某一電介質(zhì)(如硅酸鹽、高分子材料)組成的電容器在一定電壓作用下所得到的電容量Cx與同樣大小的介質(zhì)為真空的電容器的電容量Co之比值,被稱(chēng)為該電介質(zhì)材料的相對(duì)介電常數(shù)
?電介質(zhì)材料在外電場(chǎng)作用下發(fā)熱而損耗的那部分能量。在直流電場(chǎng)作用下,介質(zhì)沒(méi)有周期性損耗,基本上是穩(wěn)態(tài)電流造成的損耗在交流電場(chǎng)作用下,介質(zhì)損耗除了穩(wěn)態(tài)電流損耗外,還有各種交流損耗。由于電場(chǎng)的頻繁轉(zhuǎn)向,電介質(zhì)中的損耗要比直流電場(chǎng)作用時(shí)大許多(有時(shí)達(dá)到幾千倍),因此介質(zhì)損耗通常是指交流損耗。
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì);
通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù)。
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Σ=D2 / D4
介電常數(shù)測(cè)試儀
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機(jī)構(gòu)電容的有效電容為:Cz= C4-C3
分布電容為機(jī)構(gòu)電容CZ和電感分布電容CL(參考電感的技術(shù)說(shuō)明)的和
介質(zhì)損耗系數(shù)/介質(zhì)損耗正切值為
?北京航天偉創(chuàng)設(shè)備科技有限公司 經(jīng)營(yíng)多種型號(hào)介電常數(shù)測(cè)試儀、直流電阻測(cè)試儀、體積電阻率測(cè)試儀等。
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