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            西安齊岳生物科技有限公司

            硅襯底黑磷薄膜的介紹(高結(jié)晶性厚度尺寸可定制)

            時間:2021-4-30閱讀:678
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             硅襯底黑磷薄膜的介紹(高結(jié)晶性厚度尺寸可定制)

            黑磷是一種具有高載流子遷移率、0.3~1.5 eV隨厚度可調(diào)直接帶隙以及各向異性等性質(zhì)的二維層狀半導(dǎo)體材料,在電子和光電子器件等領(lǐng)域,如高遷移率場效應(yīng)晶體管、室溫寬波段紅外探測器及多光譜高分辨成像等方面具有應(yīng)用,受到關(guān)注。然而,黑磷的大規(guī)模應(yīng)用研究迄今仍受限于大面積、薄膜的制備。傳統(tǒng)上,黑磷可以通過高溫高壓、汞催化或從鉍溶液中重結(jié)晶等方法來制備。通過礦化劑輔助氣相輸運法(CVT)則可進(jìn)一步其產(chǎn)率和結(jié)晶度。但是,這些方法可獲得黑磷晶體塊材,很難直接在襯底上生長黑磷薄膜。近,我們通過脈沖激光沉積或借鑒高溫高壓法嘗試在介質(zhì)襯底上直接生長黑磷薄膜。然而,獲得的薄膜多為非晶態(tài),晶粒尺寸小、遷移率等電學(xué)性能不,離實際應(yīng)用需求相距甚遠(yuǎn)。盡管很多研究都做出了的努力,但如何在基底上實現(xiàn)黑磷成核進(jìn)而高結(jié)晶性薄膜的可控生長依然是一大挑戰(zhàn)。

            在這研究過程中,我們研究了一種新的生長策略,引入緩沖層Au3SnP7作為成核點,誘導(dǎo)黑磷在介質(zhì)基底上的成核生長。在以往報道的CVT方法中,以Au或AuSn作為前驅(qū)體生長黑磷晶體時,Au3SnP7是其中重要的中間產(chǎn)物之一。我們考慮以Au3SnP7來誘導(dǎo)黑磷成核,主要是注意到兩點:

            1.是Au3SnP7在黑磷生長過程中可以穩(wěn)定地存在;

            2.是其(010)面的磷原子排布與黑磷(100)面具有匹配的原子結(jié)構(gòu)。

            基于此,我們通過在襯底上生成Au3SnP7來控制黑磷的成核和生長。其中Au3SnP7的形成是將沉積了Au薄膜的硅襯底與、Sn、SnI4前驅(qū)體一起在真空封管中加熱獲得,其形貌通常為分散在硅襯底上的規(guī)則形狀晶體,尺寸數(shù)百納米。在隨后的過程中,發(fā)生P4相向黑磷相的轉(zhuǎn)變并在Au3SnP7緩沖層上外延成核。這一假定可以從高分辨截面TEM圖像得到應(yīng)證,可以清晰看到黑磷與Au3SnP7有序共存以及它們之間原子級平滑的界面。隨后,在持續(xù)的磷源供給及降溫過程中,會觀察到過渡態(tài)黑磷納米片產(chǎn)物及其在硅襯底上的生長、融合,終獲得表面平整潔凈的連續(xù)黑磷薄膜。

            在生長過程中,P4蒸氣的過快輸運不利于黑磷薄膜形貌、厚度的控制。為了實現(xiàn)可控的黑磷薄膜生長,我們設(shè)計了幾種方法來減少參與相變轉(zhuǎn)化的P4源。其一,將置于低溫側(cè),而黑磷薄膜的生長置于遠(yuǎn)端的高溫側(cè)。由此,升華而成的P4分子需經(jīng)歷逆溫度梯度的熱動力學(xué)輸運到生長的襯底端,其輸運速度及參與反應(yīng)的量得以控制。此外,將多片鍍有Au膜的硅襯底疊放,利用襯底之間狹小的間隙來擴散進(jìn)入襯底間、在Au3SnP7緩沖層上實際參與生長的P4分子的量。通過這些策略,可以在硅襯底上生長出厚度從幾納米到幾百納米可調(diào)的黑磷薄膜。隨著厚度的增加,可獲得的薄膜尺寸也相應(yīng)越大。當(dāng)厚度約為100 nm或以上時,很容易生長出幾百微米至亞毫米大小的黑磷薄膜。

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