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由于 EBL 刻寫精度很高，因此寫滿整個 Wafer 需要比較長的時間，因此電子束電流，電子束定位， 電子束電流分布均一性在長時間內的穩(wěn)定性就顯得尤為重要，這對大范圍內的圖形制備非常關鍵。

CRESTEC CABL 系列采用其*的技術使其具有*的電子束穩(wěn)定性以及電子束定位精度，在大范圍內可以實現(xiàn)圖形的高精度拼接和套刻。

Stitching accuracy for slant L&S ＜10nm

該圖是在 2 英寸 wafer 上，采用 50 um 的圖案進行拼接，寫滿整個片子，其拼接精度低于 10 nm.（實驗室數(shù)據(jù)）。

CRESTEC CABL 系列還可以加工制備 10 nm 以下的線條，無論半導體行業(yè)還是在其它領域

CRESTEC 的電子束光刻產(chǎn)品都發(fā)揮了巨大的作用。

主要特點：

1.采用高亮度和高穩(wěn)定性的 TFE 電子槍

2.出色的電子束偏轉控制技術                                      3.采用場尺寸調制技術，電子束定位分辨率（address size)可達 0.0012nm

4.采用軸對稱圖形書寫技術，圖形偏角分辨率可達 0.01mrad

5.應用領域廣泛，如微納器件加工，Si/GaAs 兼容工藝，研究用掩膜制造，納米加工（例如單電子器件、量子器件制作等），高頻電子器件中的混合光刻（Mix & Match），圖形線寬和圖形位移測量等。

超高分辨率的電子束光刻 CABL-UH 系列的型號包括：

CABL-UH90 (90keV) 、CABL-UH110 (110keV) 、CABL-UH130 (130keV)

技術參數(shù)：

加速電壓：高 130keV

單段加速能力達到 130keV，盡量減少電子槍的長度超短電子槍長度，無微放電

電子束直徑＜1.6nm 小線寬＜7nm

雙熱控制，實現(xiàn)超穩(wěn)定直寫能力

CABL-UH（130kV）系列

由于較高的加速電壓，EB抗蝕劑的前向散射較小。 CABL-UH模型的準確度低于10 nm。您可以根據(jù)自己的需要選擇90kV，HOkV或130kV。

光束直徑：<1.6nm①

小線寬：7 nm（在130kV時）

加速電壓：130 kV，110 kV或90 kV

載物臺尺寸：8英寸晶圓（可以使用少于8英寸晶圓的任何其他晶圓）

我的特色

♦Vacc：大130kV（25-130kV，5kV步進）

♦單級加速能力高達130kV，以小化EOC尺寸

♦無放電電子槍

♦光束直徑：> 1.6nm

♦細線能力：<7nm

♦發(fā)射極和陽極之間的靜電透鏡設計為在消隱電極的中心實現(xiàn)非常低的像差和近距離交叉圖像

♦使用雙熱控制器實現(xiàn)超穩(wěn)定的寫入能力

I規(guī)格

電子發(fā)射器/

加速電壓TFE（ZrO / W）Z25?130kV

小光束直徑/

小線寬1.6nm / 7.0nm

掃描方式矢量掃描（x，y）（標準）

矢量掃描（r，6），光柵掃描，點掃描（可選）

高級光刻功能（可選）場尺寸調制光刻，軸向對稱圖案光刻

字段大小30 pmZ、60pmZ、120prr）Z，SOOpmZ，600pm3（標準）1200pmZi，2400pmZi（可選）

20,000 x20,000點，60,000 x 60，OO點，96,000 x 96，OO點，

像素數(shù)240,000x 240，OO點©矢量掃描（標準）

10,000xl0,000dot @ R3Ster掃描（可選）

小地址大小10nm @ 600pmZfield，2nm @ 120pmZfield（標準）

0.0012nm@600pmZfield（可選）

尺寸為4、6、8英寸的工件>（其他尺寸和其他形狀的工件可以通過我們的靈活裝置安裝）

■拼接業(yè)紜蘇•50nm（3u）@ 600pmZ，20nm（2a）@ 60pmZ

重疊精度50nm（3o）@ 600pmZ

CAD軟件CAD（標準），GDS n轉換（可選），DXF轉換（可選）

操作系統(tǒng)Windows