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| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
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2003 BT型電荷敏感場(chǎng)效應(yīng)晶體管輸入前置放大器是為優(yōu)化性能而設(shè)計(jì)的，采用硅探測(cè)器，如鈍化注入的平面硅。皮爾斯®）探測(cè)器和遺留硅表面勢(shì)壘（SSB）探測(cè)器。
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
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低噪聲設(shè)計(jì):在0 PF下小于2.0 keV(Si) 高能量速率能力:多可達(dá)2x106MEV每秒 FET輸入,二極管保護(hù) 獨(dú)立能量和快速定時(shí)輸出 在0 pf時(shí),快速上升時(shí)間小于3 ns 小尺寸 能夠在真空室工作的
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