快速溫變試驗箱 測試集成芯片

適應(yīng)于儀器、儀表、電工、電子產(chǎn)品電子零組件，成品、半成品、半導體、化學、材料等個中環(huán)境測試整機及零部件等作溫度快速變化或漸變條件下的適應(yīng)性試驗及應(yīng)力篩選試驗以便對試品在擬定條件下的性能、行為作出分析及評價(快速變化)

快速溫變試驗箱 測試集成芯片

技術(shù)參數(shù)：

1.溫度范圍：-40℃～150℃
2.濕度范圍：20%～98%R.H
3.溫度均勻度：≤±2℃（空載時）
4.濕度均勻度：+2%-3%R.H
5.溫度波動度：≤±0.5℃（空載時）
6.濕度波動度：±2%
7.溫度偏差：≤±2℃
8.濕度偏差：≤±2%
9.降溫速率：0.7～1.0℃/min
10.升溫速率：1.0～3.0℃/min
11.時間設(shè)定范圍：0～999小時
12.電源電壓：380V±10%

設(shè)備滿足以下標準

GB/T 10592 -2008 高低溫試驗箱技術(shù)條件

GB/T 10586 -2006濕熱試驗箱技術(shù)條件

GB/T 2423. 1-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗A:低溫

GB/T 2423. 2-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗B:高溫

GB/T 2423. 3-2006電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Cab:恒定濕熱試驗

GB/T 2423. 4- -2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Db:交變濕熱(12h + 12h循環(huán))

GB/T 2423. 22-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗N:溫度變化

GB/T 5170. 1-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備檢驗方法總則

GJB 150. 3A-2009裝備實驗室環(huán)境試驗方法第3部分:高溫試驗

GJB 150. 4A-2009裝備實驗室環(huán)境試驗方法第4部分:低溫試驗

GJB150.9A-2009裝備實驗室環(huán)境試驗方法第9部分:濕熱試驗