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| 產地類別 | 國產 | 應用領域 | 綜合 |
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ZTD-800B單晶硅爐
ZTD-900B單晶硅爐
ZTD-950B單晶硅爐
技術參數(shù)：
型號 | 名稱 | 額定功率 | 額定溫度 | 主爐室尺寸 | 熔料重量 |
ZTD-800B | 單晶硅爐 | 140KW | 1600℃ | 800×1050mm | 60KG |
ZTD-900B | 單晶硅爐 | 160KW | 1600℃ | 900×1050mm | 90KG |
ZTD-950B | 單晶硅爐 | 180KW | 1600℃ | 950×1050mm | 130KG |
設備用途：
ZTD-800B單晶硅爐為生產太陽能電池用的單晶爐，坩堝尺寸18-22英寸，產量從60-130Kg，單晶硅棒直徑6.5-8英寸，設備高度為6.1-6.7米，主要可生產主流8英寸單晶硅棒。
本公司可提供生長工藝，保證生長出合格的單晶硅。設有樣機，歡迎來人參觀考察。
ZR-12-10實驗用中溫真空爐
詳細描述：
采用箱式爐結構爐柜一體化設計，適用高?？蒲袉挝贿M行材料的真空或保護氣氛下的熱處理，爐內設有一耐熱鋼爐罐，罐內安裝有料臺及保溫層。
主要參數(shù)如下：
1.額定功率：12kw
2.爐罐內尺寸：160*250*400mm
3.高溫度：1000度
4.極限真空度：＜10Pa
ZR-12-11真空電阻加熱爐
設備用途：
本設備是用鎳鉻合金絲作發(fā)熱元件的實驗用內熱式真空熱處理爐，爐體與控制柜一體化結構，臥式爐體，側面打開爐門，適用于金屬材料在高真空、中溫條件下進行回火、退火、釬焊、燒結、除氣處理，同時也適于金屬化合物的真空熱處理用。
設備特點：
整個設備為方形箱體結構，臥式爐體，裝取料方便；所有動作操作均在爐體正面操作完成，操作方便，集控制柜與爐體一體化結構，占地小，節(jié)約占地面積；耗水量少，使用方便，用戶只要水、電齊全就可以直接使用，集成安裝水、電、氣接口。
主要技術參數(shù)：
1、額定功率：12KW
2、額定使用溫度：1100℃（氣氛保護下）
3、大有效加熱空間：Φ120×200㎜
4、冷態(tài)極限真空度：5×10-4 Pa
5、壓升率：≤2.0 Pa/h
6、電源：380V/50Hz
7、充氣介質：氬氣、氮氣或少量氫氣
8、大充氣壓力：＜0.03MPa
9、控溫精度：±1℃
ZT-50-16晶體退火爐
用途：
真空晶體退火爐是用石墨作發(fā)熱元件的立式實驗用真空電阻爐，爐底裝料電動升降，供金屬化合物、陶瓷、無機化合物、納米材料等在真空或保護氣氛中燒結制品。
技術參數(shù)：
1、型式：立式，底盤下沉
2、額定功率：50±10%Kw
3、電源電壓：三相 380V 50Hz
4、高溫度：1600℃
5、工作區(qū)尺寸：Φ300×300
6、升溫速率：15℃/min
7、恒溫區(qū)溫度均勻性：≤±10℃（1400℃）
8、冷態(tài)極限真空度：6.67×10-3Pa
9、工作真空度（空爐）：5×10-2Pa
10、壓升率：≤2Pa/h
11、1路充氣管路，充氣冷卻
12、充氣壓力：＜0.03MPa（相對壓力）
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