Si襯底上Ge薄膜的制備過程（國內(nèi)廠家定制）

西安齊岳生物科技有限公司提供或者國產(chǎn)的薄膜，尺寸可定制；基底以及外延的薄膜；高；有關(guān)資料歡迎咨詢。同時(shí)提供二維材料；石墨烯、氮化硼、二硫化鉬、CVD生長的薄膜、晶體、異質(zhì)結(jié)、薄膜（藍(lán)寶石、PET、銅膜、石英、云母、銀膜、SOI基底、Si玻璃基底）等材料。

Si襯底上Ge薄膜制備過程中,利用二者之間的熱失配,可在Ge薄膜層中引入張應(yīng)力.張應(yīng)力改性作用下,Ge能帶結(jié)構(gòu)由間接帶隙類型轉(zhuǎn)化為準(zhǔn)直接帶隙或直接帶隙類型,將其應(yīng)用于光子器件,可器件的發(fā)光效率;同時(shí),張應(yīng)變改性Ge相較于Ge半導(dǎo)體,載流子遷移率更高,還可將其應(yīng)用于電子器件.Si基改性Ge薄膜不具有的光電性質(zhì),還兼具Si襯底的特點(diǎn),具有應(yīng)用潛力.然而,由于Si與Ge之間存在4.2%的晶格失配,直接在Si襯底上生長改性Ge薄膜將會(huì)產(chǎn)生較大的缺陷,從而影響改性Ge光電器件的性能.因此,如何在Si襯底上生長的改性Ge薄膜已成為領(lǐng)域內(nèi)研究的熱點(diǎn)和.為此,搭建了Si基改性Ge薄膜RPCVD生長系統(tǒng),為Si基改性Ge薄膜的生長奠定了的物質(zhì)基礎(chǔ).基于RPCVD碰撞與吸附理論,進(jìn)一步建立了Si基改性Ge薄膜的生長動(dòng)力學(xué)模型,為制定Si基改性Ge薄膜RPCVD工藝制度提供了理論依據(jù).針對(duì)Si基改性Ge薄膜位錯(cuò)密度與應(yīng)力表征方面存在的問題,提出了適用于改性Ge的位錯(cuò)密度表征方法,建立了拉曼譜與應(yīng)力的理論關(guān)系模型,完善了相關(guān)表征.通過以上研究,為的Si基改性Ge薄膜的生長奠定了的基礎(chǔ).基于所搭建RPCVD薄膜生長系統(tǒng),采用低溫-高溫兩步法工藝,在Si襯底上生長了改性Ge薄膜.

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玻璃上鍍Mo (Mo-coated Sodalime glass )
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Si/SiO2/p-Si結(jié)構(gòu)材料
Pt/Ti/SiO2/Si  Au/Cr/Si基片
Pt/Ti/SiO2/Si基片
Au/Cr/Si基片
4H-SiC上鍍4H-SiC薄膜P型
4H-SiC上鍍4H-SiC薄膜P型（4H-SiC Epitaxial Film on 4H-SiC, P type)
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Al2O3+YBCO薄膜10x10x0.5 mm
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SrRuO3薄膜
SrTiO3基底SrRuO3薄膜50nm
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SrRuO3/SrTiO3人工薄膜
SrRuO3/SrTiO3薄膜
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二氧化鈦(TiO2)薄膜(鈉鈣玻璃基底)
ZnO/Au納米復(fù)合物
ZnO +Au+Cr
ZnO/Au/Cr復(fù)合薄膜
ZnO/Au/ZnO多層膜
ZnO+SiO2薄膜
熔融石英基底ZnO/SiO2薄膜
ZnO/SiO2復(fù)合薄膜
SiO2/Si襯備ZnO薄膜
Ge/ZnO/SiO2薄膜
ZnO+鈉鈣玻璃
鈉鈣玻璃基底ZnO薄膜
ZnS/CuInS/Mo/鈉鈣玻璃襯底上射頻濺射ZnO:Al薄膜
ZnO+Pt+Ti
Ti/Pt/ZnO復(fù)合薄膜
Ti/ZnO/Pt 復(fù)合薄膜
Pt/Ti/ZnO復(fù)合薄膜
Pt/Ti/SiO2/Si基片

以上資料來自西安齊岳生物小編

溫馨提示用于科研 zhn2020.12.14