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MEMS材料力學(xué)性能測試方法

隨著機電系統(tǒng)(MEMS)的蓬勃發(fā)展，如何準確獲得MEMS 材料力學(xué)性能參數(shù)成為當(dāng)今研究的熱點。由于尺度微小，試樣的夾持、載荷的施加和測量、位移的測量等問題十分突出。本文對當(dāng)今MEMS力學(xué)性能研究中一些典型的微測試方法，如納米壓痕法，單軸拉伸法、鼓膜法、微梁彎曲法及襯底曲率法等分別進行了闡述，詳細介紹了這些方法的原理、優(yōu)缺點以及可測得的力學(xué)性能參數(shù)。

MEMS是由特征尺寸在亞微米至毫米范圍內(nèi)電子和機械元件組成的微器件或微系統(tǒng)，它將傳感、處理與執(zhí)行融為一體，以提供一種或多種特定功能。它興起于20世紀80年代末期，近20年來得到了飛速的發(fā)展，有些成熟的器件或系統(tǒng)已經(jīng)商品化，并具有廣泛的市場需求。應(yīng)當(dāng)強調(diào)指出，MEMS并非傳統(tǒng)意義下宏觀機電系統(tǒng)的簡單幾何縮小，機械尺寸微小型化以后，首先，構(gòu)件材料本身的物理性質(zhì)及其對環(huán)境變化的響應(yīng)將有很大改變；其次，MEMS的力學(xué)特性和構(gòu)建在環(huán)境介質(zhì)中的行為以及所受體積力和表面力的相對關(guān)系等均發(fā)生變化；另外，由制造工藝和技術(shù)難度而造成構(gòu)件間的幾何誤差和接觸摩擦等因素；同時，很多傳統(tǒng)的材料力學(xué)性能測試方法和測試儀器已經(jīng)不再適用。目前測試所得微構(gòu)件材料的力學(xué)性能參數(shù)存在以下問題：一是已獲得數(shù)據(jù)從品種、項目上都很不*，遠遠不能滿足應(yīng)用需要；二是現(xiàn)有數(shù)據(jù)是在各自不同的的工藝條件下。試樣尺寸和測試儀器下獲得的，缺乏通用性和性；三是MEMS的新材料、新工藝層出不窮，目前缺乏一種快速響應(yīng)機制來收集，確認新數(shù)據(jù)。因此，在進行MEMS設(shè)計時，由于缺乏有關(guān)微構(gòu)件材料力學(xué)性能的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)，目前還沒有建立起有效的機械可靠性設(shè)計準則，嚴重阻礙了MEMS的發(fā)展。

納米壓痕法利用納米壓頭壓入試件表面，通過高分辨率的位移和力傳感器得到壓入深度和載荷的關(guān)系，根據(jù)載荷-壓入深度曲線和接觸面積可由彈性接觸理論推算出材料的硬度、彈性模量。為了減少襯底對實驗結(jié)果的影響，壓入深度應(yīng)小于膜厚的10%或20%。納米壓痕技術(shù)相對比較成熟，并已成功商業(yè)化，但理論分析模型有待進一步改進。

單軸拉伸試驗是獲得薄膜力學(xué)特性zui直接的方法，主要用于研究與襯底脫離的獨立薄膜構(gòu)件的力學(xué)行為。通過記錄應(yīng)力應(yīng)變關(guān)系曲線，可以測得試件的彈性模量、泊松比、屈服強度和斷裂強度。雖然拉伸試驗的數(shù)據(jù)容易解釋，沒有過多的理論假設(shè)，數(shù)據(jù)通用性好，但是由于試件尺寸太小，傳統(tǒng)的拉伸實驗設(shè)備在很多方面已不能滿足需要，例如載荷力和位移的檢測精度以及試樣的制作、對中、夾持和保護等。根據(jù)實驗試件和裝置的不同可劃分為以下四種。

• 直接單軸拉伸法
• 轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)法
• 薄膜偏轉(zhuǎn)試驗（MDE）
• 集成拉伸發(fā)

鼓膜實驗通常稱之為兩軸拉伸試驗，由Beams于1959年提出。如圖所示，從一側(cè)用氣體或液體對薄膜進行加壓，通過測量壓力和凸起高度的關(guān)系，轉(zhuǎn)換得到應(yīng)力應(yīng)變曲線，可以得到薄膜的屈服的強度和斷裂強度。鼓膜實驗所需的夾持和加載設(shè)備比較簡單，消除了試件的邊緣效應(yīng)，避免襯底材料的粘著問題和因試樣邊緣損傷與缺陷所引起的早期縮頸失穩(wěn)現(xiàn)象。但是薄膜的殘余應(yīng)力必須是拉應(yīng)力，實驗結(jié)果的解釋也比較復(fù)雜，理論模型還需改進。

微量彎曲法在宏觀力學(xué)性能測試中是一種常用的測試方法，已經(jīng)形成一系列測試標準。在MEMS材料的測試中，彎曲方法也是較早發(fā)展起來的常用測試方法。按作用方式的不同可分為以下三種。

1. 納米壓頭加載
2. 靜電加載
3. 動態(tài)諧振加載

薄膜中的殘余應(yīng)力會造成襯底的彈性彎曲，對薄膜力學(xué)性能的測量影響很大。通過測量薄膜生長前后襯底撓度或曲率半徑的變化，可以測量薄膜內(nèi)的平均殘余應(yīng)力，這種方法被稱為襯底曲率法。根據(jù)Stoney公式，襯底曲率半徑正比于薄膜的內(nèi)應(yīng)力。襯底的曲率半徑可以通過光學(xué)或電容方法測量。這種方法的優(yōu)點是只要知道薄膜的厚度就可以得到薄膜的應(yīng)變。襯底曲率法只能測量薄膜的平均應(yīng)力和應(yīng)變，于熱膨脹或基體和薄膜的生長失配，當(dāng)殘余應(yīng)力較小時，會帶來較大的誤差。

    本文對一些典型的MEMS測試方法進行了闡述，并概括了它們的優(yōu)缺點。由于材料或結(jié)構(gòu)的力學(xué)性能對于MEMS的設(shè)計、加工和可靠性有著非常重要的影響，隨著MEMS的發(fā)展，這些測試方法也需要進一步完善，并逐步實現(xiàn)標準化。