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            揚(yáng)州冠泰電氣設(shè)備廠>>測試儀器儀表>>GTJS-1介質(zhì)損耗測試儀

            介質(zhì)損耗測試儀

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            • 介質(zhì)損耗測試儀

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            具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
            • 型號 GTJS-1
            • 品牌
            • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
            • 所在地 揚(yáng)州市

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            更新時間:2024-11-10 21:38:07瀏覽次數(shù):1281

            聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!

            產(chǎn)品簡介

            產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 外形尺寸 500mm×300mm×400mmmm
            重量 18kg    
            GTJS-1介質(zhì)損耗測試儀是一種*的測量介質(zhì)損耗(tgδ)和電容容量(Cx)的儀器,用于工頻高壓下,測量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗(tgδ)和電容容量(Cx)測量。

            詳細(xì)介紹

            GTJS-I介質(zhì)損耗測試儀具有操作簡單、無需數(shù)據(jù)換算、中文菜單顯示、并自帶打印功能、抗干擾能力強(qiáng)、測試速度快的優(yōu)點(diǎn)。 

            GTJS-I介質(zhì)損耗測試儀使用說明

            測量線路包括一路標(biāo)準(zhǔn)回路和一路測試回路:

                  1、標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高壓穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與標(biāo)準(zhǔn)電阻網(wǎng)絡(luò)組成,由計(jì)算機(jī)實(shí)時采集標(biāo)準(zhǔn)回路電流與測試回路的電流幅值及其相位差,并由之算出被測試品電容容值(CX)和其介質(zhì)損耗(tgδ)。
                  2、數(shù)據(jù)采集電路全部采用高壓穩(wěn)定器件,采集板和采集計(jì)算機(jī)被鐵盒*浮空屏蔽,儀器外殼地屏蔽;另外使用了光導(dǎo)數(shù)據(jù)、浮空地、大面積地、單點(diǎn)地、數(shù)字濾波等抗干擾技術(shù),加之計(jì)算機(jī)對數(shù)百個電網(wǎng)周期的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理,使測量結(jié)果穩(wěn)定、精確、可靠。

            GTJS-I技術(shù)參數(shù)

                  1、環(huán)境溫度:0~40℃       

                  2、相對濕度:30%~70% 
                  3、供電電源:電壓:220V±10%、頻率:50±1Hz 
                  4、外形尺寸:500mm×300mm×400mm 
                  5、重量:   約18Kg           
                  6、輸出功率:0.6KVA 
                  7、顯示分辯率:3位、4位(內(nèi)部全是6位) 
                  8、測量范圍及輸出電壓選擇: 
                            介質(zhì)損耗(tgδ):±0.00~±999% 
                            試品電容容量(Cx)和加載電壓: 
                             2.5KV檔:≤300nF(300000pF)            3KV檔:≤200nF(200000pF) 
                             5KV檔:≤76nF(76000pF)                   7.5KV檔:≤34nF(34000pF) 
                             10KV檔:≤20nF(20000pF) 
                  9、基本測量誤差: 
                            介質(zhì)損耗(tgδ):1%±7個字(加載電流20uA~500mA) 
                            介質(zhì)損耗(tgδ):2%±9個字(加載電流5uA~20uA) 
                            電容容量(Cx):1.5%±1.5pF

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