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            深圳維爾克斯光電有限公司
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            BATOP反射鏡和長通濾光片

            參  考  價面議
            具體成交價以合同協(xié)議為準

            產品型號B-M-1030nm-4x4

            品       牌其他品牌

            廠商性質代理商

            所  在  地深圳市

            更新時間:2023-02-22 09:29:48瀏覽次數:389次

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            BATOP反射鏡和長通濾光片提供寬帶鍍金膜反射鏡,AlAs / GaAs布拉格反射鏡,900nm長通濾光片和LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長定制。這些反射鏡和濾光片尺寸通常只有1.3mmx 1.3mm~4.0mmx 4.0mm,卻擁有光滑的表面,良好的導熱率。它們通常以砷化鎵(GaAs)晶體為基底,能被切成小塊矩形鏡片,也可定制按需求尺寸。

            BATOP反射鏡和長通濾光片

            長通濾光片,布拉格反射鏡,鍍金膜反射鏡,LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長定制

             

            假如需要尺寸幾毫米的反射鏡或長通濾波器,就可以在單晶砷化鎵襯底上生產這種裝置。單晶砷化鎵的熱導率非常好,高達55w / (m * k) ,由于其立方晶體結構,可以被切割成小的矩形晶片。德國BATOP公司的單晶砷化鎵基底產品主要分為:寬帶鍍金膜反射鏡,AlAs / GaAs布拉格反射鏡,900nm長通濾光片。

            BATOP還可以在砷化鎵基底上提供生長AlAs,GaAsInAs,AlGaAs,AlInAs  InGaAs 等多種材料的高質量外延薄膜層。

             


            AlAs / GaAs布拉格反射鏡

            如果需要尺寸只有幾毫米的非常小的高反射率反射鏡,那么 GaAs 芯片上的單晶 AlAs / GaAs布拉格反射鏡是合適的。單晶砷化鎵晶片具有非常光滑的表面和55w / m * k的良好熱導率。方便切割成各種尺寸,維爾克斯光電提供標準基片厚度為450μm的未安裝布拉格反射鏡

             

            可用芯片面積:

            4.0mmx 4.0mm

            2.0mmx 2.0mm

            1.3mmx 1.3mm

            根據要求定制尺寸

            1030nm AlAs / GaAs布拉格反射鏡型號:

            寬帶鍍金膜反射鏡:

            如果需要尺寸僅為幾mm的非常小的寬帶鏡,那么鍍金的GaAs芯片是合適的。 作為反射金層的基板的單晶GaAs晶片具有非常光滑的表面和55W /m * K)的良好導熱率。 它可以切割成小的正方形或矩形芯片。鍍金膜反射鏡可用作波長> 800 nm的寬帶反射器。隨著波長的增加,反射率還會不斷增加。BATOP提供未安裝的金鏡,標準基板厚度為450μm

             

            可用芯片面積:

            4.0mmx 4.0mm

            2.0mmx 2.0mm

            1.3mmx 1.3mm

            根據要求定制尺寸

             

            鍍金膜反射鏡型號:

            900nm長通濾波片

            長通吸收濾光片是用來去除長波長激光信號中的短波長光(例如剩余的泵浦光)。

            我們的長通濾波器使用半絕緣砷化鎵晶體上的外延半導體吸收層。這種晶圓材料可以根據客戶的需要切成長方形的小片。 短波長的光被濾光片吸收,然后轉換成熱量。為了去除熱量,必須使用適當的金屬安裝件如散熱器。BATOP提供標準基片厚度為625μm的未安裝長通濾波器。

             

            可用芯片區(qū)域:

            5.0 mm x 5.0 mm

            4.0毫米 x4.0毫米

            2.0 mm x 2.0 mm

            LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長定制

            BATOP可在砷化鎵基底上提供生長 AlAs,GaAs,InAs,AlGaAs,AlInAs  InGaAs 等多種材料的高質量外延薄膜層,用于 GaAs 晶片的不同應用。某些應用需要快速時間響應器件,如光學探測器、飽和吸收器或光電導天線。我們提供低溫外延的生長設備,響應時間約為1 ps。BATOP提供的GaAs襯底上生長的一個或兩個單層的砷化鎵。

             

            參數:

            GaAs(砷化鎵)晶圓直徑: 2"4"

            最大膜層厚度: 5μm

            價格

            2"(50.8mm) LT-GaAs 晶圓: 2000歐元

            4"(100mm) LT-GaAs 晶圓片: 3500歐元

            4"(100mm) LT-InGaAs 晶圓: 4000歐元

            4"(100mm) LT-GaAs 晶片,定制金屬結構: 7000歐元



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