頻性能,可以提供更高的分辨率,從而有助于提高微小缺陷的檢出率,如:高溫氫致(HTHA)缺陷。雙晶線性陣列(DLA)探頭使用一發(fā)一收技術(shù)。這種探頭的兩個晶片陣列分開放置,并具有聲學(xué)隔離特性,一個晶片陣列用于發(fā)射聲束,另一個用于接收信號。這種配置可以使用更高的增益,而且不會出現(xiàn)脈沖回波技術(shù)通常會遇到的干擾回波。雙晶陣列中裝配有大量的小晶片,有助于確保在關(guān)注區(qū)域內(nèi)獲得優(yōu)異的聚焦性能和很高的靈敏度。

             

               用于角度聲束檢測的A28 DLA探頭

            A28探頭的多個小晶片(各含32個晶片的兩個陣列)有助于提高聲束的偏轉(zhuǎn)能力,從而可使聲束覆蓋到焊縫體積的更大區(qū)域和熱影響區(qū)(HAZ)。探頭上有一個已獲ZL的樞軸鉸鏈裝置,可使發(fā)射晶片和接收晶片盡可能互相靠近,以擴(kuò)大聲束以電子方式聚焦的范圍。樞軸裝置還可使兩個晶片陣列更緊密地貼附在楔塊的屋頂角上。

            覆蓋更多的焊縫區(qū)域和熱影響區(qū)(HAZ)— 角度聲束DLA探頭(A28)

             

               可以進(jìn)行快速零度檢測的REX1 DLA探頭

            這些含有64個晶片的雙晶探頭在與一個編碼器或掃查器配套使用時,可以0角度覆蓋30毫米寬的區(qū)域,完成快速掃查,并獲得清晰的C掃描圖像。雙晶相控陣技術(shù)可以在不同的深度上聚焦,獲得更高的檢測和定義能力。用戶可以直接在OmniScan X3探傷儀上選擇用于聚焦聲束的晶片數(shù)量,進(jìn)一步提高關(guān)注區(qū)域中的信號響應(yīng)能力。探頭的創(chuàng)新型防磨穩(wěn)定裝置可以緊密地貼合在外徑小至101.6毫米的管道表面上。

             

            快速高溫氫致(HTHA)缺陷掃查 — 零度DLA探頭(REX1)

             

             

             

            提供全聚焦方式(TFM)的OmniScan X3相控陣探傷儀

            雖然與傳統(tǒng)的相控陣超聲檢測技術(shù)(PAUT)相比,全聚焦方式(TFM)成像功能可以提供更大的聚焦區(qū)域,但是TFM的聚焦性能仍然會受到探頭晶片數(shù)量、頻率、帶寬和有效孔徑大小的影響。使用數(shù)量更多、體積更小的晶片,可以更進(jìn)一步提高聚焦效果,從而可優(yōu)化來自高溫氫致(HTHA)缺陷的響應(yīng)。此外,為了提高探測較小缺陷的能力,我們需要更短的波長,因此要使用更高的頻率。

             

            由于盡早探測到高溫氫致(HTHA)缺陷至關(guān)重要,因此通常會使用多種方法進(jìn)行檢測,以增加探測到高溫氫致缺陷的幾率。實(shí)踐證明衍射時差(TOFD)、全矩陣捕獲(FMC)和雙晶線性陣列(DLA)采集方法可以特別有效地完成這項(xiàng)檢測應(yīng)用。OmniScan X3探傷儀不僅*支持這些方法,而且其創(chuàng)新型全聚焦方式(TFM)成像功能及一些軟件工具還可以簡化設(shè)置和分析過程。

            OmniScan X3探傷儀的屏幕上顯示通過全聚焦方式(TFM)檢測獲得的高溫氫致(HTHA)缺陷指示

             

            OmniScan X3探傷儀集成有DLA探頭配置,可提供實(shí)時TFM包絡(luò)、高分辨率TFM圖像(1024 × 1024點(diǎn))和64晶片全聚焦方式(TFM)擴(kuò)展孔徑,是一款可與這些優(yōu)化的探頭組合在一起,創(chuàng)建一套完整的高溫氫致(HTHA)缺陷檢測解決方案的理想儀器。

             

            盡早探測到高溫氫致(HTHA)損傷有助于避免石油、天然氣和石化設(shè)施的關(guān)鍵性高壓資產(chǎn)出現(xiàn)災(zāi)難性的故障。對資產(chǎn)狀況進(jìn)行評估至關(guān)重要,不過要探測并評估高溫氫致(HTHA)缺陷,包括以超聲(UT)方式進(jìn)行的檢測,非常具有挑戰(zhàn)性。奧林巴斯推出的高溫氫致(HTHA)缺陷檢測解決方案,可以有效應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。

             

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