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            灰熔點測定儀 熱力公司煤炭檢測儀器

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            參考價 8000
            訂貨量 1
            具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
            • 型號 HR-6
            • 品牌 其他品牌
            • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
            • 所在地 鶴壁市
            在線詢價 收藏產(chǎn)品

            更新時間:2024-09-09 20:51:23瀏覽次數(shù):669

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            產(chǎn)品簡介

            產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 價格區(qū)間 1-3萬
            應(yīng)用領(lǐng)域 化工,石油,地礦,建材/家具,鋼鐵/金屬
            灰熔點測定儀 熱力公司煤炭檢測儀器【鶴壁創(chuàng)新灰熔點測定儀】煤的灰熔點測定儀,微機灰熔點測定儀,灰熔融性檢測儀器,檢測煤炭灰熔融性的機器,測試煤灰熔點的儀器,智能灰熔點測定儀,全自動灰熔點測定儀,灰熔融性測定儀

            詳細(xì)介紹

            灰熔點測定儀 熱力公司煤炭檢測儀器【鶴壁創(chuàng)新灰熔點測定儀】煤的灰熔點測定儀,微機灰熔點測定儀,灰熔融性檢測儀器,檢測煤炭灰熔融性的機器,測試煤灰熔點的儀器,智能灰熔點測定儀,全自動灰熔點測定儀,灰熔融性測定儀

            HR-6型 灰熔點測定儀與硅碳管高溫爐配套,是化驗室進(jìn)行煤灰熔融性測定的智能化儀器。
            該儀器嚴(yán)格按照國標(biāo)有關(guān)規(guī)定全自動完成灰熔點測定。
            可以在一定范圍內(nèi)對控制參數(shù)進(jìn)行選擇和修改,還具備可以自行設(shè)定是定時恒溫程序和標(biāo)準(zhǔn)RS232通訊功能。
            按國標(biāo)GB/T219-2008要求采用單片機自動控制升溫速度,爐體可以自由旋轉(zhuǎn),取放樣方便。

            灰熔點測定儀 技術(shù)參數(shù):

            測溫范圍:0-1600℃,分辨率1℃,配用S值熱電偶

            升溫速度:900℃以前15-20℃/min

            900℃以后﹙5±1﹚℃/min

            測溫誤差:≤±3℃

            電源電壓:AC220V±15%  50Hz

            輸出電流:≤30A
            儀器功耗:10W

            儀器尺寸(mm):305×120×390

             

            灰熔點測定儀 熱力公司煤炭檢測儀器

             

            出現(xiàn)了在升溫過程中屢燒溫度控制器中可控硅的故障,由于更換頻繁,嚴(yán)重影響了檢測任務(wù)的完成。
            1產(chǎn)生故障原因
            儀器電加熱系統(tǒng)溫度控制器中可控硅。每次在更換可控硅時都要進(jìn)行耐壓測試,并對發(fā)熱元件硅碳管的電控部分進(jìn)行測試,未發(fā)現(xiàn)有短路的情況。可控硅損壞的原因,關(guān)健就在于電加熱系統(tǒng)。儀器的電加熱系統(tǒng),由電源的輸入端,經(jīng)溫度控制器中的可控硅輸出至電爐的硅碳管。儀器電加熱系統(tǒng)的電爐結(jié)構(gòu)如圖1所示。 旋出電偶蓋,卸開散熱罩,仔細(xì)觀察電熱系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)發(fā)現(xiàn)硅碳管與剛玉內(nèi)外套管的間隙很小。分析認(rèn)為:在加熱過程中,高溫的硅碳管會形變,變形后的硅碳管若與剛玉內(nèi)外套管碰接在一起會導(dǎo)致漏電,使負(fù)載電流增大而燒壞可控硅。另外•在煤灰的熔融性測定中,爐內(nèi)會有CO生成,在間隙很小氧氣不足時會析出碳,析出的碳如沉積在硅碳管的縫隙處會形成短路,也會使負(fù)載電流增大而燒壞可控硅。其次,原電路電加熱系統(tǒng)的主電路設(shè)計過于簡單,對可控硅無任何保護措施,也是燒壞可控硅的原因之一。
            2電加熱系統(tǒng)技術(shù)改造
            在硅碳管與剛玉內(nèi)外套管空隙處的四周墊上片狀的耐火磚以增加絕緣效果,這樣高溫中的硅碳管變形后就不會與剛玉內(nèi)外套管接觸在一起造成漏電而燒壞可控硅。另外空隙的存在,使硅碳管周圍留有的空氣會將析出的碳燒掉,以防止短路的發(fā)生而燒壞可控硅。增加阻容保護電路。在可控硅兩端并一個阻容吸收電路,具體電路如圖2所示。利用電容兩端電壓不能突變原理,可以限制可控硅元件的過電壓,達(dá)到保護可控硅的目的。利用快速熔斷器作過流保護。普通的熔斷器 熔斷時間較長,不能用它來保護可控硅。選用30A的快速熔斷器,能起到較好的保護作用。

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