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            北京恒奧德儀器儀表有限公司
            中級(jí)會(huì)員 | 第8年

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            解析磁導(dǎo)率 公式方法原理

            時(shí)間:2021/9/14閱讀:2769
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            解析磁導(dǎo)率 公式方法原理

            解析磁導(dǎo)率 公式方法原理

             

             

            方法原理

            說(shuō)起磁導(dǎo)率μ的測(cè)量,似乎非常簡(jiǎn)單,在材料樣環(huán)上隨便繞幾匝線圈,測(cè)其電感,找個(gè)公式算就了。其實(shí)不然,對(duì)同只樣環(huán),用不同儀器,繞不同匝數(shù),加不同電壓或者用不同頻率都可能測(cè)出差別甚遠(yuǎn)的磁導(dǎo)率來(lái)。成測(cè)試結(jié)果差別大的原因,并非每個(gè)測(cè)試人員都有力搞得清楚。本文主要討論測(cè)試匝數(shù)及計(jì)算公式不同對(duì)磁導(dǎo)率測(cè)量的影響。

             

            2.1 計(jì)算公式的影響

             

            大家知道,測(cè)量磁導(dǎo)率μ的方法般是在樣環(huán)上繞N匝線圈測(cè)其電感L,因?yàn)榭赏频?/span>L的表達(dá)式為:

             

            L=μ0 μN^2A/l (1)

             

            所以,由(1)式導(dǎo)出磁導(dǎo)率 的計(jì)算公式為:

             

            μ=Ll/μ0N^2A (2)

             

            式中:l為磁心的磁路長(zhǎng)度,A為磁心的橫截面積。

             

            對(duì)于具有矩形截面的環(huán)型磁芯,如果把它的平均磁路長(zhǎng)度l=π(D+d)/2就當(dāng)作磁心的磁路長(zhǎng)度l,把截面積A=h(D-d)/2,μ0=4π×10-7都代入(2)式得:

             

            μ=L(D+d)*10/4Nh(D-d) (3)

             

            式中,D為環(huán)的外直徑,d為內(nèi)徑,h為環(huán)的度,如圖2所示。把環(huán)的內(nèi)徑d=D-2a代入(3)式得:

             

            μ=L(D-a)*10/4Nha (4)

             

            式中:a為環(huán)的壁厚。

             

            對(duì)于內(nèi)徑較小的環(huán)型磁心,內(nèi)徑不如壁厚容易測(cè)量,所以用(4)式方便。(4)式與(3)式是等效的,它們的由來(lái)是把環(huán)的平均磁路長(zhǎng)度當(dāng)成了磁心的磁路長(zhǎng)度。用它們計(jì)算出來(lái)的磁導(dǎo)率稱為材料的環(huán)磁導(dǎo)率。有人說(shuō)用環(huán)型樣品測(cè)量出來(lái)的磁導(dǎo)率就叫環(huán)磁導(dǎo)率,這種說(shuō)法是不正確的。實(shí)際上,環(huán)磁導(dǎo)率比材料的真實(shí)磁導(dǎo)率要偏些,且樣環(huán)的壁越厚,誤差越大。

             

            對(duì)于樣環(huán)來(lái)說(shuō),在相同安匝數(shù)磁動(dòng)勢(shì)激勵(lì)下,磁化場(chǎng)在徑向方向上是不均勻的。越靠近環(huán)壁的外側(cè)面,磁場(chǎng)就越弱。在樣環(huán)各處磁導(dǎo)率μ不變的條件下,越靠近環(huán)壁的外側(cè),環(huán)的磁通密度B就越低。為了消除這種不均勻磁化對(duì)測(cè)量的影響,我們把樣環(huán)看成是由無(wú)窮多個(gè)半徑為r,壁厚無(wú)限薄為dr的薄壁環(huán)組成。根據(jù)(1)式,可寫(xiě)出每個(gè)薄壁環(huán)產(chǎn)生的電感dL


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